19巻（2013年）

• 1号「ヘテロ接合Si太陽電池の現状　～課題とポテンシャル～」

18巻（2012年）

• 1号「結晶シリコン太陽電池の最前線」
• 2号「窒化物半導体光デバイスの最前線　～デバイスと光物性～」
• 3号「MEMS/NEMSによる極限センシング」
• 4号「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの進展」
• 5号「強磁性体のスピン制御技術とその展望」

17巻（2011年）

• 1号「ダイヤモンド表面・界面の基礎物性」
• 2号「ワイドギャップ半導体パワーデバイス～Si、SiC、GaNのすみ分けと展開～」
• 3号「中赤外デバイスの開発と人材育成」
• 4号「ここまで来た薄膜トランジスタ－フレキシブル電子デバイス応用へ向けて－
• 5号「デバイス応用に向けたナノカーボン成長技術の新展開

16巻（2010年）

• 1号「テラヘルツデバイス技術の進展」
• 2号「紫外光デバイスの進展：材料物性と応用」
• 3号「自己組織化技術の探求」－分子エレクトロニクス集積化のために－
• 4号「スピントロニクスデバイスの新展開」
• 5号「スピントロニクスデバイスの新展開－モノつくりからアプローチ－

15巻（2009年）

• 1号「メタマテリアルの基礎と応用最前線」
• 2号「フレキシブル電子デバイス応用に向けた材料技術の基礎と展望」－有機半導体、酸化物半導体、III-V族化合物半導体、ナノチューブ－
• 3号「グラフェンの形成・基礎物性とデバイス展開」
• 4号「次世代照明デバイスの展望」－LEDと有機ELの開発動向－
• 5号「エネルギーハーベスト技術」－熱電変換、振動発電の実力と展望－

14巻（2008年）

• 1号「ナノテクノロジーが医療を変える」
• 2号「新しい白色ＬＥＤに向けて～さまざまな試み～」
• 3号「ナノ加工テクノロジーの展望」
• 4号「スピントロ二クスの基礎と応用：高密度・熱安定スピン材料・デバイスと集積回路技術」
• 5号「窒化物半導体発光デバイスの最前線－有極性・非極性発光デバイスを徹底検証する－」

13巻（2007年）

• 1号「新しいナノチューブ～カーボンナノチューブだけではない～」
• 2号「ZnO系へテロ接合の物理とデバイス応用」
• 3号「半導体レーザの最前線」
• 4号「表面プラズモン技術の進展・その基礎と応用」
• 5号「GaN系電子デバイスの新展開」

12巻（2006年）

• 1号「窒化物半導体電子デバイスの最近の進展」
• 2号「先端半導体デバイス製造技術を押し上げる最近の低温薄膜形成技術」
• 3号「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望」
• 4号「スピンエレクトロニクスの基礎と応用：次世代スピンデバイス基盤技術とTMRデバイス応用の最前線」
• 5号「－強誘電体材料・デバイスの新展開－」

11巻（2005年）

• 1号「実用化に向けて加速するZnO系機能材料－透明電極、ZnOデバイスの最前線－」
• 2号「ナノシリコンの最近の進展－量子サイズシリコンの新しい可能性－」
• 3号「固体白色光源の進展」－固体照明のための材料デバイスの最前線と応用－
• 4号「応物研究者だからこそできるバイオエレクトロ二クス」－日本表面科学会　協賛－
• 5号「MEMSと応用電子物性との粋な関係」

10巻（2004年）

• 1号「移動体通信用材料・デバイス技術の現状と展望」
• 2号「ダイヤモンド･デバイスの展望－ここまで来たダイヤモンド半導体－」
• 3号「半導体研究者も分かるバイオテクノロジー」
• 4号「窒化アルミニウム－結晶・プロセス・デバイスの最前線－」
• 5号「イメージセンサの高度化とバイオ応用」

9巻（2003年）

• 1号「窒化物半導体のニューホライズン」
• 2号「酸化物薄膜／厚膜の作製とデバイス応用－MEMSから光･磁気デバイスまで－」
• 4号「高誘電率ゲート絶縁膜の現状と展望」
• 5号「有機分子デバイス～光から電子まで～」
• 6号「カーボンナノチューブ－物理とトランジスタ応用－」

8巻（2002年）

• 1号「カーボンナノチューブの応用への展開」
• 2号「有機ＥＬの基礎と応用」
• 3号「フォトニック結晶－ナノ加工から産業展開－」
• 4号「ナノテクノロジー、その可能性を探る（2）：ナノ微粒子の応用とインパクト」

7巻（2001年）

• 1号「21世紀の幕開け～量子コンピュータの実現にむけて～
• 2号「配線技術」
• 3号「次世代高周波パワーGaN・SiC電子デバイス」
• 4号「ナノテクノロジー、その可能性を探る」
• 5号「スピントロ二クスの最前線」
• 6号「窒化物半導体LEDの進展と高効率化高出力化への課題」

6巻（2000年）

• 1号「スピンエレクトロ二クスの最前線　－その基礎の理解と応用への展望－
• 2号「ミリ波デバイスとシステム展望」
• 3号「フォトニック結晶～基礎から将来展望まで～」
• 4号「そこが聞きたい！最新のGaNバンク・薄膜技術」

5巻（1999年）

• 1号「面発光レーザの最近の展開」
• 2号「ナノ加工技術とデバイス応用」
• 3号「新材料が拓くフロンティアデバイス基礎材料、プロセスからプロトデバイスまで」
• 4号「配線技術における新材料｣
• 5号「Ⅲ族窒化物半導体デバイスの最前線とキーテクノロジー」

4巻（1998年）

• 1号「Siマルチクリスタルからナノクリスタルへ」
• 2号「GaN系青色レーザの新展開」
• 3号「量子ナノ構造デバイスの最近の進展」
• 4号「高周波パワーデバイス及び材料の新展開」
• 5号「ナイトライド半導体の物性制御・欠陥制御」－真の物性を引き出す策・ポイントは？－

3巻（1997年）

• 1号「高誘電率・強誘電体材料の次世代メモリデバイスへの応用」
• 2号「GaN系ワイドギャップ半導体の物性理解と新展開」
• 3号「ジャイアントマイクロエレクトロニクス」－広視野角・高画質・大画面を可能にした最新TFT液晶技術－
• 4号「超高速光エレクトロニクス」
• 5号「スピンを制御する新しいデバイスの可能性："半導体スピンエレクトロニク

2巻（1996年）

• 1号「最近の化合物半導体高速・高周波デバイス」－ 性能追及と実用化の課題 －
• 2号「ワイドバンドギャップ材料」－ 物性制御と応用への課題 －
• 3号「Gbit LSI を支えるプロセス技術」－ 高精度ドライエッチングと微細コンタクト形成技術 －
• 4号「低次元構造と極微領域評価」

1巻（1995年）

• 1号「新しい有機金属材料と選択成長技術の基礎」
• 2号「シリコン微小欠陥の基礎と制御：1Gビット時代のSi結晶を目指して」
• 3号「ワイドバンドギャップ半導体の現状と展望」－ SiC，GaNを中心として －
• 4号「高・強誘電体材料技術とデバイス応用」
• 5号「自然形成法による量子ナノ構造の作製とその評価」

応電分科会の歩み　－60周年記念－（第9巻3号）

応電分科会の歩み　－50周年記念－