80	81	82	83	84	85	86	87	88	89	90	91	92	93	94	95	96	97	98	99	00	01
材料	.							SOI	.								SOI	ULSI用結晶			.
	Si		.			○	.	○	.				○	○	.	○	○	○	○	.
	.											ヘテロ・超格子				.
	SiGe		.							○	.	○	○	○	.	○	.
	.					半絶縁性基板			.
	GaAs系		.			○	○	.	○	.	○	○	○	○	.	○	○	.
	.											歪系混晶			.	ドーピング			.
	InP系		.									○	.	○	.	○	.
	.													青色レーザ			.
	II-VI		.				○	.		○	.	○	.	○	○	.		○	.
	.																	青色LED・レーザ
	GaN系		.				○	.		○	.	○	.					○	○	○	○	○	.○	○
	.																	ハードエレクトロニクス					高周波
	SiC, C		.				○	.		○	.	○	.					○	○	.		○	.	○
	.		太陽電池		.						TFT		.
	a-Si		○	○	.			○	.		○	○	○	○	○	.	○	.
	ナノ結晶		.												○	.			○	.	○	○	.
	.														Siからの発光			.
	ポーラスSi		.												○	.
	.																			FeRAM
	高・強誘電体		.														○	○	.	○	○	○	○
	.																						スピントロニクス
	磁性半導体		.																	○	.		○	○
	.																		多層配線			High-, Low-K
配線材料		.													○	.		○	.		○	.	○
			80	81	82	83	84	85	86	87	88	89	90	91	92	93	94	95	96	97	98	99	00	01
デバイス	.								低温薄膜形成			.		電極、浅い接合				多層配線		.
	LSIプロセス		.				○	.	○	○	.			○	.	○	.	○	○	.				○
	太陽電池		○	○	.													○	.
	.													液晶駆動用TFT					.
	ディスプレイ		.	○	.	○	.				○	○	.	○	○	○	○	○	○	○	.
	.					GaAs IC		.				HBT		.			HEMT, HBT			.	移動体通信
	超高速Dev.		○	○	.	○	○	○	○	○	.	○	○	.			○	.	○	.	○	○	○	○
	.		可視レーザ			QWレーザ			OEIC		可視短波長化			.						微小共振器、フォトニック結晶
	光デバイス		○	○	○	○	○	○	○	.	○	○	○	○	.			○	.	○	○	○	○	.
	.							HET, RTD			.				量子波・SET			.			ドット		量子計算
	量子デバイス		.					○	○	○	○	.	○	.	○	○	○	.			○	.		○
結晶成長	.											MOソース、ガスソース					.
	MBE		.			○	.					○	.	○	.	○	.
	.												V族MO		.			自己組織化			.
	MOVPE		.			○	.						○	○	.			○	.
	ALE		.					○	.	○	.						○	.
	.							GaAs on Si				.	GaN系、SiC系			.							ELO	.
	HMMHE		○	.				○	○	○	○	.				○	.						○	.
	選択成長		.								○	.	○	.	○	○	.
評価・加工	.						SR光利用		.		SPM		その場観察			.							ナノテク
	.					○	.	○	.	○	○	○	○	○	.	○	.		○	.		○	.	○