応用物理学会応用電子物性分科会主催
第1回応用電子物性スクール
「不揮発性メモリのための強誘電体薄膜の基礎と応用」
1. 日 時
1997年11月7日(金) 10:00〜17:00
2.場 所
機械振興会館 研修2号室(東京都港区芝公園3-5-8)
3.プログラム
10:00〜10:05
はじめに−本スクールの企画の意図と目的− 徳光永輔(東工大)
10:05〜10:45
なぜ今「強誘電体メモリ」なのか?
−強誘電体メモリの歴史的背景と現状− 垂井康夫(早大)
10:45〜11:25
なぜ強誘電体は不揮発性のメモリとなるのか?
−強誘電体物理の基礎− 石橋善弘(名大)
11:25〜12:05
強誘電体材料とはどのようなものか?
−ペロブスカイト型とビスマス層状構造− 竹中 正(東理大)
12:05〜12:20 質問コーナー
12:20〜13:10 昼食休憩
13:10〜13:50
不揮発性強誘電体メモリ集積回路とは?
−その構造と原理− 国尾武光(NEC)
13:50〜14:30
強誘電体メモリ集積回路はどのようにして作るのか?
−薄膜作製技術とプロセス技術− 藤崎芳久(日立)
14:30〜15:10
強誘電体の特性はどのように評価するのか?
−電気的特性測定法と疲労・インプリント現象− 青木克裕(TI)
15:10〜15:25 休憩と質問コーナー
15:25〜16:05
強誘電体メモリ製品化の現状と問題点は何か? 大槻達男 上本康裕
(松下電子)
16:05〜16:45
これからの強誘電体メモリ戦略と応用技術とは? 高須秀視(ローム)
16:45〜17:00 質問コーナー
4. 参加費(配布資料代・消費税含む)
応用電子物性会員 7,000円、学生 3,000円、その他 10,000円
(応用物理学会会員であっても分科会会員以外の方はその他となります。)
5. 定員
100名(定員になり次第締め切らせていただきます。)