応用物理学会応用電子物性分科会主催

　昨年度より開催しております応用電子物性スクールも２回目となりました。今回は、昨年に引き続き、近年不揮発性メモリ材料として脚光を浴びている強誘電体を取り上げ、その基礎から応用技術までをやさしく解説する下記のようなプログラムを設定致しました。新しく研究室に配属になった大学院生、これから強誘電体関連の開発研究をはじめる企業の方々を対象としておりますが、すでに研究者として活躍されている方やマネージャの方々のご参加も歓迎いたします。奮ってご参加下さい。

１.　日時：1998年１１月13日（金）　10：00〜17：25　

２．場所：大阪大学大学院基礎工学研究科シグマホール（豊中市 待兼山町1-3）　

　　　　（電車）阪急電車宝塚線　石橋駅（急行停車）下車　東へ徒歩約２５分

　　　　（モノレール）大阪モノレール　柴原駅下車　徒歩約５〜１０分

３．プログラム：

　　10:00〜10:05　

　　　はじめに　−本スクールの企画の意図−　　　　 　　　徳光永輔（東工大）

　　10:05〜10:55

　　　強誘電性発現のメカニズム 　　　　　　　　　　　　　八木駿郎（北海道大）

　　10:55〜11:45

　　　強誘電体のドメイン構造と物性

　　　　　 −現象論・シミュレーション・実験−　 　 　　　南部信次（京セラ）

　　11:45〜13:00　　　　昼食休憩

　　13:00〜13:50

　　　強誘電体薄膜のメモリへの応用と可能性 　　　　　　　奥山雅則（大阪大）

　　13:50〜14:40

　　　メモリ用強誘電体薄膜の作製技術　

　　　　　　　-MOCVD法を中心として- 　　　　　　　　　清水　勝（姫路工大）

　　14:40〜15:30

　　　高誘電率材料のDRAMへの応用 　　　　　　　　　　　堀川　剛（三菱電機）

　　15:30〜15:45　　　　休憩

　　15:45〜16:35

　　　キャパシタ型強誘電体メモリの原理と作製プロセス　　工藤　淳 （シャープ）　

　　16:35〜17:25

　　　トランジスタ型強誘電体メモリの原理と将来展望 　　　中村　孝（ローム）　　

４.　参加費（配布資料代・消費税含む）：

　　　応用電子物性会員　7,000円、学生　3,000円、その他　10,000円　

　　　（応用物理学会会員であっても分科会会員以外の方はその他となります。）

５.　テキスト：残部がある場合のみ、ご希望の方にテキストの別売りをいたしますので、

　　　　　　　 スクール終了後、下記事務局までお問い合わせ下さい。

　　　　　　　　１冊3,000円　（送料実費）

６.　定員：　100名（定員になり次第締め切らせていただきます。）