応用物理学会応用電子物性分科会主催

第3回応用電子物性スクール

「機能性酸化物の基礎とシリコン集積回路における役割」

 

 応用物理学会応用電子物性分科会では、研究会の開催などの活動を行ってまいりましたが、今回応用電子物性スクールを企画致しました。最近では、強誘電体や高誘電率材料をはじめとして、SiO2以外の酸化物材料がいよいよシリコン集積回路に利用されつつあります。本スクールでは、機能性酸化物の基礎とそれらの材用がどのようにシリコン集積回路に応用されていくのかを解説いたします。本スクールは、新しく研究室配属になった大学院学生、これからシリコン集積回路または酸化物材料の開発研究をはじめようとする企業の方々を対象としておりますが、すでに研究者として活躍されている方やマネージャの方々のご参加も歓迎いたします。奮ってご参加下さい。

 

1. 日時:2001年12月11日(火) 9:30〜17:00

2. 場所:機械振興会館地下3階第1研修室(東京都港区芝公園3−5−8)

3. プログラム:

  1. 9:30〜10:30 MOSFETゲート絶縁膜のシナリオ 高木信一(東芝)
  2. 10:30〜11:30 次世代MOSFETゲート絶縁膜用高誘電率材料 岩井洋(東工大)
    −昼食休憩−
  3. 12:40〜13:40 低誘電率材料と配線技術の展開 福田琢也(ASET)
  4. 13:40〜14:40 高誘電率酸化物のDRAMへの応用 稗田克彦(東芝)
    −休憩−
  5. 14:50〜15:50 強誘電体材料の基礎物性 島川祐一(NEC)
  6. 15:50〜16:50 強誘電体メモリの基礎と最近の展開 大谷成元(富士通)

4. 参加費(テキスト代・消費税含む):

応用電子物性分科会会員

応用物理学会会員

学生

一般

5,000円

8,000円

3,000円

12,000円

(応電賛助会社所属の方は応電会員,応物賛助会社所属の方は応物会員扱いとさせて頂きます。なお,非会員の方でも,本スクール参加申込時にご入会頂きますと会員扱いとさせて頂きます)

5. 参加締切り:

 2001年11月26日(月)

6. 定員:

 100名(定員になり次第締め切らせていただきます。)

7. テキスト:

 残部がある場合のみ、ご希望の方にテキストの別売りをいたしますので、スクール終了後、下記事務局までお問い合わせ下さい。1冊3,000円(送料実費)

8. 申し込み方法:

 E-mailまたはファックスにて、1. 参加者氏名、2. 勤務先・住所・電話・FAX・E-mail、3. 会員種別・会員番号、4. 振込額・振込予定日、5. 会員ご入会の有無を明記の上、下記事務局までお申し込み下さい。また、同時に、参加費を必ず参加者名で、下記口座までお振込み願います。原則として不参加の場合にも、参加費の払い戻しはいたしません。入金確認後、参加証をお送りいたします。

9. 申込先:

 応用物理学会 応用電子物性分科会スクール係(担当:伊丹)

 E-mail:divisions@jsap.or.jp、FAX: 03-3221-6245

10. 参加費振込先:

 三井住友銀行 九段営業部 普通預金

 (社)応用物理学会応用電子物性分科会 3910796

11. 問い合わせ先:

 徳光永輔(東工大) TEL:045-924-5084、E-mail:tokumitu@neuro.pi.titech.ac.jp

 山田 明(東工大) TEL:03-5734-2698、E-mail:yamada@solid.pe.titech.ac.jp