20巻1号（1991年1月） 目次
巻 頭 言
求むジェネラリスト
金原 粲
薄膜堆積過程の光計測
解 説
光およびプラズマを用いた薄膜堆積過程のレーザー分光計測
前田三男・岡田龍雄・村岡克紀
赤外半導体レーザー吸収分光法によるラジカルの計測
後藤俊夫
表面光吸収法によるエピタキシャル成長過程の観察
堀越佳治・川島 稔・小林直樹
最近の技術から
赤外反射吸収分光法によるa-Si:H 膜成長のその場観察
豊島安健
a-Si系薄膜気相成長の
in-situ
エリプソメトリー
畑中義式
フォトリフレクタンス法による半導体超格子の評価
松岡俊匡・谷口研二・浜口智尋
研 究
擬似階調領域の識別法における一提案
富川武彦・松尾一寿
さろん
第4回X線顕微鏡国際シンポジウム参加報告
青木貞雄
会よりのお知らせ
