日時：	2008年1月26日（月）9:30 - 16:50（終了後，懇親会）
	
場所：	機械振興会館　地下3階研修1号室
         (〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8）
         http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm)

テーマ：	「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」

共 催：	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
	兼　電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会

◆プログラム◆
1.  (9:30-9:40)
はじめに
　平本俊郎
　東京大学生産技術研究所

2.  (9:40-10:10)
「IEDM2008を振り返って」
　今井 清隆
　NECエレクトロニクス

3.  (10:10-10:40)
金属／high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす
影響とその抑制
　大毛利健治
　早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

4.  (10:40-11:10)
High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源
　喜多浩之，鳥海明
　東京大学大学院 工学系研究科マテリアル工学専攻

5.  (11:10-11:40)
Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源
−極薄SOIデバイスを用いた実験的考察−
　清水 健, 更屋拓哉，平本俊郎
　東京大学生産技術研究所

昼食  11:40 - 12:40

6.  (12:40-13:10)
CuInGaSe2薄膜を用いた高感度・広帯域イメー ジセンサ
　松島理、宮崎憲一、高岡将樹、前川拓滋、関口大志、淵上貴昭、守分政人、
　高須秀視（以上ローム）
　石塚尚吾、櫻井啓一郎、山田昭政、仁木栄（以上産総研）

7.  (13:10-13:40)
30 nmとそれ以降のFGタイプ超多値NANDフラッシュメモリ技術
　上垣内岳司
　東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター　フラッシュメモリデバイス　技術開発部

8.  (13:40-14:10)
三次元フィンデバイスへのコンフォーマルドーピングとプレーナデバイス製造のために
精密制御された極浅注入のためのＢ２Ｈ６／Ｈｅセルフレギュレーションプラズマ 
ドーピング技術
　佐々木　雄一朗
　（株）ユー・ジェー・ティー・ラボ

9.  (14:10-14:40)
40 nm Low Standby Power CMOS技術
　渡辺竜太, 大石周, 佐貫朋也, 君島秀樹, 岡本和之, 藤田悟, 福井大伸, 
　吉田健司,大谷寛,森藤英治, 小島健嗣, 猪原正弘, 五十嵐弘文, 本多健二, 吉村尚郎,
　中山武雄, **三宅慎一, **平井友洋, **岩本敏幸, **中原寧, 木下功一, 森本寿喜, 
　*小林幸子, *姜帥現, **池田昌弘, **今井清隆, 岩井正明, **中村典生, 松岡史倫
　東芝セミコンダクター社　システムLSI事業部
　*東芝セミコンダクター社　プロセス技術推進センター
　**NECエレクトロニクス　先端デバイス開発事業部

休憩　14:40-14:50

10.  (14:50-15:20)
コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析
　大内真一、松川貴、中川格、遠藤和彦、柳永 、関川敏弘、塚田順一、 石川由紀、
　山内洋美、石井賢一、鈴木英一、小池帆平、坂本邦博、昌原明植
　産総研

11.  (15:20-15:50)
低不純物チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のVthばらつき解析
　杉井信之、土屋龍太、石垣隆士、森田祐介、吉元広之、鳥居和功、木村紳一郎
　日立製作所　中央研究所

12.  (15:50-16:20)
飽和Vthばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価
　南雲俊治、宮村信*、竹内潔、武田晃一、羽根正巳
　NECエレクトロニクス、NEC*

13.  (16:20-16:50)
総合討論

17:00-　懇親会