日時：　平成22年12月20日（月）13:00〜18:10

会場：　早稲田大学 早稲田キャンパス 研究開発センター120-5号館
      　〒162-0041 東京都新宿区早稲田鶴巻町513
      　http://www.waseda.jp/jp/campus/waseda.html)
      　東京メトロ東西線「早稲田駅」3a出口徒歩3分

担当　： シリコンナノテクノロジー委員会

オーガナイザー：　高橋庸夫（北海道大学）、阪本利司（LEAP）

テーマ:　「エマージング技術とその回路技術」

参加費：　通常分科会員2000円，非分科会員4000円。

スコープ：　
不揮発メモリやシステムオンチップの性能・機能を、スケーリングとは異なる方
法で向上させる技術(エマージング技術)とそれを支える回路技術とを今回の講演
テーマとした。エマージング技術にとってまず重要なのは、その技術を最大限に
生かせ、独自の機能を如何に発揮できる応用は何か、あるは逆にメモリやシステ
ムオンチップに必要な技術は何かを見極めることであろう。ここで、エマージ
ング技術は、所望のコストで、CMOSとの混載・集積化できなくてはならない。次
に重要であるのは、エマージング技術を生かす、あるは、支える回路技術であ
る。エマージング技術による性能向上・多機能化を最大限に引き出すことが回路
技術に求められる。
今回、デバイス技術者、回路技術者の方々から、最新の研究をご紹介いただき、
エマージング技術を如何に実用化に繋げていくのかを議論したい。

◆プログラム◆
(1) はじめに　(13:00〜13:05)
阪本利司（LEAP）
(2)	講演者と講演題目（仮題）
（13:05〜18:10）　講演時間　40分/人程度を予定
13：05-13：45　福住 嘉晃（東芝）　3次元NANDフラッシュメモリ技術
13：45-14：25　杉林 直彦（NEC）　不揮発論理集積回路技術
14：25-15：05　水野 真（ルネサス）マイコン用Embbedded-Flash技術と今後の展望
15：05-15：20　休憩
15：20-16：00　関谷 毅（東大）　有機メモリを用いたフレキシブルエレクトロニクスの
　　　　　　　　　　　　　　　　インテリジェント化
16：00-16：40　高浦 則克（LEAP）　相変化デバイスの動向
16：40-17：30　小池 汎平（産総研)　4端子ダブルゲート素子の回路技術とFPGAへの応用
17：30-18：10　阪本 利司（LEAP）　プログラマブルLSIのためのNanoBridge技術