第１３回 研究集会詳細
１.日時：１９９９年１１月１２日(金) ２.場所：慶応義塾大学(日吉キャンパス 図書館地下ＡＶホール) (地図) ３.オーガナイザ：山田 啓作（株式会社東芝） ４.テーマ：シリコンウェーハの表面・界面 ５.スコープ： Si半導体の研究で表面の清浄化は半導体研究の途絶えたことのない永遠のテーマである。 さらに近年ますます薄膜化し、今や数原子層の酸化膜さえ実用化されようとしているSi酸化 膜は、よりいっそうその前処理としての洗浄技術に対する要求を強くしている。洗浄後の原 子レベルまで要求する平坦性、極限までの有機物除去などである。また、ついに導入された Cu配線プロセスに伴う、CuのSi表面からの除去技術は新たなテーマである。 本研究会は水洗浄と清浄化をメインテーマに最先端の研究者の方々に集まって頂き講演・ 議論・情報交換により、より知見を深めることを目的としている。 ６.プログラム： ９：４０〜９：５０ 開会の挨拶 東芝･液晶開発セ 山田啓作 ９：５０〜１０：２０ フッ素酸によるエッチング反応のメカニズム 千葉大学･薬学部、*ＴＩ筑波研究開発セ 星野忠次、*西岡泰城 １０：２０〜１０：５０ フッ素含有溶液中のSi表面における固液界面反応 (株)富士通研究所 杉田義博、渡邊悟 １０：５０〜１１：２０ 種々の水溶液中におけるシリコンの溶解過程と原子レベルでの表面構造について 大阪大学有機光工学研究セ 吹留博一、松村道雄 １１：２０〜１１：５０ 酸化膜前処理から見た水洗浄とその効果 東芝研究開発セ 臼田宏治 １３：００〜１３：３０ STMによるウェット洗浄Si(001)水素終端化表面の観察 大阪大･大学院工精密科学 遠藤勝義、有馬健太、片岡俊彦、森勇藏 １３：３０〜１４：００ 走査型プロ−ブ顕微鏡による、SiO2/Si構造の局所評価 電総研、*ＴＩ筑波研究開発セ 安藤淳、三木一司、*蓮沼隆、*西岡泰城、*坂本邦博 １４：００〜１４：３０ Siウェハ上の有機物分析におけるTDSとGC-MSの役割 NTTアドバンステクノロジ 材料開発＆分析セ 籔本周邦、高野明雄、小林尚吾、山脇正隆、篠塚功 １４：３０〜１５：００ 清浄表面･界面形成のための局所クリーンシステムとその応用例 電総研 原史朗 １５：００〜１５：３０ 有機物汚染によるSi表面の自然酸化膜成長への影響 東京エレクトロン クリーンテクノロジーセンター 林輝幸、斉藤美佐子、小野優子 １５：５０〜１６：２０ 洗浄液中Cuの吸着挙動 住友金属シチックス(事)研究開発セ 堀江浩、北村貴文、徳島かおり、宮崎守正 １６：２０〜１６：５０ 有機酸溶液を用いたウェーハ洗浄技術 三菱マテリアルシリコン研 高石和成、高田涼子、畑野桂司、原田剛 １６：５０〜１７：２０ 機能水洗浄における超音波の効果 東芝 生産技術セ、*芝浦メカトロニクス 速水直哉、松嶋大輔、*桜井直明、*小山智子 １７：２０〜１７：５０ Ｍジェットスクラバーによるパーティクル除去 三菱電機 ULSI技術開発セ 菅野 至 ７.懇親会：(１８：００〜) 場所：