日時：　2011年3月7日（月） 13:30-17:00

会場：　キャンパス・イノベーションセンター東京　多目的室２
      　〒105-0023　東京都港区芝浦3-3-6
      　JR田町駅より徒歩数分
      　http://www.cictokyo.jp/access.html)

担当　： 接合技術研究会

オーガナイザー　： 水野文二（UJTラボ）
コーディネーター　： 筒井一生（東工大）　品田賢宏（早大）

テーマ:　「先端CMOSデバイスに応えるドーパント制御・接合形成・評価技術」

趣旨：　
      　本研究集会では、先端CMOSデバイス開発のトレンドを把握すると共に、
      　次世代デバイス(SOI, FinFET, III-V FET)、アクティベーション、
      　キャラクタリゼーション等の接合形成技術ならびに関連技術の最前線を学び、
      　今後の研究開発の方向性を見出すことを目的とします。

◆プログラム◆
(1) 開会の辞(13:30-13:35)
　　筒井一生（東工大）
(2) 趣旨説明(13:35-13:40)
　　品田賢宏（早大）
(3) 先端CMOSデバイス開発のトレンド(13:40-14:10)
　　若林　整（ソニー）
(4) 極薄SOI FET接合技術(14:10-14:40)
　　島　明生（日立）
(5) FinFETへのドーピング(14:40-15:10)
　　泉田貴士（東芝）
　　休憩(15:10-15:20)
(6) III-V FET接合技術(15:20-15:50)
　　高木信一（東大）
(7) 超低温マイクロ波アニール技術(15:50-16:20)
　　山口　直（ルネサスエレクトロニクス）
(8) SSRMによるドーパント可視化技術(16:20-16:50)
　　張　利　（東芝）
(9) まとめ(16:50-16:55)
　　品田賢宏（早大）
(10)講評・閉会の辞(16:55-17:00)
　　水野文二（UJTラボ）

参加費：　分科会員2,000 円 非分科会員4,000 円
      　（参加費は当日お支払い下さい。）

      　研究集会への参加ご希望の方は、できるだけ事前に
      　ご氏名、ご所属を明記の上、電子メールにて
      　お申込み頂けると助かります。
      　なお、当日も参加を受け付けております。

懇親会：　
      　研究集会終了後、懇親会を予定しております。
      　参加のご意志を合わせてお知らせ頂ければ幸いです。

      　問い合わせ・参加申込先
      　品田賢宏（早大）shinada@aoni.waseda.jp