日時：　２０１２年２月１７日（金）13:00〜17:00

場所：　東京大学浅野キャンパス工学部9号館大会議室
（東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車）
http://sogo.t.u-tokyo.ac.jp/access.html

担当： 一木隆範（東京大学）

テーマ:　「新規プラズマ源とエッチング技術」

スコープ：  本年度秋冬に開催されたDPS,GEC, Plasma Conferenceなどの
プラズマプロセス関連の国際学会から新規プラズマ源とエッチング技術に
関する興味深い講演をセレクト。講師と参加者との活発なディスカッション
により、最新の研究成果の理解を深める。

共催： 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会

参加費： 通常分科会員2000円，非分科会員4000円

◆プログラム◆

13:00-13:05　開催の辞

13:05-13:35　マイクロ波プラズマによる大面積グラフェンCVD
金載浩（産業技術総合研究所）

13:35-14:05 　450mmウエハ向けECRプラズマ源の検討（仮）
前田賢治（日立製作所中央研究所）

14:05-14:55　【特別講演】Siエッチング表面反応解析：ラフネスと周期構造形成
斧　高一（京都大学工学研究科）

14:55-15:10　休憩

15:10-15:40　磁性材料のエッチングダメージ回復技術
木下啓蔵（東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター）

15:40-16:10　 SiCアニールに向けた大気圧RF容量結合プラズマ加熱
三宅賢稔（日立製作所中央研究所）

16:10-16:40　大気圧平行平板プラズマのシミュレーション
八木澤 卓（慶應義塾大学）

16:40-16:55　総合討論

16:55-17:00　閉会の辞

終了後　懇親会 (当日受付　参加費　2000円)