日時：　6月14日（木）　14:30-17:30
会場：　グランキューブ大阪（大阪国際会議場）
　　　　〒530-0005 大阪市北区中之島5-3-51
　　　　http://www.gco.co.jp/
オーガナイザー：水野文二（パナソニックFS）
コーディネーター：柴田　聡（パナソニック）、濱本 成顕(日新イオン機 器)、張　利（東芝）岡部　堅一（富士通セミコンダクター）
テーマ： 「イメージセンサー-パワーデバイスに今求められる接合形成技術」
主催：応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
共催：EEE EDS Kansai Chapter　
協賛：SEMIジャパン
参加費：分科会会員　2000円、非会員　4000円、　
懇親会：4000円　ホテル京阪天満橋「菊の間」
　　　　http://www.hotelkeihan-t.com/access/index.htm

プログラム
14：30〜14：40
☆　ご挨拶　　　　　　　　　　（東京工業大学　西村　正）
14：40〜15：10
☆　イメージセンサーデバイスにおける微量欠陥の影響と評価
　　　　　　　　　　　　　　　（パナソニック　柴田　聡）
15：10〜15：40
☆　フリーキャリア吸収法による微量欠陥評価
　　　　　　　　　　　　　　　（東京農工大学　鮫島俊之）
休憩　15：40〜15：55
15：55〜16：25
☆　カソードルミネッセンス(CL)法を用いたSiデバイス欠陥評価の現状と課題
　　　　　　　　　　　　　　　（東レリサーチ　杉江隆一）
16：25〜16：55
☆　走査型拡がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）によるＳｉデバイスの拡散層解析　
　　　　　　　　　　　　　　　（東芝研究開発センター　張　利)
16：55〜17：25
☆　�V-�X窒化物における欠陥評価最先端
　　　　　　　　　　　　　　　（東北大学　秩父重英）
☆　ご挨拶　水野文二（パナソニックFS　接合技術専門委員会委員長）
18:15〜
　懇親会　ホテル京阪天満橋　「菊の間」