1. 日時　：2012年7月5日(木) 10:00-16:00 
2. 場所　：機械振興会館 B3 研修1号室
(〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8  http://www.jspmi.or.jp/about/access.html) 
3. オーガナイザー：廣木 彰 <京都工芸繊維大学> 
4. 担当　：佐藤 成生 <富士通セミコンダクター>、山川 真弥 <ソニー>
5. テーマ：Beyond Mooreに向けたデバイスモデリング 
6. 参加費：分科会員  2000円、非分科会員  4000円 

プログラム 
0. モデリング研究委員会から						10:00-10:10
	廣木 彰 <モデリング研究委員会>
座長　宇野 重康 <立命館大学> 
1. 電流揺らぎによるナノデバイスの動作周波数限界 −EMC-MDシミュレーションによる検討−
									10:10-10:50
	神岡 武文 1,5、今井 裕也 2、鎌倉 良成 3,5、大毛利 健治 4,5、白石 賢二 4,5、
	丹羽 正昭 4,5、山田 啓作 4,5、渡邉 孝信 2,5 
	<早稲田大学 ナノ理工学研究機構 1、早稲田大学 理工学術院 2、
	大阪大学 大学院工学研究科 3、筑波大学 大学院数理物質科学研究科 4、JST-CREST 5>
2. NEMS-MOSFETハイブリッドデバイスモデリング				10:50-11:30
	土屋 良重 1、F. Arab Hassani 1、M. A. Garcia-Ramirez 1、永見 佑 2、小田 俊理 2、
	水田 博 1,3
	<サウサンプトン大・物理応用科学部・電子情報工学部門 1、
	東工大 量子ナノエレクトロニクス研究センター 2、北陸先端大 マテリアルサイエンス研究科3>
昼食　									11:30-13:00
座長　林 洋一 <ラピスセミコンダクタ株式会社> 
3. 計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ―抵抗変化メモリの知的設計―	13:00-13:40
	笠井 秀明、中西 寛、三輪 邦之、岸 浩史 
	<大阪大学大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻>
4. スピン注入型ＭＲＡＭのデバイスモデリングと回路シミュレーション 	13:40-14:20
	鎌倉 良成 1,2、平松 佑己 1、森 伸也 1,2 <大阪大学大学院工学研究科 1、JST-CREST 2>
休憩　									14:20-14:40
5. コンタクト深さが接合リークに与える影響のシミュレーション		14:40-15:20
	松澤 一也 1、中村 光利 2、執行 直之 2
 	<(株)東芝LSI基盤技術ラボラトリー 1、(株)東芝セミコンダクター＆ストレージ社 2>
6. MEMS等価回路モデルパラメータ抽出とその応用				15:20-16:00
	藤原 信代 1、浅海 和雄 1、鈴木 勝順 2、西森 勇貴 2、橋口 原 3
	<みずほ情報総研株式会社 1、技術研究組合BEANS研究所 2、静岡大学 電子工学研究所 3>

以上