テーマ　「配線・実装技術と関連材料技術」
日時：　2013年2月4日（月） 10:00-16:50
場所：　機械振興会館　地下3階研修1号室（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8）
        http://www.jspmi.or.jp/about/access.html) 
参加費：　会員 1,000円、非会員 2,000円
共催：　電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

【プログラム】 
−−−　開会の挨拶　（ 5分 ）　−−−

(1) 10:05 - 10:45
排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価
○川端章夫・二瓶瑞久・村上　智・佐藤元伸・横山直樹（産総研）

(2) 10:45 - 11:25
CuSn/InAu マイクロバンプにより誘起される3D-LSI の機械的応力と局所変形
○マリアッパン ムルゲサン・小柳光正（東北大）

(3) 11:25 - 12:05
Line-Edge Roughnessを考慮した微細金属配線のモンテカルロ・シミュレーション（仮題）
○来栖貴史・谷本弘吉・和田　真・磯林厚伸・梶田明広・青木伸俊・豊島義明（東芝）

−−−　昼食　（ 65分 ）　−−−

(4) 13:10 - 13:50
原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用
○多田宗弘・阪本利司・宮村　信・伴野直樹・岡本浩一郎・井口憲幸・波田博光（LEAP）

(5) 13:50 - 14:30
配線構造体内のCu／絶縁膜の局所変形と界面破壊現象（仮題）
○神谷庄司（名工大）

(6) 14:30 - 15:10
白色ＬＥＤ向け高放熱性ウエハーレベル・チップスケール・パッケージの開発
○秋元陽介・小島章弘・島田美代子・富澤英之・古山英人・小幡　進・樋口和人・杉崎吉昭・柴田英毅（東芝）

−−−　休憩　（ 15分 ）　−−−

(7) 15:25 - 16:05
高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼化技術
○神吉剛司・池田淳也・須田章一・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）

(8) 16:05 - 16:45
無電解めっき法を用いた高アスペクト比TSVへのCuシード層形成
○井上史大・新宮原正三（関大）・ハロルド フィリップセン（IMEC）

−−−　閉会の挨拶　（ 5分 ）　−−−

講演：発表 30 分 ＋ 質疑応答 10 分