テーマ　「SOI関連技術の最近の進展」
日時：　2013年2月22日（金） 13:00-17:40 (受付 : 12:45)
場所：　日本大学駿河台キャンパス１号館
        (〒101-8308 東京都千代田区神田駿河台1-8-14
         JR中央・総武線「御茶ノ水駅」、東京メトロ千代田線「新御茶ノ水駅」下車徒歩3分 都営新宿線「小川町駅」下車徒歩7分
         http://www.cst.nihon-u.ac.jp/map/suru.html) 
担当：　高橋芳浩 (日本大学)、森田行則 (産業技術総合研究所)
参加費：　通常分科会員 2000 円、学生 2000円、非分科会員 4000 円
趣旨：　微細シリコンデバイスにおける短チャネル効果抑制の観点からSilicon-On-Insulator(SOI)が採用され，
        すでに広い分野で用いられています。さらに、近年のデバイス高精細化は基板上デバイスにとどまらず
        シリコン層、埋込み絶縁(BOX)層の微細化をも加速しています。今回の研究会では極薄SOI，極薄BOX世代
        に到達が間近となったSOI基板技術、デバイス技術を取り上げました。またSOIデバイス，基板，評価技術
        に加え、最近の異種貼り合わせまでを含め、X-On-Insulatorとして包括的に議論するプログラム構成と
        いたしました。

【プログラム】 
はじめに (13:00-13:10) 
講演題目 (敬称略)
(1) 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOSデバイス 杉井信之 LEAP (13:10-13:50)
(2) Smart Cut技術による極薄Si/極薄BOXのSOI基板技術  吉見 信 SOITEC Japan (13:50-14:30)
(3) SOIデバイスの耐放射線強化技術-SOIはそのままではソフトエラーに強くない- 廣瀬和之 宇宙研(14:30-15:10)
		(休憩 20min 15:10-15:30)
(4) 立体構造デバイスの自己加熱：SOI構造とBulk構造の比較 内田 建 慶応大学 (15:30-16:10)
(5) SIMOXの過去と現在 小椋厚志 明治大学 (16:10-16:50) 
(6) Ge-OIおよびIII-V-OI基板及びデバイス技術の進展 前田辰郎 産総研 (16:50-17:30)
閉会にあたって (17:30-17:40)
懇親会: (18:00-20:00) 日本大学駿河台キャンパス学生会館。参加費3000円程度を予定。

【会場世話人】 
高橋芳浩 日本大学理工学部 電子情報工学科 教授 〒274-8501 千葉県船橋市習志野台7-24-1
TEL/FAX: 047-469-5459 E-mail: ytaka@ecs.cst.nihon-u.ac.jp