日　時：2013年 3月 7日（木）13:00-17:30

場　所：早稲田大学 研究開発センター120-5号館 大会議室 1F

　　　　〒162-0041　東京都新宿区早稲田鶴巻町513

　　　　http://www.waseda.jp/jp/campus/waseda.html

　　　　東京メトロ東西線「早稲田駅」3a出口徒歩3分

オーガナイザ：水野文二（パナソニック）

コーディネーター：右田真司（産総研）、品田賢宏（産総研）、筒井一生（東工大）、遠藤和彦（産総研）

 

テーマ：「新材料時代における接合技術の挑戦」

趣　旨：接合技術はデバイスの要です。Siを主体とする集積回路にも様々な新材料デバイスが統合される時代が到来しており、
        それぞれのデバイス系における接合技術の最新動向を把握することが、我々に求められています。今回の研究集会では
        Si、Ge、化合物、SiC、カーボン、酸化物といった様々なデバイスの接合技術を研究されている講師の方々に、ご研究
        内容をベースとしたホットな話題を提供いただくことを目的としています。

プログラム：

(1)13:00-13:30 「Si接合技術」 須黒恭一（東芝）

(2)13:30-14:00 「Ge接合技術」西村知紀（東大）

(3)14:00-14:30 「III-V接合技術」金相賢（東大）

(4)14:30-15:00 「SiC接合技術の進展」今泉昌之（三菱電機）

(5)15:20-15:50 「グラフェン接合技術」長汐晃輔（東大）

(6)15:50-16:20 「カーボン配線技術」酒井忠司（LEAP）

(7)16:20-16:50 「接合メモリReRAM」島久（産総研）

(8)16:50-17:20 「接合スイッチ」長谷川剛（NIMS）

 

参加費：分科会員 2,000円 非分科会員 4,000円

定員：80名

 

問い合わせ／申し込み先：

事前のお申し込みにご協力下さい。研究集会後、懇親会を予定しています。参加ご希望を合わせてお知らせ下さい。

品田賢宏（産総研）

E-mail  takahiro.shinada@aist.go.jp