日時：　平成25年6月18日 9:00~17:45
場所：　機械振興会館　（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8）
http://www.jspmi.or.jp/about/access.html

担当： 蓮沼隆(筑波大)、羽路伸夫（横浜国大）
テーマ:　「SiC-MOSゲートスタック技術の進展」
共催： 電子情報通信学会SDM研究会
参加費： 分科会会員2,000円、非会員4,000円



◆プログラム◆
●09：00〜14：55　高誘電率膜、界面制御、 メモリ技術 
(1) 09:00 - 09:20　酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御
○加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚　理・財満鎭明（名大）
(2) 09:20 - 09:40　テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
○吉田鉄兵・加藤公彦・柴山茂久・坂下満男・田岡紀之・竹内和歌奈・中塚理・財満鎭明（名大）
(3) 09:40 - 10:00　Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
○柴山茂久・加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚　理・財満鎭明
（名大）
(4) 10:00 - 10:20　Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響
○細井卓治・秀島伊織・箕浦佑也・田中亮平（阪大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大）
(5) 10:35 - 10:55　HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制
○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構）
(6) 10:55 - 11:15　ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化
○山本圭介・佐田隆宏・王　冬・中島　寛（九大）
(7) 11:15 - 11:35　Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks 
○Chih-Yu Chang・Masafumi Yokoyama・Sang-Hyeon Kim（The Univ. of Tokyo）・Osamu Ichikawa・Takenori Osada・Masahiko Hata（Sumitomo Chemical）・Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（The Univ. of Tokyo）
(8) 11:35 - 11:55 Fe3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調：第一原理計算による理論的検討
○小日向恭祐（千葉大）
(9) 11:55 - 12:15 Guideline of MONOS Memory as a Long Lifespan Archive Memory 
○Hiroki Shirakawa・Keita Yamaguchi・Katsumasa Kamiya・Shiraishi Kenji（Univ. of Tsukuba）
(10) 13:15 - 13:35 リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価
○牧原克典・福岡　諒・張　海・壁谷悠希（名大）・大田晃生（広島大）・宮崎誠一（名大）
(11) 13:35 - 13:55 Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定
石部貴史・中村芳明・○松井秀紀・竹内正太郎・酒井　朗（阪大）
(12) 13:55 - 14:15　シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果
○上沼睦典・岡本尚文・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大）
(13) 14:15 - 14:35　SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価
○大田晃生（広島大）・福嶋太紀・牧原克典（名大）・村上秀樹・東　清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）
(14) 14:35 - 14:55　SiCを用いた電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ
○須田良幸・小松辰実・山口信雄・佐藤芳彦・山田有季乃・山下敦史（東京農工大）

●15：10〜17：45　SiC-MOSゲートスタック技術の進展 
(1) 15:10 - 15:30　POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化
○矢野裕司・畑山智亮・冬木　隆（奈良先端大）
(2) 15:30 - 15:50　SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術
○細井卓治（阪大）・東雲秀司・柏木勇作・保坂重敏（東京エレクトロン）・中村亮太・中野佑紀・浅原浩和・中村　孝（ローム）・木本恒暢（京大）・志村考功・渡部平司（阪大）
(3) 15:50 - 16:10　SiC-MOSゲート構造の高信頼性化
○先�ｱ純寿（産総研）
(4) 16:10 - 16:30　熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術
○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村　孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大）
 (5) 16:45 - 17:05　SiC酸化メカニズム解明への試み　〜 Si酸化との共通点/異なる点〜
○土方泰斗・八木修平・矢口裕之（埼玉大）
(6) 17:05 - 17:25　FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析
○喜多浩之（東大/JST）・平井悠久（東大）
(7) 17:25 - 17:45　4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
○梅田享英（筑波大）・岡本光央・小杉亮治・原田信介（産総研）・荒井　亮・佐藤嘉洋（筑波大）・牧野高紘・大島　武（原子力機構）・奥村　元（産総研）