第163回 研究集会 詳細
第163回研究集会詳細
テーマ： 「先端CMOSデバイス・プロセス技術 (VLSIシンポジウム特集)」
日時： 2013年 8月 7日（水） 10:00-17:10
場所： 産業技術総合研究所 臨海副都心センター別館バイオ・IT融合研究棟 11F 会議室1
http://unit.aist.go.jp/waterfront/access/index.html
参加費： 分科会員 2000円、学生 2000円、その他 4000円
【プログラム】
(10:00-10:05) はじめに 坂本邦博（産総研）
1. (10:05-10:30) サブナノメートルEOT Ge n-MOSFETsにおける高電界電子移動度の向上
李 忠賢、魯 辞莽、田畑 俊行、西村 知紀、長汐 晃輔、鳥海 明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻, JST-CREST)
2. (10:30-10:55) プラズマ酸化GeOx界面層挿入によるひずみGeナノワイヤMOSFETの移動度およびカットオフ特性の改善
池田 圭司、上牟田 雄一、守山 佳彦、小野 瑞城、臼田 宏治、小田 穣、入沢 寿史、古瀬 喜代恵、手塚 勉 (産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター)
3. (10:55-11:20) 3次元集積回路のための多結晶ゲルマニウムトランジスタ
鎌田 善己、上牟田 雄一、池田 圭司、古瀬 喜代恵、小野 瑞城、小田 穣、守山 佳彦、臼田 宏治、小池 正浩、入沢 寿史、黒澤 悦男、手塚 勉 (産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター)
4. (11:20-11:45) 3次元積層集積化による高移動度InGaAs/Ge CMOSインバータの動作実証
入沢 寿史*、小田 穣*、上牟田 雄一*、守山 佳彦*、池田 圭司*、三枝 栄子*、W. Jevasuwan*、前田 辰郎*、市川 麿**、長田 剛規、秦 雅彦**、手塚 勉* (*産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター, **住友化学株式会社)
5. (11:45-12:10) 合成電界効果によるトンネルFETの性能向上
森田 行則、森 貴洋、右田 真司、水林 亘、田邊 顕人、福田 浩一、遠藤 和彦、松川 貴、大内 真一、柳 永、昌原 明植、太田 裕之 (産業技術総合研究所、ナノエレクトロニクス研究部門、連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター)
昼休み 12:10-13:30
6. (13:30-13:55) 2013 Symp. on VLSI Tech.を振り返って
平本 俊郎 (東京大学)
7. (13:55-14:20) ReRAMのフィラメント特性とリテンション特性に関する包括的検討
村岡 俊作1、二宮 健生1、魏 志強2、片山 幸治2、安原 隆太郎2、高木 剛2 (1 パナソニック AIS社 技術本部、2 パナソニック R&D本部)
8. (14:20-14:45) ビッグデータ時代における半導体パッケージ技術の挑戦
折井 靖光，堀部 晃啓，鳥山 和重，松本 圭司，小原 さゆり，末岡 邦昭，森 裕幸 (日本アイ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所)
休憩 14:45-15:00
9. (15:00-15:25) マルチ・ゲート酸化膜を備え、自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針
宮田 俊敬、川中 繁、外園 明、大黒 達也、豊島 義明 (東芝)
10. (15:25-15:50) 低雑音TIA-ICを用いたGHz帯域までのMOSFET雑音計測
大毛利 健治 [1,2]、蓮沼 隆 [1,2]、山本 聡 [3]、田村 吉紀 [3]、蒋 浩 [4]、石原 昇 [4]、益 一哉 [4]、山田 啓作 [1,2] (1 筑波大学、2 JST-CREST、3 ディー・クルー・テクノロジーズ、4 東京工業大学)
11. (15:50-16:15) 20nm世代におけるインターリーブワード線と階層ビット線構造を用いた0.6V, 2.1uW/MHz動作 128kb SRAM
藤原 英弘、藪内 誠、森本 薫夫、田中 浩司、田中 美紀、前田 徳章、塚本 康正、新居 浩二 (ルネサスエレクトロニクス株式会社)
12. (16:15-16:40) Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作
山本 芳樹、槇山 秀樹、篠原 博文、岩松 俊明、尾田 秀一、蒲原 史朗、杉井 信之、山口 泰男、水谷 朋子*、平本 俊郎* (超低電圧デバイス技術研究組合、*東京大学)
13. (16:40-17:10) 総合討論
17:10終了