第165回研究集会詳細

テーマ　「グラフェンナノデバイスの新しい展開」
日時：2013年11月11日（月）　12:55-17:45
場所 	産業技術総合研究所　つくば中央第２事業所
	本部・情報棟１F　ネットワーク会議室
http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html
担当　種村眞幸（名工大）、寒川誠二（東北大学）、遠藤和彦（産総研）
共催 ・フロンティアプロセス研究会、インテリジェントナノプロセス研究会


プログラム

12:55-13:00　開会のあいさつ
13:00　初貝安弘「グラフェンのディラックコーンとゼロエネルギー局在状態」
13:45　塚越一仁 「原子膜半導体の伝導と散乱」
14:30　松本和彦「修飾グラフェンのバイオセンサー応用」
15:30　増渕覚「グラフェンナノ構造における量子輸送現象」
16:15　寒川誠二「超低損傷中性粒子ビームエッチングによる無欠陥グラフェン
ナノ構造の形成とデバイスへの展開」
17:00　二瓶 瑞久「ナノカーボン材料によるLSI排熱応用技術」
17:45 閉会のあいさつ

　プログラム終了後に懇親会を開催致します（会費3,000円）

参加費 	シリコンテクノロジー分科会会員　2,000 円
　　	インテリジェントナノプロセス研究会会員　2,000 円
	フロンティアプロセス研究会　会員　2,000 円
　　	非会員　4,000 円

参加申込方法 	電子メールにてお申し込み下さい。
(当日現地申込でもご参加頂けます)

問合せ・申込先
氏名 	遠藤和彦（産業技術総合研究所）
TEL 029-861-3857　FAX 029-861-5170
e-mail 	endo.k@aist.go.jp