第169回 研究集会 詳細

第169回研究集会詳細 テーマ 「配線・実装技術と関連材料技術」 日時:2014年2月28日(金) 9:25-16:25 場所 機械振興会館 地下3階 研修1号室 http://www.jspmi.or.jp/about/access.html
参加費(会員 1,000円、非会員 2,000円) 担当 近藤英一(山梨大学) プログラム −−− 開会の挨拶 9:25-9:30( 5分 ) −−− (1) 9:30 - 10:10(40分) (招待講演)大口径中性粒子ビームCVDを用いたULK-SiOCH膜  ○寒川誠二(東北大)、菊池良幸 (東北大、東京エレクトロン) (2) 10:10 - 10:40(30分) (招待講演)先端Low-k配線技術における課題と指針  ○井上尚也(ルネサス) −−− 休憩 10:40-11:00( 20分 ) −−− (3) 11:00 - 11:30 (30分) (招待講演)三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価  ○水島賢子(富士通研、東工大)、金永ソク(東工大、ディスコ)、中村友二 (富士通研)、杉江隆一、橋本秀樹(東レリサーチセンター)、上 殿明良(筑 波大)、大場隆之(東工大) (4) 11:30 - 12:00 (30分) (招待講演)TSVの高速形成に向けた有機系導電インクの注入手法  ○川喜多仁 (物材研) −−− 昼食 12:00-13:00( 60分 ) −−− (5) 13:O0 - 13:50 (50分) (基調講演)集積回路のこれから  ○益一哉 (東工大) (6) 13:50 - 14:20(30分) (招待講演)インプラント法によるカーボンナノチューブプラグの作製とスパッ タアニール法による多層グラフェン配線との接合  ○佐藤元伸、高橋慎、二瓶瑞久、佐藤信太郎、横山直樹(産総研) −−− 休憩 14:20-14:40( 20分 ) −−− (7) 14:40 - 15:20 (40分) (招待講演)導電性下地上でのカーボンナノチューブの低温・稠密成長 ○野田 優(早大), 羅 ヌリ(早大、東大)、 白井 聖、 野村 桂甫(東大)、 長谷川馨(早大) (8) 15:20 - 15:50 (30分) (招待講演)気相堆積重合ポリイミドを用いたTSVライナー形成 ○福島 誉史、マリアッパン ムルゲサン、「 志哲、李 康旭、小蛛@光正 (東北大学) (9) 15:50 - 16:20(30分) (招待講演)デバイス積層応用に向けた低温超音波フリップチップ接合形成技術 による15 μmピッチ微細 Cu/Au 接続 ○青柳昌宏、Thanh-Tung Bui、 加藤史樹、渡辺直也、根本俊介、菊地克弥 (産総 研) −−− 閉会の挨拶 16:20-16:25( 5分 ) −−− 招待講演:発表 25 分+質疑応答 5 分 招待講演:発表 35 分+質疑応答 5 分 基調講演:発表 40 分+質疑応答 10 分