第175回研究集会詳細


日時：8月8日(金) 10:00-17:00
場所：産業技術総合研究所臨海副都心センター
　　　〒135-0064 東京都江東区青海2-4-7
　　　新交通ゆりかもめ「テレコムセンター」駅下車 徒歩3分
担　当: 寺内衛(甲南)




午前(10:00-12:05)
開会のご挨拶
１．IoT時代の高効率エレクトロニクスに向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOSの
　　超低電圧動作回路およびデバイス技術
蒲原史朗，杉井信之，山本芳樹，槇山秀樹，山下朋弘，長谷川拓実， 岡西　忍，柳
田博史，門島　勝，
前川径一，三谷　仁，山縣保司，尾田秀一，山口泰男，石橋孝一郎*，天野英晴**，
宇佐美公良+，小林和淑++，
水谷朋子#，平本俊郎#
超低電圧デバイス技術研究組合, *電気通信大学, **慶應義塾大学,+芝浦工業大学,
++京都工芸繊維大学, #東京大学生産技術研究所

２．バックバイアス制御によるマルチVt対応低ばらつきSOI-FinFET技術
松川　貴，福田浩一，柳　永��，遠藤和彦，塚田順一，山内洋美，石川由紀，大内真
一，水林　亘，右田真司，
森田行則，太田裕之，昌原明植
産業技術総合研究所　ナノエレクトロニクス研究部門

３．しきい値電圧自己調整MOSFETとSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作
上田晃頌*,**，鄭承旻*，水谷朋子*,Anil Kumar*，更屋拓哉*，平本俊郎*
*東京大学生産技術研究所，**中央大学理工学部

４．ランダム・テレグラム・ノイズにおける時定数ばらつきを支配する物理機構の考
察
陳 杰智，東 悠介，加藤弘一，三谷祐一郎
(株)東芝　研究開発センター　LSI基盤技術ラボラトリー

５．等電子トラップを用いたバンド間トンネル電流の増大技術とそのTFETへの適用
森　貴洋，森田行則，宮田典幸，右田真司，福田浩一，昌原明植，安田哲二，太田裕
之
産業技術総合研究所　ナノエレクトロニクス研究部門

昼休み(12:05-13:20)

午後前半(13:20-15:00)
６．Ge CMOS向け 活性化濃度向上技術とin-situプロセスを用いた低接触抵抗NiGeの
形成
三好秀典，上野哲嗣，秋山浩二，廣田良浩，貝塚考亘
東京エレクトロン株式会社

７．標準CMOS基板へのヘリウム3照射による局所半絶縁化と高Qインダクタを用いたRF
回路実装
李　寧*，岡田健一*，井上　剛#，平野拓一*，卜　慶紅*，タライル　ナラヤナン　
アラビンド*，
シリブラーノン ティーラショート*，坂根　仁#，松澤　昭*
*東京工業大学，#住重試験検査株式会社

８．低電力再構成回路を実現する低電圧・高信頼・相補型原子スイッチ技術
伴野直樹，多田宗弘，阪本利司，宮村信，岡本浩一郎，井口憲幸，野久竜彦，波田博
光
超低電圧デバイス技術研究組合

９．高信頼かつ低消費電力を実現する垂直STT-MRAMを用いた不揮発キャッシュメモリ
野口紘希，池上一隆，下村尚治，棚本哲史，伊藤順一，藤田忍
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

休憩(15:00-15:20)
午後後半(15:20-17:00)
10．Surrounded channel構造を有するc軸配向結晶In-Ga-Zn-O FETの50nmへの微細化
と
　　書き込み速度5nsec未満のメモリへの応用
小林由幸，松林大介，長塚修平，八窪裕人，熱海知昭，塩野入豊，本堂　英，山本　
勉，岡崎　豊，永井雅晴，
笹川慎也，伊藤大吾，畑　勇気，浜田　崇，荒澤　亮，花岡一哉，坂倉真之，須沢英
臣，山元良高，山�ｱ舜平
株式会社半導体エネルギー研究所

11．MONOSフラッシュメモリの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ
高速な不揮発FPGA
財津光一郎，辰村光介，松本麻里，小田聖翔，藤田　忍，安田心一
株式会社東芝

12．VLSI2014を振り返って
株式会社東芝　稲葉聡(tentative)

13．総合討論