第176回研究集会詳細
1. 日時 ：2014年11月6日(木) 10:00-15:30
          2014年11月7日(金) 10:00-14:40
2. 場所 ：機械振興会館 地下3階2号室
(〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8 http://www.jspmi.or.jp/about/access.html)
3. オーガナイザー：国清辰也 <ルネサスエレクトロニクス_SDM>, 廣木 彰 <京都工芸繊維大学>
4. 担当 : 安斎久浩 <ソニー_SDM>, 林 洋一 <ラピスセミコンダクタ>
5. テーマ ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般
6. 参加費 ：分科会員 2000円、非分科会員 4000円
7. 共催：電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)


プログラム

11月6日(木)
0. オープニングトーク 10:00-10:05
廣木 彰 <モデリング研究委員会>

座長 山川 真弥 <ソニー>
1. 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFET の解析モデルの検討
呂 鴻飛1, 佐藤伸吾1, 大村泰久1, アブヒジット マリック2 10:05-10:30
<1 関西大, 2 カルカッタ大>

2. Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFET の解析モデルの検討 10:30-10:55
大村泰久1, 佐藤伸吾1, アブヒジット マリック2
<1 関西大, 2 カルカッタ大>

3. モンテカルロ法によるSiC への3 次元不純物イオン注入計算 10:55-11:20
岡本 稔, 清水 守, 大倉康幸, 山口 憲, 小池秀耀
<アドバンスソフト>

4. SiC パワーデバイス(DioMOS)のSPICE モデルの構築 〜 双対性による逆方向電流のモデル化 〜
山本哲也, 澤井徹郎, 堀川信之, 神澤好彦, 水谷研治, 大塚信之, 藤井英治 11:20 -11:45
<パナソニック>

昼食 11:45-13:00

座長 国清 辰也 <ルネサスエレクトロニクス>
5. [招待講演］デバイス・シミュレーション 〜 30 年間の進展 〜 13:00-13:50
執行直之
<東芝>

6. [招待講演］計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展 13:50-14:40
影島博之
<島根大>

7.［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題 14:40-15:30
石原貴光, 安田直樹, 藤井章輔
<東芝>

11月7日(金)
座長 安斎 久浩 <ソニー>
8.［招待講演］SISPAD 2014 レビュー 10:00-10:50
園田賢一郎
<ルネサスエレクトロニクス>

9. 半導体Si 結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 10:50-11:15
末岡浩治1, 神山栄治1, イアン ファンヘレモント2
<1 岡山県立大, 2 ゲント大>

10. モンテカルロ法を用いたSi ダブルゲート構造MOSFET の準バリスティック輸送係数の抽出
土屋英昭1, 石田良馬1, 鎌倉良成2, 森 伸也2, 宇野重康3, ・小川真人1 11:15-11:40
<1 神戸大, 2 阪大, 3 立命館大>

昼食 11:40-13:00

座長 小田 嘉則 
11. ［招待講演］ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング 13:00-13:50
三木浩史
<日立>

12. ［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering
Mechanism 13:50-14:40
ChoongHyun Lee, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi