研究集会プログラム（敬称略）

日時：2015年1月27日(火) 10:00-17:10
会場：機械振興会館　地下3階研修1号室
　　　〒105-0011　東京都港区芝公園3-5-8
共催：電子情報通信学会SDM研究会

午前
10:00	HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化
	李秀妍, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
	東京大学大学院工学系研究科

10:25	Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果
	李 忠賢, 西村知紀, 魯 辞莽, 株柳翔一, 鳥海 明
	東京大学大学院工学系研究科

10:50	ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果
	金 閔洙1,2, 若林勇希1, 中根了昌1, 横山正史1,2, 竹中　充1,2, 高木信一1,2
	東京大学大学院工学系研究科1，JST-CREST2

11:15	（仮）フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証
	臼田宏治, 鎌田善巳, 上牟田雄一, 森　貴洋, 小池正浩, 手塚　勉
	産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門連携研究体

11:40	電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱解析
	鎌倉良成1,3, インドラ　ヌル　アディスシロ1, 久木田健太郎1, 脇村　豪1, 木場隼介2, 土屋英昭2, 森　伸也1,3
	大阪大学1，神戸大学2，JST-CREST3
				

午後前半
13:30	IEDM2014を振り返って
	高柳万里子
	IEDM Publicity Vice Chair，株式会社東芝

14:00	次世代3DICのためのCMOSウエハ高精度積層技術-システムとプロセス-
	岡田政志1, 菅谷 功1, 三ツ石創1, 中平法生1, 泉 重人1, 前田栄裕1, 岡本和也1,2
	株式会社ニコン1，大阪大学2

14:25	SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式３次元構造CMOSイメージセンサ
	後藤正英1, 萩原 啓1, 井口義則1, 大竹 浩1, 更屋拓哉2, 小林正治2, 日暮栄治2, 年吉 洋2, 平本俊郎2
	NHK放送技術研究所1，東京大学生産技術研究所

14:50	（仮）次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM
	池上一隆, 野口紘希, 鎌田親義, 天野　実*, 安部恵子, 櫛田桂一*, 落合隆夫*, 下村尚治, 板井翔吾, 才田大輔, 田中千加, 川澄 篤*, 原 浩幸*, 伊藤順一, 藤田　忍
	株式会社東芝研究開発センター，株式会社東芝半導体研究開発センター*

午後後半
15:30	n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
	水林 亘, 森 貴洋, 福田浩一, 柳 永��, 松川 貴, 石川由紀, 遠藤和彦, 大内真一, 塚田順一, 山内洋美, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, 昌原明植
	産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

15:55	16 nmノードMetal/high-k FinFET プロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM
	藪内 誠, 森本薫夫, 塚本康正, 田中信二, 田中浩司, 田中美紀, 新居浩二
	ルネサスエレクトロニクス

16:20	非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善
	松川 貴, 福田浩一, 柳 永��, 塚田順一, 山内洋美, 石川由紀, 遠藤和彦, 大内真一, 右田真司, 水林 亘, 森田行則, 太田裕之, 昌原明植
	産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

16:45	（仮）Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証
	森田行則, 森 貴洋, 右田真司, 水林 亘, 福田浩一, 遠藤和彦, 松川 貴, 大内真一, 柳 永��, 昌原明植, 太田裕之
	産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門