第182回 研究集会 詳細

表面・界面・シリコン材料研究委員会 研究集会 共催: 電子情報通信学会SDM研究会 日時: 平成27年6月19日(金) 9時30分〜17時30分 場所: 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 3階ベンチャーホール ≪交通≫名古屋市営地下鉄「名古屋大学」下車 徒歩5分(〒464-8603 名古屋市千種区不老町) http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html 担当: 喜多浩之 (東大)、影島博之(島根大) テーマ:「新しいデバイス材料とプロセス 〜パワーデバイス・2Dチャネル材料〜」 参加費:分科会会員2,000円、非会員4,000円 ◆プログラム◆ ●09:30〜11:50 パワーデバイス材料とMOS界面 (1) 09:30 - 09:50 [依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 ○谷田部然治・橋詰 保(北大) (2) 09:50 - 10:10 [依頼講演]容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 ○徳田 豊(愛知工大) (3) 10:10 - 10:30 [依頼講演]Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 ○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ(NICT)・倉又朗人・山腰茂伸(タムラ製作所)・東脇正高(NICT) −−− 休憩 ( 20分 ) −−− (4) 10:50 - 11:10 [依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 ○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡(三菱電機) (5) 11:10 - 11:30 [依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 ○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・瀧川亜樹・広瀬隆之(富士電機) (6) 11:30 - 11:50 [依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 ○竹内和歌奈(名大)・山本建策((株)デンソー)・坂下満男(名大)・金村司((株)デンソー)・中塚 理・財満鎭明(名大) −−− 休憩 ( 50分 ) −−− ●12:40〜16:30 MOSデバイス・メモリ高性能化 ― 材料・プロセス技術 (7) 12:40 - 13:00 光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 ○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一(名大) (8) 13:00 - 13:20 シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃(名大)・影島愽之(島根大)・遠藤哲郎(東北大)・白石賢二(名大) (9) 13:20 - 13:40 Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一(名大) (10) 13:40 - 14:00 ALDおよびECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御 ○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛(九大) −−− 休憩 ( 15分 ) −−− (11) 14:15 - 14:35 メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司(阪大) (12) 14:35 - 14:55 金属/超高Sn組成SnxGe1-x/Ge構造における電気伝導特性 ○鈴木陽洋(名大)・柴山茂久(東大)・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明(名大) (13) 14:55 - 15:15 Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 ○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理(名大)・財満鎭明(名大エコトピア) (14) 15:15 - 15:35 PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳・生田目俊秀(明大/物材機構)・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕(物材機構)・小椋厚志(明大) −−− 休憩 ( 15分 ) −−− (15) 15:50 - 16:10 Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO ased thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka(NAIST) (16) 16:10 - 16:30 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗(阪大) ●16:30〜17:30 2Dチャネル材料とデバイス (17) 16:30 - 16:50 [依頼講演]二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 ○野内 亮(阪府大) (18) 16:50 - 17:10 [依頼講演]原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ ○中払 周(物材機構)・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林 賢二郎・近藤大雄・高橋 慎(産総研)・黎 松林・山本真人・林 彦甫(物材機構)・上野啓司(埼大)・塚越一仁(物材機構)・佐藤信太郎・横山直樹(産総研) (19) 17:10 - 17:30 [依頼講演]High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 ○森 貴洋(産総研)・二之宮成樹(横国大)・内田紀行・久保利隆(産総研)・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士(物材機構)・田中正俊(横国大)・安藤 淳(産総研)