第184回 研究集会 詳細

第184回 研究集会詳細 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第184回研究集会「2015 VLSIシンポジウム」特集 1. 日時 :2015年8月17日(月) 10:00-16:50 2. 場所 :甲南大学ネットワークキャンパス東京 講義室 (〒100-0005 東京都千代田区丸の内1丁目7-12 サピアタワー10F TEL:03-6266-9520 FAX:03-6266-9522) http://www.konan-u.ac.jp/tokyo/access/index.html ☆ 免許証等の本人確認できるものをご持参の上、サピアタワー3階の総合受付でご提示いただき、10階にお上がりください。 3. 会場担当 :寺内 衛 <甲南大学> 4. テーマ :先端デバイスプロセス技術(2015 VLSI Symposia特集) 5. 参加費 :分科会員 2000円、非分科会員 4000円 プログラム 1. 信頼性を考慮した0.5nm EOTを有するゲルマニウムゲートスタックの設計と実証 10:00-10:30    魯辞莽、李忠賢、西村知紀、鳥海明   <東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻、JST-CREST> 2. 低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー 10:30-11:00    高木信一、金閔洙、野口宗隆、池尚口、西康一、竹中充   <東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻、JST-CREST> 3. Impact of Random Telegraph Noise on Write Stability in Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells at Low Supply Voltage in Sub-0.4V Regime 11:00-11:30    H. Qiu*, T. Mizutani*, Y. Yamamoto**, H. Makiyama**, T. Yamashita**, H. Oda**, S. Kamohara**, N. Sugii**, T. Saraya*, M. Kobayashi* and T. Hiramoto*   <*The Univ. of Tokyo and **LEAP, Japan> 昼食 11:30-13:00 4. high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS 13:00-13:30 山本芳樹、槇山秀樹、山下朋弘、尾田秀一、蒲原史朗、山口泰男、杉井信之*、水谷朋子**、小林正治**、平本俊郎**   <ルネサスエレクトロニクス, *日立製作所, **東京大学生産技術研究所> 5. Device Design Guideline for Steep Slope Ferroelectric FET Using Negative Capacitance in Sub-0.2V Operation: Operation Speed, Material Requirement and Energy Efficiency 13:30-14:00    小林正治、平本俊郎   <東京大学生産技術研究所> 6. トップゲート型セルフアラインInGaZnO-TFTの高性能化 シリコン互換性のあるソース・ドレイン寄生抵抗低減技術と極薄チャネル及び極薄BOXを用いた閾値電圧調整 14:00-14:30    太田健介、入沢寿史、佐久間究、田中千加、池田圭司、手塚勉、松下大介、齋藤真澄   <(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー> 休憩  14:30-14:50 7. 原子スイッチを用いた不揮発性論理回路とROMの混載マイクロプロセッサ 14:50-15:20    辻幸秀、白旭、宮村信、阪本利司、多田宗弘、伴野直樹、岡本浩一郎、井口憲幸、波田博光、杉井信之*   <日本電気株式会社 グリーンプラットフォーム研究所、日立製作所 エレクトロニクスイノベーションセンタ> 8. ライト速度2.8GB/sと消去速度670-MB/sを有する3次元縦型チェインセル相変化メモリアレイ 15:20-15:50    黒土健三、笹子佳孝、吉武 宏、峯邑浩行、安齋由美子、藤崎芳久、高濱 高、高橋俊和、峰 利之、島 明生、藤崎耕司、小林 孝   <株式会社日立製作所 研究開発グループ> 9. 2015 Symposium on VLSI Technologyを振り返って 15:50-16:20    稲葉 聡   <2015 Symposium on VLSI Technology Technical Program Chair、株式会社東芝 韓国社> 10. 総合討論 16:20-16:50 以上