第189回 研究集会 詳細
第189回 研究集会詳細
日時:2016年2月19日 13時より
場所:東京大学本郷キャンパス工学部9号館1階大会議室
(東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車)
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_10_j.html
主催:応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
協賛:応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
企画:応物シリコンテクノロジー分科会ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会
参加費:Siテクノロジー分科会会員 2000円,非会員 4000円
テーマ:「微細加工プロセスの最前線」
趣旨:今年度、プラズマ応用に係わる国際学会であるAVS(米国真空学会)、
DPS(ドライプロセスシンポジウム)、GEC(気体エレクトロニクス会議)で
優れた発表をされた8名の研究者にご講演いただき、デバイスプロセスと
プラズマ技術の最新動向を深く掘り下げて、有機的に議論する場を提供する。
プログラム(以下敬称略)
開会 13:00
■特別講演■
13:10-13:50 林俊雄(名古屋大学)「計算化学の発展と応用について」
■プラズマプロセスの基礎解析■
13:50-14:20 中崎暢也(京都大学)「シースの制御と斜め入射イオンの解析」
14:20-14:50 岩尾俊彦(東京エレクトロン)「ALDプロセスのシミュレーション解析」
Coffee Break 14:50-15:10
15:10-15:40 岩瀬 拓(日立製作所)「多結晶Si/SiO2スタック構造の高アスペクト比加工における表面反応層の役割」
■超微細加工とALE■
15:40-16:10 三好信哉(日立製作所)「SiN加工のALE」
16:10-16:40 辻晃弘(東京エレクトロン)「SAC加工のALE」
16:40-17:00 総合討論
閉会
会議終了後 懇親会 (当日受付 参加費 2000円)
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問い合わせ先:
東京大学大学院工学系研究科
一木 隆範