日時：2016年2月26日(金) 13:00〜18:00
場所：学習院大学　中央棟301教室　《交通》JR目白駅より徒歩1分
主催：応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
協賛：日本学術振興会第145委員会
企画：応物シリコンテクノロジー分科会研究委員会　表面・界面・シリコン材料研究委員会
参加費：分科会員2,000円，応物・協賛会員2,000円，その他4,000円
テーマ：「Si結晶成長・プロセスに関わるシミュレーション」

概要：シミュレーション技術は、近年のシリコンテクノロジーの発展に必要不可欠です。
シリコン単結晶成長はもちろんのこと、高純度ポリ原料作製工程やウェハのアニール、
洗浄プロセスやデバイスで必要となる酸化膜との界面に至るまで、シミュレーションに
よる解析が行われ、最適化が図られています。本研究集会では、結晶成長からデバイス
プロセスに至るまでの領域の上記課題に関わる学術機関およびシリコンメーカーの研究者
に最新の成果をご紹介いただきます。本研究集会を通じて、シミュレーション技術の重要性
を学び、次世代半導体デバイス対応のシリコンナノテクノロジーの展望について議論したい
と考えています。多くの方々のご参加をお待ちしております。

プログラム： 

13:00--13:05 はじめに

(1) 13:05--13:55
  シーメンスプロセスでの多結晶シリコン結晶成長解析 ○向山裕次（STR Japan） 

(2) 13:55--14:35
  シリコンウェーハの熱処理シミュレーション ○青木竜彦（グローバルウェーハズ・ジャパン）

(3) 14:35--15:15
  シリコンエピ成長シミュレーションの活用  ○羽深等（横浜国大院工学研究院） 
　                                             　 
休憩　15:15--15:30

(4) 15:30--16:10
  スピン洗浄装置の流体シミュレーション  ○山崎修（芝浦メカトロニクス）

(5) 16:10--16:50
  Si/SiO2 界面　〜酸化、電子状態、欠陥〜 ○金田千穂子（富士通研究所） 

(6) 16:50--17:30
  シリコン結晶における高温酸化による空孔注入機構の検討 ○中村浩三（岡山県大地域共同研究機構）

17:30--17:35  閉会にあたって

18:00 懇親会(当日受付：参加費4,000円)



------------------------------------------------
研究会問合せ先：
 太子敏則（信州大）
　　TEL: 026-269-5383,e-mail:taishi@shinshu-u. ac.jp
 泉妻宏治（グローバルウェーハズ・ジャパン）
　　TEL:025-256-3215,e-mail: izunome@sas-globalwafers.co.jp