第193回 研究集会 詳細

日時:2016年7月29日(金) 10:00-17:00 場所:機械振興会館 B3 研修B3-2号室 (〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8) http://www.jspmi.or.jp/about/access.html オーガナイザー: 廣木 彰 <京都工芸繊維大学> 担当: 宇野 重康 <立命館大学>, 林洋一 <ラピスセミコンダクター> テーマ: 半導体モデリング技術の新展開 参加費: Siテクノロジー分科会会員 2000円,非会員 4000円 プログラム 0. モデリング研究委員会から 10:00-10:05   廣木 彰 <モデリング研究委員会> 1. NRA(Nuclear Reaction Analysis)法を使った水素分布抽出について 10:05-10:45    東悠介1, 高石理一郎1, 鈴木正道1, 中崎靖1, 富田充裕1, 三谷祐一郎1, 松本益明2, 加藤弘一2, 小倉正平2, 福谷克之2   <1 (株)東芝研究開発センター, 2 東京大学 生産技術研究所> 2. 高不純物濃度Siナノ構造中における不純物のイオン化エネルギーの解析 10:45-11:25    田中貴久1,黒澤裕也2,角谷直哉2,高橋綱己1,小田俊理2,内田建1   <1 慶應義塾大学,2 東京工業大学> 昼食  11:25-13:00 3. GaN デバイスにおける電圧依存性容量モデルの検討 13:00-13:40    谷島琢磨, 中野誠彦   <慶應義塾大学> 4. 非常に狭いメサ構造をもつSi-IGBTのスケーリング限界について 13:40-14:20    永久克己1、酒井敦1、松浦仁2、中沢芳人2、秋山豊1、山口泰男1   <1 ルネサスエレクトロニクス、2 ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング> 5. フルバンドモンテカルロ法による4H-SiCのホットキャリア輸送解析 14:20-14:40   藤田流星1、小長晃輔1、上岡良季1、小谷岳生2、鎌倉良成1、森伸也1   < 1 大阪大学大学院工学研究科、2 鳥取大学大学院工学研究科> 休憩  14:40-15:00 6. ISFETの微細化に界面電荷が与える影響のシミュレーション 15:00-15:40    松澤一也   <東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー> 7. メニィコア時代の3次元ドリフト拡散モデルの並列化手法 15:40-16:20   鍾菁廣、小田中紳二   <大阪大学サイバーメディアセンター> 8. マルチ電荷収集ゲート構造をもつ超高速撮像素子のクロストーク解析 16:20-17:00    Anh Quang Nguyen1, Vu Truing Son Dao2, 下ノ村和弘1,鎌倉良成3,江藤剛治3   <1 立命館大学,2 Ho Chi Minh City International University,3 大阪大学> ------------------------------------------------ 問い合わせ先: 立命館大学 宇野重康 E-mail. suno@fc.ritsumei.ac.jp