日時：2016年8月23日(火) 10:00-16:00 

場所：甲南大学ネットワークキャンパス東京　講義室
        (〒100-0005　東京都千代田区丸の内1丁目7-12　サピアタワー10F　
          TEL：03-6266-9520　FAX：03-6266-9522）
         http://www.konan-u.ac.jp/tokyo/access/index.html

     ☆　研究集会開始時刻前(〜10:00)及び昼食時間帯(11:30〜13:00)は，サピアタワー3階の総合受付付近で寺内が受付を行ない，
　　入館証をお渡しさせていただきます。それ以外の時間帯は，免許証等の本人確認できるものをご持参の上，
　　サピアタワー3階の総合受付でご提示いただき，10階にお上がりください。
  	
     会場担当: 寺内衛 <甲南大学>
     テーマ:  先端デバイスプロセス技術（2016 VLSI Symposium特集）
     参加費：  Siテクノロジー分科会会員 2000円，非会員 4000円

 
プログラム 

1. EOTスケーリング及び量子井戸によるInGaAs TFETの性能向上	10:00-10:30
　　 安大煥, 池尚?, 竹中充, 高木信一
　　<東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻，JST-CREST>

2. 圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究	10:30-11:00
　　 柴山茂久，徐倫， *右田真司，鳥海明
　　<東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻，*産総研>

3. 薄膜HfO2を用いた強誘電トンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証	11:00-11:30
　　 藤井章輔, 上牟田雄一, 井野恒洋, 高石理一郎, 中崎靖, 齋藤真澄
　　<(株)東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー>

昼食		11:30-13:00

4. 2Xnm世代以降トランジスタ向けた，高速且つ低消費電力な1Xnmサイズの不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発	13:00-13:30
　　 才田大輔，柏田沙織，矢ヶ部恵弥，大坊忠臣，伊藤順一，安部恵子，野口紘希，藤田忍，*福本三芳，*三輪真嗣，*鈴木義茂
　　<(株)東芝　研究開発センター，*大阪大学基礎工学研究科>

5. クロスバー型アンチフューズメモリを用いた高集積プログラマブル論理回路		13:30-14:00
　　 安田心一，小田聖翔，松本麻里，辰村光介，財津光一郎，何英豪，小野瑞城
　　<(株)東芝　研究開発センター　LSI基盤技術ラボラトリー>

6. 最先端車載情報機器SoCのDVFS/AVS制御に適用した内蔵SRAMの電力削減方法	14:00-14:30	 
　　 新居浩二，薮内誠，石井雄一郎，*田中美紀，五十嵐満彦，*福岡一樹，田中信二
　　<ルネサスエレクトロニクス，*ルネサスシステムデザイン>

休憩　　14:30-14:50	

7. 2016 Symposium on VLSI Technologyを振り返って	14:50-15:30
　　 昌原明植
　　<2016 Symposium on VLSI Technology Technical Program Co-Chair，産総研>

10. 総合討論	15:30-16:00

以上



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問い合わせ先：
甲南大学   寺内衛 
E-mail. terauchi@ieee.org