1. 日時 ：2016年11月14日(月) 13:00-17:00

2. 場所 ：産業技術総合研究所　つくば中央第一
                  本部・情報棟6階　第１０会議室
                   （本部情報棟一階受付にお立ち寄りください。）
	           (〒305-8568 茨城県つくば市梅園１−１−１）
	 http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html



3. オーガナイザー：遠藤和彦 <産総研>、寒川誠二 <東北大学>
4. テーマ	：熱電変換材料開発とデバイス応用の最前線
5. 参加費 	：分科会員  2000円、非分科会員  4000円 


プログラム 

13:00-13:05 開会挨拶

13:05- 13:50 
[招待講演]　「熱電材料の開発動向」（仮題）　
篠原 嘉一（物質・材料研究機構　エネルギー・環境材料研究拠点)

13:50-14:35　 
[招待講演]「ナノシリコン薄膜熱電材料」 
内田紀行（産総研ナノエレクトロニクス部門）

14:35-15:20　 
[招待講演]「バイオテンプレート極限加工によるシリコンナノワ 
イヤーの作製と熱電変換素子への展開」　
菊池亜紀応、寒川誠二（東北大学流体科学研究所）

休憩

15:30-16:15  
[招待講演]「Si/Ge量子ドット超格子の熱電特性」　
山本淳（産総研省エネルギー部門）

16:15-17:00 
[招待講演]　「絶縁体上SiGe薄膜の合成技術と熱電変換応用」  
都甲薫（筑波大学）


以上