第199回 研究集会 詳細

日時:2017年2月17日(金曜日)13時より 場所:東京大学本郷キャンパス工学部9号館1階大会議室 (東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車) http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_10_j.html 主催:応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 協賛:応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 企画:応物シリコンテクノロジー分科会ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会 参加費:シリコンテクノロジー分科会会員 2000円、非会員 4000円(PE分科会会員のみの方はこちら) 参加受付:事前登録いただかなくても、当日、会場にて受付けております。 テーマ:「微細加工プロセスの最前線」 趣旨:プラズマ応用に係わる国際学会であるAVS(米国真空学会)、DPS(ドライプロセスシンポジウム)等で 優れた発表をされた7名の研究者にご講演いただき、デバイスプロセスとプラズマ技術の最新動向を深く掘り下げて、 有機的に議論する場を提供する。 プログラム (以下、敬称略) 開会 13:00 ◆新しいプラズマプロセス 「ClF3-Ar 中性クラスタービームによる斜めパターンエッチング」 瀬木利夫(京都大学) 「大電力熱プラズマジェットの生成とアモルファスSi膜結晶化への応用」 中島涼介(広島大学)  ◆特別講演 「ALE黎明期−デジタルエッチングとそのメカニズム」 森川泰宏(アルバック)、堀池靖浩(筑波大学) ◆ALE技術の最前線 「原子層堆積装置およびエッチング装置を組み合わせた極微細パターンニング形成技術の開発」 木原嘉英(東京エレクトロン宮城) 「GaN /AlGaNの原子層エッチング」 ラムリサーチ 大場  「Formation and Desorption Processes of Surface Modified Layers for High-throughput Atomic Layer Etching of SiN」 三好信哉(日立製作所) 「A novel atomic layer etching of SiO2 with alternating O2 plasma with fluorocarbon film deposition」堤 隆嘉(名古屋大学) 総合討論(終了予定 17時30分) 会議終了後 懇親会(当日受付 参加費 2000円) ------------------------------------------------ 問い合わせ先: 東京大学大学院工学系研究科 一木 隆範