第199回 研究集会 詳細
日時:2017年2月17日(金曜日)13時より
場所:東京大学本郷キャンパス工学部9号館1階大会議室
(東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車)
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_10_j.html
主催:応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
協賛:応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
企画:応物シリコンテクノロジー分科会ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会
参加費:シリコンテクノロジー分科会会員 2000円、非会員 4000円(PE分科会会員のみの方はこちら)
参加受付:事前登録いただかなくても、当日、会場にて受付けております。
テーマ:「微細加工プロセスの最前線」
趣旨:プラズマ応用に係わる国際学会であるAVS(米国真空学会)、DPS(ドライプロセスシンポジウム)等で
優れた発表をされた7名の研究者にご講演いただき、デバイスプロセスとプラズマ技術の最新動向を深く掘り下げて、
有機的に議論する場を提供する。
プログラム
(以下、敬称略)
開会 13:00
◆新しいプラズマプロセス
「ClF3-Ar 中性クラスタービームによる斜めパターンエッチング」 瀬木利夫(京都大学)
「大電力熱プラズマジェットの生成とアモルファスSi膜結晶化への応用」 中島涼介(広島大学)
◆特別講演
「ALE黎明期−デジタルエッチングとそのメカニズム」
森川泰宏(アルバック)、堀池靖浩(筑波大学)
◆ALE技術の最前線
「原子層堆積装置およびエッチング装置を組み合わせた極微細パターンニング形成技術の開発」 木原嘉英(東京エレクトロン宮城)
「GaN /AlGaNの原子層エッチング」 ラムリサーチ 大場
「Formation and Desorption Processes of Surface Modified Layers for High-throughput Atomic Layer Etching of SiN」 三好信哉(日立製作所)
「A novel atomic layer etching of SiO2 with alternating O2 plasma with fluorocarbon film deposition」堤 隆嘉(名古屋大学)
総合討論(終了予定 17時30分)
会議終了後 懇親会(当日受付 参加費 2000円)
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問い合わせ先:
東京大学大学院工学系研究科
一木 隆範