第２０回 研究集会詳細　

　１.日時：平成１２年９月２１日（木）　１２:３０ 〜 １７:００
　　　　　　　　　　　 　 ２２日（金）　１０:００ 〜 １７:００

　２.場所：機械振興会館地下３階研修１号室

　３.議題：プロセス・デバイス・回路シミュレーション
　　　　　　　　　　　　　　　（統計モデリングも含む）
  ４.プログラム：

２１日午後

１．SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
　　　　　　　　　　　　○竹村佳昭・長田健一・柳生正義・
　　　　　　　　　　　　　山口憲・牛尾二郎・丸泉琢也（日立）

２．クロストークノイズによる配線遅延の変動とノイズ波形のモデ
　　ル化に関する検討　　　　　　　　　　　○佐藤高史（日立）

３．VLSI配線におけるインダクタンス抽出方法の提案とそれを用い
　　た回路評価　　　　　○中島祐介・池田誠・浅田邦博（東大）

４．シュリンク設計向けクロック木生成　
　　　　　　　　　　　　　　　　○井上浩明・枝廣正人（NEC）

５．A more accurate skew model for well-balanced H-tree
　　clock distribution network
　　　　　　　　○Xiaohong Jiang, Susumu Horiguchi (JAIST)

６．統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システ
　　ムの構築　　○木寺真琴・谷沢元昭・園田賢一郎・
　　　　　　　　　石川清志・小谷教彦・犬石昌秀 （三菱電機）

７．プロセス変動に起因した回路特性変動のワーストケース解析手
　　法　　　　　　　　　　　　　　　　　　○山口哲哉（東芝）

８．Parametric BSGを用いたデザイン再利用
　　　　　　　　　○呉中林・坂主圭史・梶谷洋司（東京工業大）

９．境界線法を応用したコード表現による遺伝的フロアプラン手法
　　　　　　　　　　　○高橋仁・金杉昭徳・大嶋健司（埼玉大）

２２日午前

１．微細MOSFETのスケーリング理論　　　○鈴木邦広（富士通研）

２．MOSFET開発におけるTCAD適用手法
　　　　　○小松原弘毅・三浦規之・林洋一・福田浩一・谷島 司・
　　　　　　吉田匡宏（沖電気）・若山恵一（宮城沖電気）・
　　　　　　西谷明人（沖電気）・長友良樹（宮城沖電気）

３．TCADを用いた統計的手法による0.12μCMOSデバイスの設計
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　○福田智之（日立）

４．'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
　　　　　　　　　○船越七郎・寺内衛・寺田和夫（広島市立大）

５．advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の
　　向上　　　　　　　○田中克彦・野津明男・羽根正巳（NEC）


２２日午後

６．[招待講演] 100nmに向けたModeling & Simulationの挑戦
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　○小谷教彦（三菱電機）

７．濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーシ
　　ョン　○松沢一也・高木信一・高柳万里子・谷本弘吉（東芝）

８．量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイス・シミュレー
　　ション　　　　　　　　　○花尻達郎・新里昌弘・鳥谷部達・
　　　　　菅野卓雄（東洋大）・斉藤晶・赤木与志郎（シャープ）

９．Sub-100nm MOSFETにおけるソース/ドレイン電荷分配に対する
　　弾道輸送キャリアの寄与
　　　　　　○岡垣健・田中聖康・上野弘明・三浦道子（広島大）

10．ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィン
　　グがゲートからのトンネル電流に与える影響
　　　　　　　　　　　　　　　　○渡辺浩志・高木信一（東芝）

11．酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーショ
　　ンシミュレーション　
　　　　　　○江崎達也・山本豊二・中里博紀・羽根正巳（NEC）

12．ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュ
　　レーションによるメカニズムの検討
　　　　　　　　　　　　　　　○小宮健治・大村泰久（関西大）