1. 日時: 2017年3月1日(水) 13:30-17:30 (受付: 12:30〜) 
2. 場所: 学習院大学　南7号館101教室
          〒171-8588東京都豊島区目白1-5-1(JR山手線「目白駅」下車徒歩1分) 
	       http://www.gakushuin.ac.jp/univ/etc/access.html

  
3. 担当: 荒木浩司（グローバルウェーハズ・ジャパン） 
         太子敏則（信州大）

4. テーマ: 「シリコン結晶中の微量不純物およびキャリア寿命評価に関する新展開」 

5．参加費：通常分科会員 2,000円，応物・協賛会員 2,000円， 
　　　　　その他 4,000円 

6. 趣旨: シリコン単結晶成長では、p型／n型の電気的特性を決める
ドーパント不純物はさることながら、結晶成長プロセスで混入する
酸素および炭素不純物の濃度も精密に制御されており、そのうえで
点欠陥制御およびそれに関連する二次欠陥の制御や解析が可能となっ
ています。これにより、シリコンは精密な内因性・外因性点欠陥制御
がなされた「超高品質状態」を維持しての結晶の大口径化を可能とし、
それらが超LSI製造の大量生産を実現しています。今後、IoT関連等
で必要とされる高性能半導体デバイスを実現するためには、これを支
えるシリコンテクノロジーのさらなる発展も非常に重要であると考え
られます。現在もそのための研究開発が盛んに行われており、微量不
純物の超精密制御、その評価方法や新規電気的特性評価技術の確立、
新技術の探索が求められています。今回の応用物理学会シリコンテク
ノロジー分科会第200回研究集会では、「シリコン結晶中の微量不純
物およびキャリア寿命評価に関する新展開」と題して、結晶成長から
デバイスプロセスに至るまでの領域の上記課題に関わる学術機関、
シリコンおよびデバイスメーカーの研究者6名の方々に、最新の成果を
ご紹介いただきます。本研究集会を通じて、シリコン結晶中の微量
不純物の評価技術の重要性を学び次世代半導体デバイス対応のシリ
コンナノテクノロジーの展望についての活発な議論を期待していま
す。多くの方々のご参加をお待ちしております。


7. プログラム (敬称略) 
　はじめに (13:30--13:35) 
　(1) 13:35--14:15 パルス光伝導法による酸化膜評価技術の開発
　　○久保田弘（熊本大学） 
　(2) 14:15--14:55 平行デュアルレーザビーム法による自由キャ
リアのバルク寿命評価
　　○金田寛（九州工業大学） 
　(3) 14:55--15:35 断面CL法によるシリコンデバイス中の点欠陥
分布の半定量評価
　　○杉江隆一（東レリサーチセンター） 
　休憩（15:35--15:50） 
　(4) 15:50--16:10 電子線照射発光活性化PL法によるCZ-Si結晶中
の酸素析出過程の解析
　　○樋口史仁（明治大学） 
　(5) 16:10--16:50 DLTS法を用いたSi基板中の微量炭素測定
　　○江里口　和隆（SUMCO） 
　(6) 16:50--17:30 Si電力素子特性のキャリアライフタイム制御後
安定性に対する残留微量酸素・炭素の影響：ウェハ母材依存性
（エピ，FZ，MCZ） 
　　○湊忠玄（三菱電機） 
　閉会にあたって (17:30--17:35) 

8. 懇親会: (18:00--20:00) 学習院大学内学生食堂．参加費4,000円 

【会場世話人】 
　渡邉匡人（学習院大学 理学部 教授） 
　E-mail:masahito.watanabe@gakushuin.ac.jp 
　TEL:03-3986-0221(内6459) 
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