１．日時：2月6日（木）9:00〜17:00

２．場所：東京大学農学部弥生講堂・一条ホール（文京区弥生1-1-1） (地図)
　地下鉄南北線「東大前」下車徒歩１分，
　地下鉄千代田線「根津」下車徒歩７分

３．オーガナイザ：鳥海明（東京大学）

４．テーマ：「最先端ＣＭＯＳ技術（IEDM報告特集）」

５．共催：なし

６．プログラム

09:45 - 10:00　　開会の挨拶　　　　　鳥海明（東京大学）

先端ＵＬＳＩ（4件）

10:00 - 10:30
１：高集積メモリー混載 65nm CMOSテクノロジー(CMOS5)
柳谷成俊，松田　聡，稲葉　聡，高柳万里子，水島一郎，大内和也，岡野王俊，
高橋一美，森藤英治，神田正彦，松原義徳，土生真理子，西郡正人，本多健二，
津野仁志，安本佳緒里，山本武志，檜山　薫，国分弘一，鈴木泰成，吉川淳二，
桜井正臣，石塚竜嗣，生田佳嗣，森内真優美，岸田基也，松森久和，原川 秀明，
親松尚人，長島直樹*，山田誠司，野口達夫，岡本　裕*，各務正一
（株）東芝、ソニー（株）*

10:30 - 11:00
２：0.18um混載LSI用高信頼性強誘電体プロセス
堀井義正、彦坂幸信、伊藤昭男、松浦克好、倉澤正樹*、小室玄一、丸山研二*、
恵下　隆、柏木茂雄
富士通（株）、富士通研*

11:00 - 11:30
３：新構造スタックセルを用いたLogic混載用4Mb FeRAM
林　孝尚、五十嵐泰史、猪俣大介、一森高示、三橋敏郎、足利欣哉、伊東敏雄、
吉丸正樹、長田昌也*、御手洗俊*、後醍院弘典*、長浜　勉*、磯辺千春*、守屋博之*、
庄子光治*、伊藤康幸*、黒田英明*、佐々木正義*
沖電気工業（株）、ソニー（株）*

11:30 - 12:00
４：HfO2 MIM容量とBSTSOI(TM)を用いた超高性能0.13um混載DRAM技術
青木康志、上田岳洋、白井浩樹、佐甲　隆、北村卓也、新井紳太郎、坂尾眞人、
井上　顕、竹内麻美、杉村啓世、浜田昌幸、和氣智子、成竹功夫、飯塚敏洋、
山本朝恵、安藤公一、野田研二
ＮＥＣエレクトロニクス

12:00 - 13:00  Lunch

新デバイス　＆　極微細デバイス（5件）

13:00 - 13:30
５：プラズマ酸化とエッチングによりリセスドチャネルを形成した
高性能ダマシンゲートCMOSFETs
松尾浩司、関根克行、齋藤友博、中嶋一明、須黒恭一、綱島祥隆
（株）東芝

13:30 - 14:00
６：15nm厚Siチャネル縦型ダブルゲートMOSFET(IMOSFET)
昌原明植、松川　貴、石井賢一、柳　永��、田上尚男、坂本邦博、関川敏弘、
山内洋美、金丸正剛、鈴木英一
産業技術総合研究所

14:00 - 14:30
７：14nmゲートCMOS技術(poly-SiGeゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上)
外園　明、大内和也、高柳万里子、渡辺由美、馬越俊幸、加藤善光、清水　敬、
森　伸二、小熊英樹、佐々木俊行、吉村尚郎、宮野清孝、安武信昭、須藤裕之、
安達甘奈、福井大伸、渡辺　健、玉置直樹、豊島義明、石内秀美
（株）東芝

14:30 - 15:00
８：窒素注入技術を用いた40nm pMOSFETのための
エクステンション横方向プロファイル制御技術
籾山陽一、岡部堅一*、中尾宏、加勢正隆、児島学、杉井寿博
富士通（株）、富士通VLSIテクノロジ*

15:00 - 15:30
９：小さいナロー効果と高い正孔移動度を有する<100>チャネルSOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
松本拓治、ハイ　ダン、内田哲也、太田和伸、平野有一、佐山弘和、岩松俊明、
一法師隆志、尾田秀一、前川繁登、井上靖朗、西村　正
三菱電機（株）

15:30 - 15:45  休憩

（High-K Integration & Thin Oxides）（3件）

15:45 - 16:15
１０：擬似絶縁破壊による消費電力増加のLSI信頼性への懸念
細井卓治、Pascal Lo Re、鎌倉良成、谷口研二
阪大院工

16:15 - 16:45
１１：極薄SiO2膜およびSiON膜のNBT劣化とその機構の考察
三谷祐一郎、長嶺　真、佐竹秀喜、鳥海　明*
（株）東芝、東大院工*

16:45 - 17:15
１２：SiN/HfO2/SiON積層ゲート絶縁膜の電気特性と熱的安定性
森崎祐輔、青山敬幸*、杉田義博、入野　清、杉井寿博、中村友二
富士通（株）、富士通研*

17:15 - 17:45　まとめ、鳥海

17:45 - 20:00  懇親会　
（IEDM参加者放談会＆今後のULSIデバイス研究会に対する期待を飲みながら話す場としたい。
話題提供者／講演者＋高木、土屋、鳥海＋誰でも）