１. 日時：2003年6月26(木)-27日(金)

２. 場所：広島大学　学士会館２階レセプションホール
        　東広島市鏡山１丁目２番２号
        　TEL（0824）24-6992
交通
【ＪＲ山陽本線を利用する場合 】
　　ＪＲ西条駅 バス「西条駅→広島大学（循環便）」 広島大学
　　（広大中央口）下車 (所要時間約２０分) 
【山陽新幹線を利用する場合 】
　　新幹線東広島駅 バス「東広島駅→広島大学」 広島大学（広大中央口）　下車
　　(所要時間１５分) 
【広島空港を利用する場合 】
　　広島空港 バス「空港→ＪＲ白市駅」 ＪＲ山陽本線「白市駅→西条駅」
　　西条駅 バス「西条駅→広島大学（循環便）」 広島大学（広大中央口）　　
　　下車 (所要時間約２０分) 
*会場へのアクセスについては、下記のホームページをご参照下さい。
http://www.bur.hiroshima-u.ac.jp/~koho/koutsuu/koutsuu-annai.html
また、キャンパスMAPは以下でご覧いただけます。
http://www.bur.hiroshima-u.ac.jp/~koho/koutsuu/img/koutsuu.jpg

３.オーガナイザ−：金田千穂子（富士通研究所）影島博之(NTT)

４.共催：電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会

５.プログラム

6月26日（木）：電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」

13：00-13：20
電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析
○世古　明義、*渡辺　行彦、近藤　博基、酒井　朗、**財満　鎭明、安田　幸夫
名古屋大学大学院工学研究科、*豊田中央研究所、
**名古屋大学先端科学技術共同研究センター

13：20-13：40
Y2O3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定
○大田 晃生、山岡 真左則、中川 博、村上 秀樹、宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科

13：40-14：00
HfO2のMOCVD成膜におけるH2O酸化剤の効果
○*徳光 永輔、中山誠、日野 史郎、高橋 健治、舟窪 浩
*東北大学／東京工業大学, 東京工業大学

14：00-14：20
プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、
低消費電力ＣＭＯＳデバイス向けＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜の形成
○犬宮 誠治、関根 克行、丹羽 祥子、金子 明生、佐藤 基之、渡辺 健、
福井 大伸、鎌田 善己、小山 正人、西山 彰、高柳 万里子、江口 和弘、
綱島 祥隆
（株）東芝

14：20-14：40
ZrO2ゲート絶縁膜のアニ?ル効果
◯石井紘之、中島安理
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

14：40-15：00
制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性
○薮内 誠、河合 賢太郎 、永田 喜也 、佐々木 公洋、畑 朋延 
金沢大学大学院自然科学研究科

15：00-15：20　休憩（20分）

15：20-15：40 
ZrO2/Si(100)系の界面遷移層評価
○中川 博、大田 晃生、長町 学、竹野 文人、村上 秀樹、宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科

15：40-16：00
窒素励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析
○岡本 武士、今奥 崇夫、矢野 裕司、畑山 智亮、浦岡 行治、冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学研究科

16：00-16：20
AlOx:N/Si(100)界面の熱的安定性評価
○竹野 文人、中川 博、大田 晃生、村上 秀樹、宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科

16：20-16：40
Mo仕事関数シフトへの窒素プロファイルの影響
○日野 真毅、天田 高明、前田 展秀、芝原 健太郎
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

16：40-17：00
パルスレーザ蒸着(PLD)法による(Ba,Sr)TiO3薄膜の作製における下部電極について
○小田 康平、西山 樹、衛藤 浩之、三浦 直人、荒川 太郎、羽路 伸夫
横浜国立大学大学院工学研究院

17：00-17：20
BST電気特性の下部電極依存性
○大和 昌樹、吉川 公麿
広島大学ナノデバイスシステム研究センター

17：30-19：30　懇親会　
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6月27日（金）：シリコンテクノロジー分科会　研究集会
「極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術」

スコープ：
ゲート絶縁膜・シリコン界面の制御が微細デバイスにとって重要であ
ることは言うまでもないが、適切な制御のためには、膜および界面の構造、欠
陥、拡散などについての理解が欠かせない。本研究会では、構造評価をはじめと
する各種評価・解析により、SiO2から高誘電率材料までの絶縁膜・界面に関する
理解を深めるとともに、各絶縁膜材料間の相違についても整理する。

9：00-9：25
SiO2中のB、P、As、Sbの拡散の雰囲気依存（仮題）
○青山 敬幸、田代 浩子、鈴木 邦広
(株)富士通研究所

9：25-9：50
SiO2中のB拡散の第一原理計算
○大谷 実、白石 賢二、押山 淳
筑波大学

9：50-10：30　（特別講演）
高輝度放射光を利用した光電子分光法による半導体の電子構造評価
○高田 恭孝
理化学研究所/SPring-8

10：30-10：40　休憩

10：40-11：05
高分解能RBS/channeling を用いたSiO2/Si(001)の界面分析
○中嶋 薫、羽野 仁彦、鈴木 基史、木村 健二
京都大学大学院工学研究科

11：05-11：30
極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造
○野平 博司、白石 貴義、高橋 健介、*柏木 郁未、**大島 千鶴、***大見 俊一郎、
**岩井　洋、****城森慎司、****中嶋　薫、****鈴木基史、****木村健二、服部健雄
武蔵工業 大学工学部、*東工大 総理工、**東工大 フロンティア研、***東工大総理工、
****京都大学大学院工学研究科

11：30-11：55
高分解能角度分解光電子分光法によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・
シリコン界面の解析
○尾嶋 正治、豊田 智史、奥村 務、岡林 潤、組頭 広志、*小野 寛太、**平下 紀夫、
**丹羽 正昭、**臼田 宏治
東京大学大学院工学系研究科、*KEK物構研、**STARC

11：55-12：20
位相敏感Ｘ線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定
○矢代 航、三木 一司、*隅谷 和嗣、**依田 芳卓、*高橋 敏男、***高橋 健介、
***服部 健雄
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門ナノマテリアル研究所、 
*東京大学物性研究所、**（財）高輝度光科学研究セン
ター、***武蔵工業大学工学部

12：20-13：20　昼休み

13：20-13：45
ゲート絶縁膜・シリコン界面欠陥、膜中欠陥のESR観察
○山崎 聡、二子 渉、水落 憲和
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

13：45-14：10
Y2O3およびYAlOx膜の熱処理依存性評価
○泉 由貴子、山元 隆志、橋本 秀樹、*小林 一三、*大沢 正典、**杉田 義博、
**入野 清
（株）東レリサーチセンター、*日本酸素（株）、**富士通（株）

14：10-14：35
HfSiOx薄膜のXAFSによる局所構造解析
○上原 康、河瀬　和雅、芝野 照夫、*土本 淳一
三菱電機 先端総研、*ルネサステクノロジ

14：35-15：00
反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiOx膜の評価
○上牟田 雄一、鈴木 正道、井野 恒洋、小池 正浩、西山 彰
(株)東芝 研究開発センター ＬＳＩ基盤技術ラボラトリー

15：00-15：25
LL-D&A法で作製したHfAlOx膜の物性と電気特性
○生田目 俊秀、岩本 邦彦、富永 浩二、*安田 哲二、*太田 裕之、久松 裕和、
安田 直樹、*水林 亘、*堀川 剛、*鳥海 明
MIRAI-ASET、*MIRAI-ASRC, AIST

15：30-16：30
見学会：ナノデバイス・システム研究センター、放射光科学研究センター

研究会に関するお問い合わせ先：
応物、シリコンテクノロジー分科会側
　金田千穂子（富士通研究所）           kaneta.chioko@jp.fujitsu.com
　影島愽之 （ＮＴＴ 物性科学基礎研究所）kages@will.brl.ntt.co.jp

信学会、SDM側
　宮崎誠一(広島大）　       miyazaki@sxsys.hiroshima-u.ac.jp
　西岡泰城（日本大)　       nishioka@eme.cst.nihon-u.ac.jp
　羽路伸夫(横浜国大）　     nob@dnj.ynu.ac.jp
　神力博(東京エレクトロン） Hiroshi.Shinriki@tel.co.jp