１. 日時：2003年7月25日（金）　10:00 - 17:10

２. 場所：東京大学生産技術研究所１会議室
　　　　（〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1) 
　　　　　最寄り駅：井の頭線　駒場東大前駅
　　　　　　　　　　小田急線　東北沢駅
　　　　　　　　　　小田急線・地下鉄千代田線　代々木上原駅）  
          http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/

３. プログラム

			
10:00	はじめに

10:10	トリプルオキサイドを用いた低電力SoC向け65nmCMOS技術
	深井利憲1)、中原　寧1)、寺井真之1)、小山　晋2)、保国裕美2)
	鈴木達也2)、永瀬正俊2)、峰地　輝2)、松田友子2)、田村貴央2)
	小場文博2)、小野田中2)、山田泰久2)、小森基史2)、小島義克2)
	山夕貴子2)、池田昌弘2)、工藤智彦2)、山本豊二1)、今井清隆2)
	1) ＮＥＣ、シリコンシステム研究所
	2) ＮＥＣエレクトロニクス、先端プロセス事業部

10:40	縦方向スケーリングとストレス制御による高性能35nm CMOS技術
	後藤賢一、田川幸雄、大田裕之、森岡博、S.ピディン、籾山陽一、
	*岡部堅一、小倉輝稲垣聡、**添田武志、**菊地吉男、加勢正隆、
	橋本浩一、児島学、杉井寿博
	富士通株式会社
	富士通VLSI��*
	�兜x士通研究所**

11:10	超薄ひずみSOI-CMOSの電気特性と回路性能の温度依存性
	前田辰郎, *水野智久, *杉山直治, *手塚勉, *沼田敏則, *古賀淳二, *高木信一
	半導体MIRAIプロジェクト
	産業技術総合研究所　次世代半導体研究センター  &  * ASET

11:40　　pMOSFETのNBTI現象におけるゲート絶縁膜中のトラップ生成
	○辻川 真平、渡邉 喜久雄*、土屋 龍太*、大西 和博、由上 二郎
	ルネサステクノロジ、*日立
			
12:10	昼　食
						
13:20	65nmノード世代に向けたHfSiONゲート絶縁膜のCMOSFET設計
	渡辺健、高柳万里子、飯島良介*、石丸一成、石内秀美、綱島祥隆
	（株）東芝　セミコンダクター社　SoC研究開発センター
	*（株）東芝　研究開発センター

13:50	リモートクーロン散乱を抑制した高移動度HfSiO膜MISFET
	森岡あゆ香，渡辺啓仁，宮村信，辰己徹，西藤哲史，小倉卓，
	岩本敏幸，五十嵐多恵子，斎藤幸重，岡田裕子，渡部平治，
	望月康則，最上徹
	NECシリコンシステム研究所

14:20	65nm世代(CMOS5)におけるSoC向け高性能・高集積混載SRAM技術）
	神田昌彦、森藤英治、西郡正人、藤本幸宏、植松政也*、高橋一美、
	津野仁志、岡野王俊、松田聡、親松尚人、高橋洋*、長島直樹*、
	山田誠司、野口達夫、岡本裕*、各務正一
	(株)東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部
		*(株)ソニーセミコンダクタネットワークカンパニー テクノロジー開発本部

14:50	休憩	

15:10	SOI上のDRAM混載に向けたFBC(Floating Body Cell)技術
	井納和美、篠智彰、山田浩玲、中島博臣、南良博、山田敬、
	大澤隆、*東知輝、藤田勝之、池橋民雄、梶山健、福住嘉晃、
	浜本毅司、石内秀美			
	(株)東芝　セミコンダクター社　SoC研究開発センター
	*東芝マイクロエレクトロニクス（株）

15:40	電荷保持層にHigh-k膜を用いた多ビットSONOS型フラッシュメモリー
	杉崎太郎、小林昌宏、南方浩志、山口正臣、田村泰之、杉山芳弘、
	中西俊郎、田中均
	富士通研究所

16:10	1.1V動作の0.18μm混載FeRAM
	伊東豊二、長野能久、三河巧、久都内知恵、林慎一郎、那須徹、
	夏目進也、立成利貴、後藤覚、矢野尚、野間淳史、永橋克己、
	三木隆、坂上雅彦、井筒康文、中熊哲治、平野博茂、岩成俊一、
	村久木康夫、山岡邦吏、五寳靖、十代勇次、藤井英治、佐藤和夫
	松下電器産業株式会社　半導体社

16:40	総合討論
17:10	懇親会