(様式１)
第４４回　研究集会詳細
１．日時　        ：２００３年９月２９日(月)　　　９：３０−１７：４０
２．場所　        ：機械振興会館　地下3階 研修2号室
　　　　　　　     （営団地下鉄　日比谷線神谷町下車　または　都営三田線　芝公園下車）
３．オーガナイザー：　
４．テーマ　      ：「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」
５．共催　　　　　：電子情報通信学会　ＶＬＳＩ設計研究集会（ＶＬＤ）
　　　　　	    電子情報通信学会　シリコン材料デバイス研究会（ＳＤＭ）
６．スコープ　　　：半導体の製造工程、製造装置、半導体素子、半導体回路に関するモデリング
                    およびシミュレーションを用いた解析、統計処理

７．プログラム
一般講演 ９：３０〜１２:１５
午前　前半		座長　佐藤成生(富士通)
１. 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響					9:30-9:55
　　○松沢一也・木下敦寛(東芝ＬＳＩ基盤技術ラボラトリー)・
　　　楠直樹・八木下淳史(東芝セミコンダクター社)
２. MOSFET 反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析				9:55-10:20
　　○江崎達也・中村英達・山本豊二・羽根正巳（NECシリコン研）
３. 準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果					10:20-10:45
　　○土屋英昭・堀野元気・小川真人・三好旦六（神戸大）

休憩　10:45−11:00

午前　後半		座長　大倉康幸(Selete)
４. 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したＣ−Ｖシミュレーション			11:00-11:25
　　○中森靖彦・小宮健治・大村泰久（関西大）
５. 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響				11:25-11:50
　　○森川周一・細井卓治・鎌倉良成・谷口研二（阪大）
６.フルバンド･モンテカルロ･シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析			11:50-12:15
　　○田辺亮・芦澤芳夫・岡秀樹（富士通研）

29日午後
招待講演 　１３:２０〜１５:２０		座長　
７. 90nm世代を迎えたバラツキ設計技術の課題						13:20-14:00
　　○増田弘生(ＳＴＡＲＣ)
８. DAC2003報告　-フィジカルデザイン-						14:00-14:40
　　○黒川敦(ＳＴＡＲＣ)
９. DAC2003報告　-低電力技術-							14:40-15:20
　　○石橋孝一郎(ＳＴＡＲＣ)

一般講演 １５:３５〜１７:４０		座長　
１０. 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバースモデリング			15:35-16:00
　　○国清辰也・渡邉哲也・金本俊幾(ルネサステクノロジ)・
　　朝里浩靖(ルネサスデバイスデザイン)・
　　白田光利・永久克己・味岡佳英・牧野博之・石川清志（ルネサステクノロジ）・
　　岩出秀平（大阪工業大学）・井上靖朗(ルネサステクノロジ)・
　　山下恭司・小林睦・合田明彦・小田嘉則・山口龍一(松下電器産業)
１１. ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルの			16:00-16:25
　　　コンパクトモデル
　　○園田賢一郎・谷沢元昭・石川清志・清水悟・荒木康弘・河井伸治・小林真一・
　　小倉卓・井上靖朗(ルネサステクノロジ)・小谷教彦(広島国際大学)
１２. データ数削減アルゴリズムを組み込んだパラメータ抽出における			16:25-16:50
　　　グルーピングとその応用
　　○佐藤修平(広島市立大学大学院情報科学研究科)・
　　寺田和夫・寺内衛(広島市立大学情報科学部)
１３. S-sequenceによるモジュール隣接制約を考慮したフロアプラン手法			16:50-17:15
　　○石丸洋平・坂主圭史・小林真輔・武内良典・今井正治(阪大)
１４. FPGAを用いた音響信号レベル圧縮プロセッサの設計					17:15-17:40
　　○武藤拓也・魏書剛(群馬大)