第７７回　研究集会詳細

日　時：2006年 1月20日(金) 9:30〜17:00

会　場：機械振興会館
 　　　（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
　　　　 交通手段 地下鉄神谷町下車徒歩10分　）
 
テーマ：「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」

担　当：ULSIデバイス研究委員会

共　催：電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会

プログラム

1.  (9:30-10:00)
 IEDM2005を振り返って（講演者未定）
 
 2. (10:00-10:25)
 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs
 入沢寿史、沼田敏典、手塚勉、臼田宏治、中払周、平下紀夫、
 杉山直治、豊田英二**、高木信一*
 MIRAI-ASET, *MIRAI-AIST, **東芝セラミックス
 
 3. (10:25-10:50)
 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI NMOSFET
 におけるボリュームインバージョンによる移動度向上
 筒井元，齋藤真澄，更屋拓哉，南雲俊治，平本俊郎
 東京大学生産技術研究所
 
 4. (10:50-11:15)
 Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス
 若林整、辰巳徹、五十嵐信行、忍田真希子、*川本英明、*池澤延幸、
 **池澤健夫、山本豊二、羽根正巳
 NECシステムデバイス研究所、
 *NECエレクトロニクス、**NEC情報システムズ
 
 5. (11:15-11:40)
 Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス
 大田裕之、金永ソク、島宗洋介*、佐久間崇、畑田明良*、片上朗*、
 添田武志、川村和郎、小倉輝、森岡博、渡邉崇史、王純志、早見由香、小倉寿典、
 森年史、田村直義*、児島学、橋本浩一
 富士通、*富士通研究所
 
 昼食  11:40 - 12:45
 
 6. (12:45-13:10)
 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ
 大石周、藤井修、***横山孝司、***太田和伸、佐貫朋也、*猪熊英幹、*江田健太郎、
 *伊高利昭、*宮島秀史、*岩佐誠一、*山崎博之、**大内和也、*松尾浩司、*永野元、
 菰田泰生、岡山康則、***松本拓治、***深作克彦、*清水敬、*宮野清孝、*鈴木隆志、
 *矢橋勝典、***堀内淳、竹川陽一、*佐喜和朗、*森伸二、***大野圭一、*水島一郎、
 ***斎藤正樹、岩井正明、山田誠司、***長島直樹、松岡史倫
 （株）東芝　セミコンダクター社　システムLSI第一事業部
 * プロセス技術推進センター
 ** SoC研究開発センター
 *** ソニー株式会社　半導体事業グループ　セミコンダクタテクノロジー開発本部
 
 7. (13:10-13:35)
 CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング
 辻川真平、梅田浩司、川原孝昭、川崎洋司、志賀克哉、
 山下朋弘、林岳、由上二郎、大野吉和、米田昌弘
 ルネサステクノロジ
 
 8. (13:35-14:00)
 低待機時電力HfSiON−CMOSFET技術
 高柳万里子、渡辺健、*1飯島良介、*1小山正人、*1小池正浩、
 *1井野恒洋、*1上牟田雄一、*2関根克行、*2江口和弘、*1西山彰、石丸一成
 （株）東芝　セミコンダクター社　SoC研究開発センター、
 *1（株）東芝　研究開発センター、
 *2（株）東芝　セミコンダクター社、プロセス技術推進センター
 
 9. (14:00-14:25)
 金属／Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 -ゲート金属の設計指針-
 白石賢二(1,2)、赤坂泰志（3)、宮崎誠一(4,2)、中山隆史(5)、
 中岡高司(1)、中村源治(3)、鳥居和功(3,9)、大田晃生(4)、
 Parhat Ahmet(2), 大毛利健治(2)、渡部平司(6,2)、知京豊裕(2)、
 Martin Green(7)、奈良安雄(3)、山田啓作(8,2)
 (1)筑波大院・数理物質科学研究科、(2)物質・材料研究機構、
 (3)�株ｼ導体先端テクノロジーズ、(4)広島大院・先端物質科学研究科、
 (5)千葉大・理学部、(6)大阪大院・工学研究科、
 (7)National Institute of Standards and Technology、
 (8)早稲田大・ナノテクノロジー研究所、(9)現所属、日立中央研究所
 
 10.(14:25-14:50)
 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成
 犬宮誠冶　赤坂泰志　松木武雄　大塚文雄　鳥居和功　奈良安雄
 （株）半導体先端テクノロジーズ　第一研究部　フロントエンドプログラム
 
 休憩　14:50-15:10
 
 11. (15:10-15:35)
 GIDL を考慮した LSTP 向け FinFET の設計
 田中克彦、竹内潔、羽根正巳
 NEC システムデバイス研究所
 
 12. (15:35-16:00)
 バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの
 CMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
 岡野王俊、泉田貴士、川崎博久、金子明生*、八木下淳史*、金村貴永、
 近藤正樹、伊藤早苗、青木伸俊、宮野清孝*、小野高稔*、矢橋勝典*、岩出健次*、
 窪田壮男*、松下貴哉*、水島一郎*、稲葉聡、石丸一成、須黒恭一*、江口和弘*、
 綱島祥隆*、石内秀美
 (株)東芝 セミコンダクター社
 SoC研究開発センター & *プロセス技術推進センター
 
 13. (16:00-16:25)
 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
 南 良博、篠 智彰、坂本 篤史*1、東 知輝*2、楠 直樹、藤田 勝之、
 初田 幸耕、大澤 隆、青木 伸俊、谷本 弘吉、森門 六月生、
 中島 博臣、井納 和美、浜本 毅司、仁田山 晃寛
 （株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター
 *1東芝情報システム（株）
 *2東芝マイクロエレクトロニクス（株）
 
 16:25-17:00　総合討論　
 
 17:20-　　　　懇親会