ポスターセッション
バルク成長
P-1
「SiC Single Crystal Growth with an Inner Guide-Tube」
Shin-ichi Nishizawa1,2, Yasuo Kitou1,3, Wook Bahng1,3, Tomohisa Kato1,2, Yumi Michikawa1,2, and Kazuo Arai1,2
1Ultra-low loss Power Device Technology Research Body, 2National Institute
of Advanced Industrial Science and Technology, 3R&D Association for
Future Electron Devices）
P-2
「昇華法による６Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）基板上の結晶成長」
西口太郎、大嶋悟、西野茂弘
（京都工芸繊維大学）
P-3
「２インチＳｉＣウエハ内の平面欠陥の観察」
田中英樹、西口太郎、佐々木信、西野茂弘
（京都工芸繊維大学）
P-4
「ＳＰｒｉｎｇ−８での２インチＳｉＣバルク及びウエハのＳＷＢＸＴ評価」
佐々木信1、平井敦彦1、三柳俊之1、西口太郎1、古庄智明1、塩見弘2、西野茂弘1
（1京都工芸繊維大学、2SiXON）
P-5
「２インチＳｉＣウエハの光弾性評価」
佐々木信1、三柳洋一2、中山浩二2、塩見弘2、西野茂弘1
（1京都工芸繊維大学、2SiXON）
P-6
「ＳｉＣの面方位、ドーピングによるビッカース硬度への影響」
佐々木信1、塩見弘2、西野茂弘1
（1京都工芸繊維大学、2SiXON）
P-7
「熱処理によるマイクロパイプ欠陥の修復」
中村大輔1、岡本篤人1、妹尾与志木1、杉山尚宏1、廣瀬富佐雄2、原一都2、谷俊彦1、神谷信雄1、恩田正一2
（1豊田中央研究所、2デンソー）
P-8
「金属蒸着膜を利用したマイクロパイプ密度の低減」
小柳直樹1,3、西澤伸一2,3、加藤智久2,3、荒井和雄2,3
（1新機能素子研究開発協会、2産業技術総合研究所、3超低損失電力素子技術研究体）
P-9
「昇華法成長中に発生したインクルージョンの評価」
廣瀬富佐雄1,3、木藤泰男1,3、小柳直樹1,3、加藤智久2,3、西澤伸一2,3、荒井和雄2,3
（1新機能素子研究開発協会、2産業技術総合研究所、3超低損失電力素子技術開発研究体）
P-10
「超微粒子原料を用いたＳｉＣ単結晶の育成法」
山田益三、佐川一清
（日本ピラー工業）
エピ成長
P-11
「ホットウォールＣＶＤによる２インチ４Ｈ−ＳｉＣエピウェハの開発」
中山浩二1、三柳洋一1、塩見弘1、西野茂弘2
（1シクスオン、2京都工芸繊維大学）
P-12
「ホットウォールＣＶＤ成長４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル膜中の残留不純物の検討」
西尾譲司1,3、櫛部光弘1,3、昌原鎬1,3、児島一聡1,2,3、大野俊之1,3、石田夕起2,3、高橋徹夫2,3、鈴木誉也1,3、田中知行1,3、吉田貞史2,3、荒井和雄2,3
（1新機能素子研究開発協会、2産業技術総合研究所、3超低損失電力素子研究体）
P-13
「横型ホットウォールＣＶＤによる高品質４Ｈ−ＳｉＣのエピタキシャル成長」
木本恒暢、中澤敏志、橋本浩一、松波弘之
（京都大学）
P-14
「［１１−２０］方向に成長した（１１−２０）基板上への４Ｈ−ＳｉＣホモエピタキシャル成長」
児島一聡1,2,3、大野俊之1,3、先崎純寿1,2、福田憲司1,2、藤本辰雄1,3、勝野正和1,3、大谷昇1,3、昌原鎬1,3、西尾譲司1,3、石田夕起1,2、高橋徹夫1,2、鈴木誉也1,3、田中知行1,3、荒井和雄1,2
（1超低損失電力素子技術開発研究体、2産業技術総合研究所、3新機能素子研究開発協会）
P-15
「縦型ホットウォールＣＶＤによる４Ｈ−ＳｉＣ成長層の高純度高品質化」
藤平景子、木本恒暢、松波弘之
（京都大学）
P-16
「縦型擬似ホットウォールＣＶＤ装置を用いた４Ｈ−ＳｉＣ高速エピ成長」
昌原鎬1,3、高橋徹夫2,3、櫛部光弘1,3、大野俊之1,3、西尾譲司1,3、児島一聡1,3、石田夕起2,3、鈴木誉也1,3、田中知行1,3、吉田貞史2,3、荒井和雄2,3
（1新機能素子研究開発協会、2産業技術総合研究所、3超低損失電力素子研究体）
P-17
「シミュレーションによる高温領域でのＳｉＣエピタキシャル成長の解析」
長谷川満1,2、宮内昭浩1,2、昌原鎬1、石田夕起3、高橋徹夫3、大野俊之1、西尾譲司1、鈴木誉也1、田中知行1、吉田貞史3、荒井和雄3
（1新機能素子研究開発協会、2日立製作所、3産業技術総合研究所）
P-18
「マイクロ波プラズマＣＶＤ法によるホモエピタキシャル４Ｈ−ＳｉＣ薄膜の低温成長」
岡本光央1,2、小杉亮治1,2、田中保宣1,2、竹内大輔3、中島信一1,2,4、西澤伸一1,2、福田憲司1,2、大串秀世3、荒井和雄1,2
（1産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター、2超低損失電力素子技術開発研究体、3産業技術総合研究所新炭素系材料研究センター、4新機能素子研究開発協会）
P-19
「有機シランバッファ層を用いたｏｎ−ａｘｉｓ Ｓｉ（００１）基板上シングルドメイン３Ｃ−ＳｉＣ（００１）極薄膜の形成」
中澤日出樹、末光眞希
（東北大学）
P-20
「テトラエチルシランを用いたＳｉＣのＭＯＣＶＤ」
久保直紀1、朝比奈秀一2、金山信幸2、坂本明美3、森谷明弘1、北原邦紀1
（1島根大学、2島根県産業技術センター、3ヒカリ電子工業）
P-21
「３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル成長の初期過程−ＤＭＳｉ、ＭＭＳｉ／Ｓｉ（００１）」
犬伏宗和、成田克、安井寛治、赤羽正志
（長岡技術科学大学）
P-22
「ピラミッド状３Ｃ−ＳｉＣの選択エピタキシャル成長」
奥井陽一、Chacko Jacob、大嶋悟、西野茂弘
（京都工芸繊維大学）
P-23
「３Ｃ−ＳｉＣのヘテロエピ成長膜とホモエピ成長膜の比較」
高橋徹夫1、石田夕起1、土田秀一2、鎌田功穂2、奥村元1、吉田貞史3、荒井和雄1
（1産業技術総合研究所、2電力中央研究所、3埼玉大学）
P-24
「３Ｃ−ＳｉＣホモエピ膜内の欠陥の同定及びその欠陥のショットキー接合特性に与える影響」
石田夕起1、高橋徹夫1、奥村元1、吉田貞史2
（1産業技術総合研究所、2埼玉大学）
P-25
「ＳｉＣ水素エッチング現象の熱平衡モデルによる解析」
石田夕起1、高橋徹夫1、奥村元1、西澤伸一1、荒井和雄1、吉田貞史2
（1産業技術総合研究所、2埼玉大学）
P-26
「２種類のソースからのａ−ＳｉＣのプラズマＣＶＤ過程における成長カイネティクス」
金子聰1、宮川宣明1、曽根逸人2、飯川裕也1、山崎弘祥1
（1東京理科大学、2理化学研究所）
評価
P-27
「ＳｉＣ（０００１）（√３×√３）−Ｒ３０°表面の構造と水素吸着効果」
青山朋弘1、久田祥之2、向中野信一2、一宮彪彦1
（1名古屋大学、2デンソー）
P-28
「欠陥を含んだＳｉＣバルク結晶のラマン散乱による局所伝導性評価」
中島信一1,2,3、中武泰啓4
（1産業技術研究所、2新機能素子研究開発協会、3超低損失電力素子技術研究体、4宮崎大学）
P-29
「４Ｈ−、６Ｈ−、３Ｃ−ＳｉＣの種々の面方位における絶縁破壊電界」
中村俊一、熊谷裕典、木本恒暢、松波弘之
（京都大学）
P-30
「ＧａＮ及びＳｉＣ成長層のサブミクロン解像度極低温顕微ホトルミネセンス像」
吉本昌広、更家淳司
（京都工芸繊維大学）
P-31
「光電気化学エッチングによるＳｉＣの評価」
三上英則、梅谷明良、高野和人、畑山智亮、矢野裕司、浦岡行治、冬木隆
（奈良先端科学技術大学院大学）
P-32
「４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル成長膜の反射Ｘ線トポグラフ観察 （2）」
大野俊之1,2、山口博隆1,3、西尾譲司1,2、昌原鎬1,2、児島一聡1,3、高橋徹夫1,3、石田夕起1,3、鈴木誉也1,2、吉田貞史1,3、荒井和雄1,3
（1超低損失電力素子技術研究体、2新機能素子研究開発協会、3産業技術総合研究所）
P-33
「光励起容量過渡応答法による３Ｃ−ＳｉＣ中の深い準位の評価」
中倉洋平1、加藤正史1、市村正也1、荒井英輔1、徳田豊2
（1名古屋工業大学、2愛知工業大学）
P-34
「赤外反射分光によるＳｉＣ基板のキャリヤ濃度および移動度の分布測定」
成田勝俊1、土方泰斗1、矢口裕之1、吉田貞史1,2、中島信一2,3,4、小柳直樹3,4
（1埼玉大学、2産業技術総合研究所、3新機能素子研究開発協会、4超低損失電力素子技術研究体）
P-35
「ＩＣＴＳ法によるイオン注入誘起欠陥分布の測定」
ルディオノ1,2,3、藤巻真1,4、先崎純寿1,3、谷本智2,3、四戸孝2,3、大串秀世1,3、荒井和雄1,3
（1産業技術総合研究所、2新機能素子研究開発協会、3超低損失電力素子技術開発研究体、4科学技術振興事業団）
P-36
「イオン注入法により希土類を添加された六方晶系ＳｉＣの温度変化によるＰＬ発光の消光過程および発光時間減衰の考察」
後藤貴之1、新井智幸1、植草新一郎1、沼田乾2
（1明治大学、2神奈川高度技術財団）
P-37
「Electron Diffraction Study on Amorphous Structures of Ion Implanted Silicon Carbide」
In-Tae Bae、Manabu Ishimaru、Yoshihiko Hirotsu
（Osaka University）
P-38
「ＥＳＲ法によるイオン注入した燐イオンの電気的活性化のミクロ評価」
磯谷順一1、大島武2、伊藤久義2
（1図書館情報大学、2原研高崎）
プロセス技術、デバイス
P-39
「３Ｃ−ＳｉＣにおけるＡｌイオン注入層の点接触電圧測定」
福田祐介、西川恒一、清水正章、岩黒弘明
（新電元工業）
P-40
「エキシマレーザアニール法によるＳｉＣイオン注入層の活性化」
田中保宣、田上尚男、福田憲司、荒井和雄
（産業技術総合研究所）
P-41
「Ｐイオン注入非晶質ＳｉＣ層の固相成長機構」
江龍修、松尾大輔、安部功二、中嶋堅志郎
（名古屋工業大学）
P-42
「（１１−００）および（１１−２０）６Ｈ−ＳｉＣへのイオン注入」
中村智宣、田辺斉、人見剛史、佐藤政孝
（法政大学）
P-43
「低温熱処理により形成されたＮｉＳｉ2電極の評価」
中村智宣、篭島亮、佐藤政孝
（法政大学）
P-44
「レーザー照射によるＳｉＣへのＴａオーミック電極の作製」
吉田弘、安部功二、江龍修、中嶋堅志郎
（名古屋工業大学）
P-45
「ｐ型４Ｈ−ＳｉＣに対するＡｌ／Ｎｉコンタクト材のＡＥＳによる深さ方向分析」
桐谷範彦1,2、谷本智1,2、星正勝1,2、大串秀世1,3
（1超低損失電力素子技術研究体、2新機能素子研究開発協会、3産業技術総合研究所）
P-46
「エミッション顕微鏡を用いた４Ｈ−ＳｉＣ ＳＢＤのリーク箇所の検出」
林利彦1,2、畠山哲夫1,2、四戸孝1,2、菅原良孝3
（1超低損失電力素子技術研究体、2新機能素子研究開発協会、3関西電力）
P-47
「ＳｉＣショットキーバリアダイオードのリーク電流の起源」
畠山哲夫1,2、四戸孝1,2
（1新機能素子研究開発協会、2超低損失電力素子技術研究体）
P-48
「ＳｉＣデバイスシミュレーション高精度化のための物性値測定用ＴＥＧ」
畠山哲夫1,2、櫛部光弘1,2、今井聖支1,2、四戸孝1,2
（1新機能素子研究開発協会、2超低損失電力素子技術研究体）
P-49
「ＦＴＩＲ−ＲＡＳによる酸化初期過程の観察」
直本保、土田秀一、鎌田功穂、泉邦和
（電力中央研究所）
P-50
「分光エリプソメータによるＳｉＣ／酸化膜界面の評価」
富岡雄一1、緑川正彦1、土方泰斗1、矢口裕之1、吉川正人2、伊藤久義2、石田夕起3、小杉亮治3、吉田貞史1
（1埼玉大学、2日本原子力研究所、3産業技術総合研究所）
P-51
「酸化膜／ＳｉＣ界面における酸化後処理効果のＸＰＳ評価」
土方泰斗1、矢口裕之1、吉川正人2、伊藤久義2、吉田貞史1
（1埼玉大学、2日本原子力研究所）
P-52
４Ｈ−ＳｉＣの（１１−２０）面に形成されたＭＯＳ界面に対するプロセス条件の影響
福田憲司1,3、児島一聡1,3、先崎純寿1,3、鈴木誉也1,2
（1超低損失電力素子技術研究体、2新機能素子研究開発協会、3産業技術総合研究所）
P-53
「パワーＭＯＳプロセスを経たＳｉＣゲート酸化膜の信頼性」
谷本智1,2、桐谷範彦1,2、星正勝1,2、大串秀世1,3
（1超低損失電力素子技術研究体、2新機能素子研究開発協会、3産業技術総合研究所）
P-54
「水蒸気雰囲気で再酸化したドライ酸化膜４Ｈ−ＳｉＣ ＭＯＳ構造のＣＶ法による評価」
佐藤美玲2、吉川正人1、大島武1、伊藤久義1、石田夕起3、樋口正人1
（1日本原子力研究所、2東北学院大学、3産業技術総合研究所）
P-55
「窒素ラジカル照射によるＳｉＯ２／ＳｉＣ界面特性の改善」
前山雄介1、矢野裕司1、古本能久1、畑山智亮1、浦岡行治1、冬木隆1、白藤立2
（1奈良先端科学技術大学院大学、2京都大学国際融合創造センター）
P-56
「パイロジェニック再酸化における水蒸気濃度と４Ｈ−ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ特性の相関」
小杉亮治1,2、岡本光央1,2、鈴木誠二2,3、原田信介1,2,3、先崎純寿1,2、福田憲司1,2
（1産業技術総合研究所、2超低損失電力素子技術研究体、3新機能素子研究開発協会）
P-57
「ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを用いた伝導帯近傍の界面トラップ密度の評価」
鈴木誠二1,2、原田信介1,2,3、小杉亮治1,3、先崎純寿1,3、福田憲司1,3
（1超低損失電力素子技術研究体、2新機能素子研究開発協会、3産業技術総合研究所）
P-58
「４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）ＭＯＳＦＥＴの作製と評価」
先崎純寿1,3、児島一聡1,2,3、原田信介1,2,3、小杉亮治1,3、鈴木誠二1,2、鈴木誉也1,2、福田憲司1,3、荒井和雄1,3
（1産業技術総合研究所、2新機能素子研究開発協会、3超低損失電力素子技術研究体）
P-59
「４Ｈおよび６Ｈ−ＳｉＣ基板に作製した埋め込みチャネルＭＯＳＦＥＴ」
原田信介1,2,3、先崎純寿1,3、小杉亮治1,3、岡本光央1,3、田中保宣1,3、鈴木誠二1,2、福田憲司1,3、荒井和雄1,3
（1超低損失電力素子技術研究体、2新機能素子研究開発協会、3産業技術総合研究所）
P-60
「Total Dose Effects of 6H-SiC MOSFETs Irradiated with Gamma Rays」
Kin Kiong Lee、Takeshi Ohshima、and Hisayoshi Itoh
（Japan Atomic Energy Research Institute）
P-61
「縦型ＭＯＳＦＥＴの終端構造の検討」
樽井陽一郎、今泉昌之、杉本博司、大塚健一、高見哲也、尾関龍夫
（三菱電機）
P-62「４Ｈ−ＳｉＣ埋め込みチャネルＭＯＳＦＥＴの界面Ｄｉｔを考慮した電子分布と移動度に関する計算」
安達和広1,2,3、四戸孝2,4、C. M. Johnson3、原田信介1,2,5、福田憲司1,2、荒井和雄1,2
（1産業技術総合研究所、2超低損失電力素子技術研究体、3University of Newcastle、4東芝研究開発センター、5新機能素子研究開発協会）
P-63
「４Ｈ−ＳｉＣ横型および縦型超接合構造のオン抵抗・耐圧特性比較」
安達和広、四戸孝、荒井和雄
（1産業技術総合研究所、2超低損失電力素子技術研究体、3東芝研究開発センター）
P-64
「最小ピラー幅１μｍ縦型超接合の静特性と４Ｈ−ＳｉＣ／Ｓｉ比較」
安達和広1,2,3、C. M. Johnson3、木下浩三4、四戸孝2,4、大橋弘通4、荒井和雄1,2
（1産業技術総合研究所、2超低損失電力素子技術研究体、3University of Newcasle、4東芝研究開発センター）
P-65
「Characterization of Planar 4H-SiC MESFETs Using Ion-Implantation」
H. J. Na1,3、K. Adachi1,3、N. Kiritani2,3、S. Tanimoto2,3、and H. Okushi1,3
（1AIST、2R&D Association for Future Electron Devices、3Ultra-Low-Loss
Power Device Technology Research Body）
P-66
「ＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴ ＲＦ特性のゲート幅依存性」
本田弘毅、尾形誠、沢崎浩史、小野修一、新井学
（新日本無線）
P-67
「リセス構造を有するＴＬＭを用いたＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴのソース抵抗の考察」
新井学、沢崎浩史、尾形誠、本田弘毅、小野修一
（新日本無線）
P-68
「イオン注入で形成した接合ＦＥＴのゲート特性評価」
小野瀬秀勝1,2、渡辺篤雄1,2、染谷友幸1,2、小林裕1,2
（1日立製作所、2超低損失電力素子技術研究体）
窒化物など
P-69
「４Ｈ−ＳｉＣ基板上ＧａＮ系半導体のＭＯＣＶＤ成長と電子デバイス特性」
石川博康、S. Arulkumaran、張伯君、江川孝志、神保孝志
（名古屋工業大学）
P-70
「６Ｈ−ＳｉＣ上ＭＯＣＶＤ−ＡｌＮのヘテロエピタキシャル成長」
鈴木孝宗、犬島喬
（東海大学）
P-71
「昇華法によるＡｌＮの結晶成長」
古庄智明、西野茂弘
（京都工芸繊維大学）
P-72
「グレーティング構造を用いた非晶質基板上へのＧａＮ薄膜の成長」
長野一將、西野貴幸、山口正樹、長友隆男
（芝浦工業大学）
P-73
「ＭＢＥ法による６Ｈ−ＳｉＣ上ＡｌＮ成長と評価−膜厚依存性」
山下孝、吉本昌広、更家淳司
（京都工芸繊維大学）
P-74
「レーザアブレーション法によるエピタキシャルＴｉＯ２薄膜の成長と評価」
篠原竜児1、八巻徹也2、山本春也2、伊藤久義2、児島一聡3,4,5、奥村元3,4、浅井圭介1
（1東京大学、2日本原子力研究所、3超低損失電力素子技術研究体、4産業技術総合研究所、5新機能素子研究開発協会）
P-75
「Ｓｉイオン注入ＧａＮのエキシマレーザー照射による格子欠陥回復」
後藤勝由、中村英隆、安部功二、江龍修、中嶋堅志郎
（名古屋工業大学）
