SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第10回講演会
主催：応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
日時：2001年12月13日(木) 13:00 ～ 14日(金) 16:00（13日 夕刻より懇親会）
場所：京都工芸繊維大学 センターホール（京都市左京区松ヶ崎）
講演会プログラム
12月13日 (木曜日)
Ⅰ. 13:00－13:10 開会 開会挨拶
代表幹事 鈴木彰
Ⅱ. 13:10－14:10 研究会発足10周年記念講演
Ⅱ-1 13:10－13:40
「これからのＳｉＣ研究」
松波 弘之 （京都大学 工学研究科 電子物性工学専攻 教授）
Ⅱ-2 13:40－14:10
「パワーエレクトロニクスの将来とＳｉＣへの期待」
高井 明 （富士電機株式会社 常務取締役）
Ⅲ. 14:10－14:45 ICSCRM2001会議報告 １
Ⅲ-1 14:10－14:30 「会議概要、バルク結晶成長」 西野 茂弘 （京都工芸繊維大学）
Ⅲ-2 14:30－14:45 「エピタキシャル成長」 土田 秀一 （(財) 電力中央研究所 横須賀研究所)
＜休憩 14:45－15:00＞
Ⅳ. 15:00－16:00 招待講演 １
Ⅳ-1 15:00－15:30 「大口径・高品質SiC単結晶ウエハの開発」
大谷 昇、藤本 辰雄、勝野 正和、矢代 弘克 (新日本製鐵（株）先端技術研究所）
Ⅳ-2 15:30－16:00 「エピタキシャル成長層の欠陥構造と不純物」
大野 俊之1, 2、西尾 譲司1, 2、昌原 鎬1, 2、児島 一聡1, 3、高橋 徹夫1, 3、石田 夕起1, 3、鈴木 誉也1, 2、吉田 貞史1, 3、荒井 和雄1, 3
（1超低損失電力素子技術研究体、2新機能素子研究開発協会、3産業技術総合研究所）
懇親会 アピカルイン京都 18:30－20:30
12月14日 (金曜日)
Ⅵ. 9:00－9:30 ICSCRM2001会議報告 ２
Ⅵ-1 9:00－9:15 「デバイス－プロセス」 矢野 裕司 (奈良先端科学技術大学院大学）
Ⅵ-2 9:15－9:30 「デバイス－素子・評価」 北畠 真 (松下電器産業(株) くらし環境開発センター)
Ⅶ. 9:30－10:30 招待講演 2
Ⅶ-1 9:30－10:00
「4H-SiC(0001)および(11-20)面へのイオン注入」
根来 佑樹、宮本 直、木本 恒暢、松波 弘之 （京都大学 工学研究科 電子物性工学専攻）
Ⅶ-2 10:00－10:30
「p型SiCオーミック・コンタクト材の開発」
中塚 理1、小出 康夫2、村上 正紀2
（1京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー、2京都大学 工学部 材料工学専攻）
＜昼食 12:30－13:30＞
Ⅸ. 13:30－15:00 招待講演 3
Ⅸ-1 13:30－14:00
「SiC MOS 界面電子物性解析と精密制御」
福田 憲司 （超低損失電力素子技術研究体(UPR)、産業技術総合研究所）
Ⅸ-2 14:00－14:30
「SiC-DACFET ( Delta-doped Accumulation Channel FET )
～δドーピングからデバイスまで～」
楠本 修、横川 俊哉、高橋 邦方、山下 賢哉、北畠 真、内田 正雄、宮永 良子
(松下電器産業(株) くらし環境開発センター)
Ⅸ-3 14:30－15:00
「高耐圧SiC接合FET」
小野瀬 秀勝1,2，渡辺 篤雄1,2，染谷 友幸1,2，小林 裕1,2,3
（1 (株)日立製作所 日立研究所、2超低損失電力素子技術研究体、3(株)日立製作所 自動車機器事業部）
Ⅹ. 15:00－15:15 ICSCRM2001会議報告 3
Ⅹ-1 15:00－15:15 「ナイトライド系」 須田 淳 (京都大学 工学研究科 電子物性工学専攻）
XI. 15:15－15:45 招待講演 4
XI-1 15:15－15:45
「GaN高周波パワーデバイスの進展」
宮本 広信 (NEC、光・無線デバイス研究所)
XII 15:45－16:00 閉会 閉会挨拶
代表幹事 鈴木 彰
