SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第12回講演会　プログラム
			(１０月２３日現在)
	１１月６日（木曜日）
	�T    9:30-9:40	開会	開会挨拶　代表ダイヒョウ幹事カンジ（立命館大学　鈴木　彰）
	�U  9:40-12:10	特別講演　その１
		�U-１  9:40-10:10	紫外光を用いたSiC表面のラマン分光解析（産サンギョウ総ソウゴウ研ケン　　中島ナカジマ信一シンイチ）
		�U-２  10:10-10:40	6H-SiC(1120)表面の構造と初期酸化過程（立命館リツメイカン大学ダイガク　城シロ戸キド義明）
	(10:40-11:00)	Cofee　Break
		�U-３  11:00-11:40	ＳｉＣデバイスの開発と電力応用研究（関西電力　　菅原良孝）
		�U-４  11:40-12:10	α-SiC{0001}近傍面上エピタキシャル成長における表面メカニズム（京都大学大学院　中村俊一）
	12:10-13:10	昼食
	�V 13:10 -16:45	国際会議報告（ICSCRM-2003)　／　その１
		�V-1　13:10-13:25	総括ソウカツ報告ホウコク(埼玉サイタマ大学ダイガク　吉田ヨシダ貞サダ史フミ)
		�V-2　13:25-13:55	バルク成長セイチョウ関連カンレン（京都キョウト工芸コウゲイ繊維センイ大学ダイガク　西野ニシノ茂弘シゲヒロ）
		�V-3　13:55-14:25	エピタキシャル関連カンレン(電力デンリョク中チュウケン研ケン　土田ツチダ秀一ヒデカズ）
		�V-4　14:25-14:55	物性関連（大阪オオサカ電気デンキ通信ツウシン大ダイ　松浦マツウラ秀治ヒデハル）
	（14:55-15:15）	Cofee break
		�V-5　15:15-15:45	プロセス関連（日産ニッサン自動車ジドウシャ　谷本タニモト智トモ）
		�V-6　15:45-16:15	イオン注入チュウニュウ関連（京都キョウト大学ダイガク大学院ダイガクイン　根来ネゴロ佑ユウキ樹キ）
		�V-7  16:15-16:45	窒チッソ化カ物ブツ関連（産総研サンソウケン　奥村オクムラ元ハジメ）
	�W 16:45 -18:15	一般講演
		ポスターセッション-１	(ポスター番号バンゴウが奇数キスウのもの）
	18:30-20:30	懇親会
	10:00−20:30	展示会テンジカイ
	１１月７日（金曜日）
	�X       9:30-11:00	一般講演
		ポスターセッション-２	（ポスター番号バンゴウが偶数グウスウのもの）
	�Y    11:00-11:30	特別トクベツ講演コウエン　その２
		�Y-１  11:00-11:30	高品位コウヒンイSiC　C面メンエピタキシャル成長セイチョウとそのデバイス応用オウヨウの可能性カノウセイ（産総研サンソウケン　　奥村オクムラ元ゲン）
	�Z      11:30-12:30	国際会議報告／その２
		�Z-１ 11:30-12:00	MOS関連カンレン（産総研サンソウケン　福田フクダ憲司ケンジ）
		�Z-２ 12:00-12:30	デバイス関連カンレン　（富士フジ電機デンキ　藤澤広幸)
	�[  12:30-12:35	閉会	閉会挨拶　　代表幹事
	14:00-18:30	テクニカルビジット	注チュウ＊
	9:30-12:30	展示会テンジカイ
	注チュウ＊テクニカルビジット　解散カイサン(予定ヨテイ)		18:15　近鉄キンテツ　京都線キョウトセン　高タカの原ハラ　駅エキ
			18:30　近鉄キンテツ　奈良線ナラセン　学園前ガクエンマエ　駅エキ