�V. 一般講演（ポスター）プログラム
(Contributed papers for Posters)

SiCバルク結晶成長

P1 SiCバルク成長における種結晶表面処理効果
(Effects of Seed Treatment on SiC Bulk Growth)
木藤泰男1、房��1、西澤信一2、荒井和雄2
（超低損失電力素子技術研究体、新機能素子研究開発協会1、電子技術総合研究所2）

P2 昇華法のSiC結晶成長における欠陥の制御
(Dislocation restraint by etch back process for SiC sublimation growth)
加藤智久a, b、小柳直樹a, c、木藤泰男a, c、M. Nasir Khana, b、西澤伸一a, b、荒井和雄a, b
（超低損電力素子技術研究体a、電総研b、新機能素子研究開発協会c）

P3 昇華法により成長した高品位6H-SiCの結晶評価
(Evaluation of high quality 6H-SiC crystal grown by sublimation method)
小柳直樹1,2、山口博隆1,3、加藤智久1,3、西澤伸一1,3、荒井和雄1,3
（超低損失電力素子技術研究体1、FED2、ETL3）

P4 昇華法で作製した2インチSiCウェハの結晶性評価
(Characterization of 2 inches SiC wafer by sublimation method)
佐々木　信、塩見　弘、西野茂弘
（京都工芸繊維大学）

P5 SiCのポリタイプ制御による2インチφ4H型低抵抗基板の開発
(SiC polytype control and the development of 4H type 2in wafer with low resistivity)
中山浩二*、三柳洋一*、高田禎介*、塩見　弘*、西野茂弘**
（シクスオン*、京都工芸繊維大学**）

P6 SiCの導電性制御による2インチφ6H型低抵抗および高抵抗基板の開発
(6H type, 2 inch SiC wafer with low and high-resistivity by the conductivity control)
三柳洋一*、中山浩二*、高田禎介*、塩見　弘*、西野茂弘**
（シクスオン*、京都工芸繊維大学**）

P7 高温局所液相成長法を用いた6H-SiC単結晶成長
(High temperature local LPE growth of 6H-SiC)
浅岡　康、平本雅信*,谷野吉弥*,山田益三*,岸田昭彦,佐野直克,金子忠昭
（関西学院大学、*日本ピラー工業）
SiCエピタキシャル成長

P8 Si (001)基板上への大面積3C-SiCヘテロエピタキシャル成長−3C-SiCの結晶評価−
(Large area 3C-SiC hetero-epitaxial growth on Si (001) substrate. -Evaluation of 3C-SiC crystal defects-)
河原孝光、八木邦明、長澤弘幸
（HOYA）

P9 気相成長におけるマイクロパイプ閉塞の解析
(Analysis of micropipe closing via 4H-SiC vaporphase epitaxy)
鎌田功穂、土田秀一、直本　保、泉　邦和
（電力中央研究所）

P10 DMSを用いたSiCエピタキシャル成長の初期過程
(Initial stage of SiC epitaxial growth using dimethylsilane.)
成田　克、安井寛治、赤羽正志
（長岡技術科学大学）

P11 応力緩和機構を持つシリコン基板上への3C-SiC結晶成長
(Growth of 3C-SiC Layers on Silicon Substrates with a Novel Stress Relaxation Structure)
色川芳宏、山田　登、樹神雅人、加地　徹
（豊田中央研究所）

P12 有機シラン法によるSiC/Si界面バッファ層の形成
(Formation of the interfacial buffer layer by organo-silane method)
中澤日出樹、末光眞希
（東北大学）

P13 低速イオンビームによるSi (100)炭化反応
(Carbonization process of a Si (100) surface using low-velocity ion beams)
坪内信輝、茶谷原昭義、木野村淳、堀野裕治
（工業技術院大阪工業技術研究所）

P14 熱処理による炭化層のSiC化現象
(Transformation of Carbon layer into SiC under Annealing Condition)
奥野英一、天野伸治
（デンソー）

P15 大電流密度イオン注入による埋め込みSiC層の形成
(Buried SiC layer formation by high current density ion implantation)
松島健史、曽我部兼史、安部功二、江龍　修、中嶋堅志郎
（名古屋工業大学）

P16 有機珪素化合物を用いたSi基板上への3C-SiC薄膜成長および評価
(Growth and estimation of 3C-SiC film on Si substrate using Si2(CH3)6 )
伊関　毅、藤岡洋一、浅見直央、米井健治
（芝浦工業大学）

P17 Si(001)基板上3C-SiCヘテロエピ膜のAPD消失機構(2)　−炭化膜の効果−
(The APD annihilation mechanism of 3C-SiC hetero-epilayer on Si(001) substrate (II)
-The effect of carbonized layer-)
石田夕起、高橋徹夫、奥村　元、吉田貞史*
（電子技術総合研究所、埼玉大学*）

P18 3C-SiCヘテロエピタキシャル成長における成長初期過程の影響
(Effect Early Stage of Growth in Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si)
高橋徹夫、岡　拓磨*、石田夕起、奥村　元、吉田貞史**、荒井和雄
（電子技術総合研究所、日本大学*、埼玉大学**）

P19 α-SiC単結晶基板上でのβ-SiC多結晶からのα-SiC単結晶の固相成長
(Solid phase epitaxial growth of α-SiC from poly-Crystalline β-SiC on α-SiC Seed substrate)
谷野吉弥、平本雅信、谷垣輝之、和田圭司、前田利久、山田益三
（日本ピラー工業）

P20 15R-SiC (000_1)C面のエッチピット観察
(Observation of etch pits on 15R-SiC (000_1) C-face)
西口太郎、清水利之、佐々木信、大場　悟、西野茂弘
（京都工芸繊維大学）

P21 6H-SiC上に15R-SiCが発生するメカニズムの考察
(Study of 15R-SiC growth mechanism on 6H-SiC)
小栗英美、廣瀬富佐雄、松井孝史、 永久保雅夫、 恩田正一
（デンソー）

P22 <1-100>及び<11-20>方向にオフした4H-SiC基板へのCVD成長
(CVD growth of 4H-SiC inclined towards <1-100> and <11-20>)
増田泰一、大場　悟、Chacko Jacob、西野茂弘
（京都工芸繊維大学）

P23 (11_20)面上へのp型4H-SiCエピタキシャル成長とその評価
(Growth and characterization of p-type 4H-SiC epitaxial layer on (11_20) face)
児島一聡1,2、大野俊之1,3、櫛部光弘1,3、昌原　鎬1,3、石田夕起1,2、高橋徹夫1,2、鈴木誉也1,3、
吉田貞史1,2、田中知行1,3、荒井和雄1,2
（超低損失電力素子技術研究体1、電子技術総合研究所2、新機能素子研究開発協会3）

P24 Epitaxial growth of SiC in hydrogen atmosphere by sublimation close space technique
T.Furusho, S.K.Lilov*, S.Ohshima and S.Nishino
（Kyoto institute of teclmology, *University of Sofia:Bulgaria）

P25 低オフ角4H-SiC (0001)基板上エピタキシャル成長の表面モフォロジー制御
(Control of Surface Morphologies for Epitaxial Growth on Low Off-Angle 4H-SiC (0001)
Substrates)
昌原　鎬1、櫛部光弘1、児島一聡１、大野俊之1、石田夕起2、高橋徹夫2、鈴木誉也1、
田中知行1、吉田貞史2、荒井和雄2
（新機能素子研究開発協会1、電子技術総合研究所2）

P26 4H-SiCエピタキシャル成長膜の反射�]線トポグラフ観察
(Reflection X-ray topograph observation of 4H-SiC epitaxial films)
大野俊之1,2、山口博隆1,3、櫛部光弘1,2、昌原　鎬1,2、児島一聡1,3、高橋徹夫1,3、石田夕起1,3、
鈴木誉也1,2、吉田貞史1,3、荒井和雄1,3
（超低損失電力素子技術研究体1 、新機能素子研究開発協会2、電子技術総合研究所3）

P27 SiC昇華法における窒素の取込み機構についての考察
(Study on Mechanism of Nitrogen Incorporation in Sublimation Growth of SiC)
内藤正美、原　一都, 廣瀬富佐雄、恩田正一
（デンソー）

P28 a-SiCのプラズマCVD過程における成長カイネティクスと膜の赤外吸収分光特性
(Growth kinetics of a-SiC on RF plasma-enhanced CVD and FT-IR analysis of the film)
金子　聰、宮川宣明、飯川裕也
（東京理科大学）

P29 縦型ホットウォールCVDによるSiCの高速成長
(High-speed growth of SiC by vertical hot-wall CVD)
藤平景子、田村聴之、木本恒暢、松波弘之
（京都大学）

P30 4H-SiCエピタキシャル単結晶の厚膜化
(Growth of thick 4H-SiC epitaxial layers)
土田秀一，鎌田功穂，直本　保，泉　邦和
（電力中央研究所）

P31 First 5x3"/7x2" Hot-Wall Planetary Reactor for the CVD Growth of Large Area SiC
Frank Wischmeyer(1)，Johannes Kappeler(2)，Rune Berge(1)，Jan-Olov Fomell(1)，
Holger Jurgensen(2)
（(1)EPIGRESS AB:SWEDEN, (2)AIXTRON AG:GERMANY）

P32 横型ホットウォールCVD炉を用いた4H-SiCのエピタキシャル成長
(Epitaxial growth of 4H-SiC by using Horizontal Hot-Wall type CVD Reactor)
櫛部光弘1,3、昌原　鎬1,3、児島一聡1,2、大野俊之1,3、石田夕起1,2、高橋徹夫1,2、鈴木誉也1,3、
吉田貞史1,2、田中知行1,3、荒井和雄1,2
（超低損失電力素子技術研究体1、電子技術総合研究所2、新機能素子研究開発協会3）

P33 横型コールドウォールCVDによるα-SiC高速ホモエピタキシャル成長層の物性評価
(Characterization of α-SiC epilayers grown by horizontal cold-wall CVD at high growth rates)
中村俊一、木本恒暢、松波弘之
（京都大学）

SiC物性評価
P34 3C-SiC/Siヘテロエピタキシャル膜のラマン散乱評価
(Characterization of 3C-SiC Heteroepitaxial Films by Raman scattering)
中島信一*、中武泰啓*、播磨　弘**
（*宮崎大学、**大阪大学）

P35 ラマン散乱によるSiC-Ni電極反応の研究
(Raman Study on the SiC-Ni electrode Reaction)
栗本英治1、播磨　弘1、中島信一2、岩見基弘3、戸田忠夫4、澤田　稔4
（大阪大学1、宮崎大学2、岡山大学3、三洋電機4）

P36 ラマン散乱による3C-SiCホモエピタキシャル膜の積層欠陥の評価
(Raman Scattering Characterization of Stacking Faults in 3C-SiC Homo-Epitaxial Films)
中武泰啓*、中島信一*、石田夕起**、土田秀一***
（*宮崎大学、**電子技術総合研究所、***電力中央研究所）

P37 SiC清浄表面の構造
(Structures of Clean SiC Surfaces)
久田祥之、青山朋弘*、韓　玉杰*、向中野信一、長谷川健、一宮彪彦*
（デンソー、*名古屋大学）

P38 n型6H-SiC(0001) just face上のSi面及びC面の表面構造−エッチング・研磨プロセス依存性−
(Surface structure on Si and C face of n type 6H-SiC(0001) just face -dependence of etching and polishing processes-)
清水博紀、橋本　健、安部功二、江龍　修、中嶋堅志郎
（名古屋工業大学）

P39 4H-SiC上の二層構造酸化膜の効果
(Optimizing annealing process for double oxide layers on 4H-SiC)
金子佐一郎、桐谷範彦、谷本　智、山中　責、星　正勝
（日産自動車）

P40 SiC表面処理（酸化，水素熱処理）過程のその場分析
(In-situ analysis of thermal oxidation and hydrogen annealing on SiC surface)
直本　保，土田秀一，鎌田功穂，泉　邦和
（電力中央研究所）

P41 陽極酸化法による6H-SiC上表面層の犠牲酸化
(Sacrificial oxidation of 6H-SiC by the anodic oxidation method)
加藤正史、市村正也、荒井英輔
（名古屋工業大学）

P42 O2プラズマによるSiC酸化膜の低温形成(2)
(Low temperature formation of SiC Oxide Films by O2 plasma (2)
島田久記、柳原佐知子、中村智宣、佐藤政孝
（法政大学）

P43 4H-、6H-SiCにおける空孔クラスターのESRによる研究
(ESR study on vacancy clusters in 4H- and 6H-SiC)
水落憲和1,2、磯谷順一1,2、 山崎　聡2、瀧澤春喜3、森下憲雄3、大島　武3、伊藤久義3
（図情大1、JRCAT-融合研2、原研高崎3）

P44 パルスレーザーアニ−リングによるイオン注入SiCの結晶性回復
(Recrystalization of ion implanted SiC by pulsed laser annealing)
青山光太郎、水田成則、安部功二、江龍　修、中嶋堅志郎
（名古屋工業大学）

P45 3C-SiC中の欠陥に対する水素プラズマ処理の影響
(Effect of hydrogen-plasma treatment on defects in 3C-SiC)
1祖父江文孝、1加藤正史、1市村正也、1荒井英輔、2山田　登、3徳田　豊、4奥村次徳
（1名古屋工業大学、2豊田中央研究所、3愛知工業大学、4東京都立大学）

P46 SiCエピ層−バルク界面に存在する深い準位の等温過渡容量分光法による測定。
(Observation of deep levels at interface of epitaxial SiC and bulk SiC by use of isothermal capacitance transient spectroscopy)
藤巻　真1,2、櫛部光弘1,3、昌原鎬1,3、児島一聡1,2、四戸孝1,3、大串秀世1,2、荒井和雄1,2
（超低損失電力素子技術研究体1、電子技術総合研究所2、新機能素子研究開発協会3）

P47 分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の屈折率の評価
(Characterization of refractive index profile of oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometer)
飯田健*1、富岡雄一*1、塚田浩之*1、緑川正彦*1、吉本和生*1、土方泰斗*1、矢口裕之*1、
吉川正人*2、石田夕起*3、吉田貞史*1*3
（*1埼玉大学、*2日本原子力研究所、*3電子技術総合研究所）

P48 6H-SiC(00・1)オフ基板におけるマイクロパイプ周辺の光弾性パターン
(Pbotoelastic Pattern around the Micropipe with Off-Angled（00・1）6H-SiC Substrates
大里　齊、和田賢介
（名古屋工業大学）

P49 高温におけるSiCの分光エリプソメトリー
(Spectroscopic ellipsometry of SiC at high temperature）
久保直紀、山田高寛、森谷明弘、勝野正和＊、大谷　昇＊
（島根大学、新日本製鐵＊）

P50 SiO2/n型SiC(11-20)における浅い界面準位
(Shallow States at SiO2/n-type SiC(11_20) Interface)
矢野裕司、木本恒暢、松波弘之
（京都大学）

P51 6H-SiCにおける自由電子の伝導帯間超高速緩和過程
(Ultrafast inter-conduction-band electron relaxation processes in 6H-SiC)
富田卓朗1、齋藤伸吾1、末元　徹1、播磨　弘2、中島信一3
（東京大学1、大阪大学2、宮崎大学3）

P52 走査オージェ分光法によるSiO2/SiC界面の組成分析
(Composition Analysis of SiO2/SiC Interface by Scanning Auger Electron Spectroscopy)
土方泰斗、飯田　健、矢口裕之、吉川正人*、吉田貞史
（埼玉大学、*日本原子力研究所）

P53 深紫外レーザー励起PLによる4H SiC エピウエハーの評価
(Characterization of SiC Epitaxial Wafers by PL under Deep UV Excitation)
田中光博a,b、田島道夫a、佐野雅敏b
（a宇宙科学研究所、b東京理科大学）

P54 Cu/3C-SiC接合系の界面反応及び生成物の価電子帯構造
(Study of the reaction at Cu/3C-SiC interface and valence-band electronic structure of the reaction product)
安振連、平井正明、日下征彦、岩美基弘
（岡山大学）

SiCデバイス・プロセス

P55 Cu/ α-SiC接合ショットキー障壁高さ制御
(Control of Schottky Barrier Height in Cu/ α-SiC Junctions)
川人和明、三上英則、貴島洋史、畑山智亮、浦岡行治、冬木　隆
（奈良先端科学技術大学院大学）

P56 エキシマレーザー照射によるSiCへのCuオーミック電極の形成
(Copper ohmic contacts to SiC fabricated with pulsed excimer laser irradiation)
安部功二、住友正清、江龍　修、中嶋堅志郎
（名古屋工業大学）

P57 室温形成したAl/n型4H-SiC低抵抗オーミックコンタクト
(Low ohmic contact resistance of Al/n-type 4H-SiC contacts processed at room temperature)
早見泰明1,3、谷本　智1,3、星　正勝1,3、大串秀世2,3
（新機能素子開発協会1、電子技術総合研究所2、超低損失電力素子技術研究体3）

P58 1/f電流雑音測定による4H-SiCのオーミック電極の評価
(Characterization of Ohmic Contact for 4H-SiC by 1/f Current Noise Measurement)
田沼伸久、横倉三郎、五十嵐登、鷹野致和
（明星大学）

P59 コンタクト形成にRIEを使用したオーミック電極の特性
(Characteristics of ohmic contact after reactive ion etching)
杉野　学、星　正勝、谷本　智、山中　貢
（日産自動車）

P60 6H-SiCへのTaSi2オーミック電極の作製
(Fabrication of TaSi2 ohmic contacts for 6H-SiC)
吉田和弘1)、吉田　弘1)、奥山康生2)、安部功二1)、江龍　修1)、中嶋堅志郎1)
（1)名古屋工業大学、2)日本特殊陶業）

P61 Formation of silicides and carbides in Ti(film)/4H-SiC(000−1)(substrate) system
J. Labis, A. Ohi, T. Fujiki, M. Hirai, M. Kusaka, and M. Iwami
（Okayama Univ.）

P62 N2＋イオン注入6H-SiCの熱処理特性
(Annealing characteristics of N2+-ion implantation in 6H-SiC)
岩田　大、杉山厚志、稲田太郎
（法政大学）

P63 高温イオン注入によるSiC-MESFETソース抵抗の低減
(Source resistance reduction by hot ion implantation in SiC-MESFET)
沢崎浩史、 尾形　誠、 本田弘毅、 小野 修一、 新井　学、 北村昌良
（新日本無線）

P64 Alイオン注入を行った4H-SiCの電気特性
(Electrical characteristics of Aluminum ion implanted 4H-SiC)
田中秀明、杉野　学、谷本　智、山中　貢、星　正勝
（日産自動車）

P65 As+注入4H-SiCの注入層再結晶化過程
(Recrystallization Process for As+ Implanted Layers into 4H-SiC)
先�撫ヮ�1,2、大野俊之1,3、小杉亮治1,2、原田信介1,2、鈴木誠二1,3、福田憲司1,2、荒井和雄1,2
（超低損失電力素子研究体1、電子技術総合研究所2、新機能素子開発協会3）

P66 イオン注入法により作成したEr添加４H-SiCの発光
(Photoluminescence from Er-implanted 4H-SiC)
後藤貴之、植草新一郎
（明治大学）

P67 pn接合を用いたSiC高温動作ガスセンサ
(SiC pn-junction Diode Type Gas Sensor for High Temperature Applications)
奥山康生1)、安藤祥子2)、野本和昭2)、横井等1)、大島崇文1)、安部功二2)、江龍　修2)、
中嶋堅志郎2)
（1）日本特殊陶業、2)名古屋工業大学）

P68 デルタドープ構造アキュミュレーションチャンネルを用いた4H-SiC MOS-FET
(4H-SiC MOS-FET with delta-doped accumulation-channel)
横川俊哉、高橋邦方、楠本　修、内田正雄、北畠　真
（松下電器産業）

P69 6H-SiCデルタドープ構造の電子輸送特性とMES-FETへの応用
(Electronic transport of 6H-SiC delta-doped structure and its application for FET)
横川俊哉、高橋邦方、楠本　修、内田正雄、北畠　真
（松下電器産業）

P70 Effect of off-angle from Si (0001) face on SiO2/SiC interface properties of SiC MOS structures
K. Fukuda1, S. Suzuki2, J. Senzaki1, R. Kosugi1, S. Harada1, T. Tanaka2, and K. Arai1
（1UPR Electrotechnical Laboratory, 2UPR R & D Association for Future Electron Devices）

P71 ４H-SiC MOS界面とMOSFET特性の相関
(Relationships between 4H-SiC MOS interface and MOSFET properties)
鈴木誠二1、原田信介2、先�撫ヮ�2、小杉亮治2、福田憲司2、田中知行1、荒井和雄2
（1UPR/新機能素子開発協会、2UPR/電子技術総合研究所）

P72 4H-および6H-SiC MOSFETs の温度依存性
(Temperature dependence of 4H- and 6H-SiC MOSFETs)
原田信介1),2)、小杉亮治1),2)、先崎純寿1),2)、鈴木誠二1),3)、福田憲司1),2)、荒井和雄1),2)
（1） 超低損失電力素子技術研究体、2）電子技術総合研究所、3）新機能素子研究開発協会）

P73 LTOゲート絶縁膜4H-SiC MOS界面特性
(Interfacial characteristics of LTO/4H-SiC MOS capacitor)
小杉亮治1, 2、趙元珠1, 2、鈴木誠二2, 3、先崎純寿1, 2、原田信介1, 2、福田憲司1, 2、荒井和雄1, 2
（1電子技術総合研究所、2超低損失電力素子技術研究体、3新機能素子研究開発協会）

P74 Effect of activation annealing time on the micro-structural and electrical properties of Al implanted 4H-SiC
Rajesh Kumar Malhan and Hiroki Nakamura
（DENSO）

P75 ４H-SiCショットキーダイオードの耐圧構造の検討
(Edge Termination of 4H-SiC SBD)
藤澤広幸、辻　崇、荻野慎次、土田秀一＊、鎌田功穂＊、直本　保＊、泉　邦和＊
（富士電機総合研究所、電力中央研究所＊）

P76 走査型キャパシタンス測定法によるSiC接合形状評価
(Analysis of SiC junction profile analysis by the scanning capacitance measurement)
小野瀬秀勝、渡辺篤雄、横田武司、石川　透、染谷友幸、三瓶　勇、八尾　勉、小林　裕
（日立製作所）

P77 4H-SiCショットキーバリアダイオードの逆方向特性解析
(Reverse Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diode)
畠山哲夫、今井聖支、四戸　孝
（1）超低損失電力素子技術研究体、2)新機能素子研究開発協会）

P78 ゲート酸化膜水蒸気処理した6H-SiC MOSFETのガンマ線照射による特性変化
(Influence of gamma-ray irradiation on the characteristics of 6H-SiC MOSFET with steam-annealed gate oxide)
大島　武、伊藤久義、吉川正人
（日本原子力研究所）

P79 酸素イオン注入シリコンカーバイドにおける埋め込み非晶質層の構造解析
(Structural analysis of buried amorphous layers in oxygen-ion-implanted silicon carbide)
石丸　学、弘津禎彦
（大阪大学）

ダイヤモンドおよび酸化物

P80 金属／CVDダイヤモンド薄膜の接合特性
(Junction Properties of Metal/CVD Diamond Films)
山中貞則、竹内大輔、大串英世
（電子技術総合研究所）

P81 ダイヤモンド薄膜の格子状形成によるエミッションサイト数の増大
(Increase in number of emission site by embossment deposition of diamond film)
松川年寿、大矢　剛、庄　善之、岩瀬満雄、和泉富雄
（東海大学）

P82 レーザーアブレーション法によるサファイア基板上へのエピタキシャルTiO2薄膜の作製と評価
(Fabrication and characterization of epitaxial TiO2 thin films on sapphire substrates by pulsed laser deposition)
篠原竜児1)、八巻徹也2)、住田泰史2)、山本春也2)、宮下敦巳2)、伊藤久義2)、浅井圭介1)
（1）東京大学、2)日本原子力研究所）

窒化物

P83 RF-MBEによる高品質AlGaN/GaNヘテロ構造の作製及びその評価
(Fabrication and characterization of high-quality AlGaN/GaN heterostructures grown by RF-MBE)
沈旭強、井手利英、清水三聡、奥村　元
（電子技術総合研究所）

P84 選択マストランスポートによる面内GaN/AlGaNヘテロ構造の作製
(In-plane GaN/AlGaN Heterostructures by Selective Mass Transport)
斉藤真一、湯川洋平、小嵜正芳、新田州吾、岩谷素顕、山口栄雄、天野　浩、赤�普@勇
（名城大学）

P85 立方晶InGaN、及びInGaN/GaN多重量子井戸構造のrf-MBE成長と評価
(Growth and characterization of cubic InGaN and InGaN/GaN multiple quantum wells by rf-MBE
北村寿朗、*鈴木祥仁、石田夕起、沈旭強、 *中西久幸、**秩父重英、奥村　元
（電子技術総合研究所、*東京理科大学、**筑波大学）

P86 rf-MBEによりGa極性成長したAlGaN/GaNヘテロ接合FET
(AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors Using Ga-polarity Crystal grown by rf-MBE)
井手利英*、清水三聡**、鈴木　晃、沈旭強、奥村　元*、根本俊雄
（電子技術総合研究所、*明治大学、**東海大学）

P87 サファイア基板上AlxGa1-xNのショットキー特性
(Characteristics of Schottky barrier diodes or AlxGa1-xN on Sapphire)
大野彰仁、石川博康、江川孝志、神保孝志、坂本　功、梅野正義
（名古屋工業大学）

P88 Schottky contacts of Ni/Au on n-GaN grown on sapphire and SiC substrates
B. J. Zhang, G. Y. Zhao, N. Nishikawa, M. Adachi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo,
and M. Umeno
（Nagoya Institute ofTechnology）

P89 微小GaNショットキー接触を用いた転位と　I-V特性との相関の評価
(The effect of dislocations to I-V characteristics of sub-μm GaN Schottky contacts)
塩島謙次、末光哲也、小椋充将*
（NTTフォトニクス研究所、京都大学*）

P90 サファイア基板上GaInN MQWレーザの光励起特性
(Characteristics of Optical Pumped GaInN MQW Laser Diodes on Sapphire)
岸　直希、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
（名古屋工業大学）

P91 GaN系面発光レーザ用GaN/AlGaN DBR
(GaN/AlGaN DBR for GaN-based VCSEL)
中田尚幸、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
（名古屋工業大学）

P92 TiO2/SiO2誘電体多層膜反射鏡を用いたサファイア基板上InGaN MQW LEDの高出力化
(High power InGaN MQW LEDs on sapphire substrate with TiO2/SiO2 distributed Bragg reflectors)
石黒靖浩、中田尚幸、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
（名古屋工業大学）

P93 MOCVD成長中におけるSi基板上GaNのメルトバックエッチング
(Meltback etching of GaN on Si substrate during the MOCVD growth)
石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
（名古屋工業大学）

P94 フラックス法を用いたAlGaNバルク単結晶の成長
(Growth of bulk AlGaN crystals using Na flux method)
Goundar Kamal Kishore、安井寛治、赤羽正志
（長岡技術科学大学）

P95 光照射MOCVD法によるGaNP成長と評価
(GaNP grown by photo-assisted MOCVD and its characterization)
伊東義曜、吉田清輝、城川潤二郎
（古河電気工業）

P96 GaNにおけるGe活性化に及ぼすN/Ge同時イオン注入の効果
(Effect of N/Ge sequential co-implantation on the Ge activation of GaN)
中野由崇、加地　徹
（豊田中央研究所）

P97 同軸型直衝突イオン散乱分光法によるウルツ型GaN (0001)薄膜の表面構造解析
(Surface Structual Analysis of Wurtzite GaN (0001) Film by Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy)
佐原　徹、楮原幹大、安部功二、江龍　修、中嶋堅志郎、石川博康、江川孝志、梅野正義
（名古屋工業大学）

P98 GaNにおける励起子の位相破壊時間の温度依存性
(Temperature dependence of dephasing time in GaN)
羽豆耕治1)、鹿内周1)、宗田孝之1)、足立　智2)、秩父重英3)、中村修二4)
（1）早稲田大学、2)北海道大学、3)筑波大学、4)日亜化学工業）

P99 Siドープn型GaNにおける永続光伝導
(Persistent photoconductivity in Si doped n-type GaN)
中村達人、児島一聡*、沈旭強*、奥村　元*、矢口裕之、吉田貞史
（埼玉大学、電子技術総合研究所*）

P100 High responsivity MSM UV photodetector based on GaN with back illumination
H. JIANG, N. NAKATA, G. Y. ZHAO, H. ISHIKAWA, T. EGAWA, T. JIMBO and M. UMENO
（Nagoya Institute of Technology）

P101 GaInN多重量子井戸のフォトルミネッセンス特性
(Photoluminescence study of GaInN multi-quantm-Well structures)
森　正義、石川博康、江川孝志、神保孝志、増井寛二、梅野正義
（名古屋工業大学）