SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第９回講演会

主催：応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

場所：名古屋国際会議場

9th Meeting on SiC and Related Wide Bandgap Semiconductors,

Nagoya Congress Center

Dec. 13-14, 2000

目次  Contents

１２月１３日(水)　９：３０-１７：４５(懇親会１８：００-２０：００)

(Dec. 13, Wednesday, 9:30-17:45, Reception 18:00-20:00)

               9:30       開会の辞 (Opening Address)

                              中島信一 (宮崎大学)

�T.         招待講演１ (Invited Talk, 1) (9:40 - 11:50)

�T-1   9:40       縦型ホットウォールCVDによるSiCエピタキシャル成長技術

                              (SiC Epitaxial Growth by Vertical Hot-Wall Type Chemical Vapor Deposition)

                              高橋邦方、横川俊哉、内田正雄、楠本　修、山下賢哉、北畠　真 (松下電器産業)

�T-2   10:10     Si(001)基板上への大面積3C-SiCヘテロエピタキシャル成長

                              -  面欠陥解消および電気的特性 -

                              (Large area 3C-SiC hetero-epitaxial growth on Si(001)substrate

                              -  Extermination of planar defects and electric properties -)

                              長澤弘幸、八木邦明、河原孝光 (HOYA)

           10:40-10:50 休憩(Break)

�T-3   10:50     リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMT

                              (Recessed Gate AlGaN/GaN HEMT on Sapphire Substrate)

                              梅野正義、江川孝志、石川博康 (名古屋工業大学)

�T-4   11:20     FIB法による�V族窒化物半導体レーザダイオードの光共振器の作製

                              (GaN based laser diode with mirrors etched by focused ion beam)

                                      加藤久喜(現在　豊田合成)、安部智利（現在　富士通VLSI）、天野　浩、赤�普@勇(名城大学)

            11:50 - 13:00　昼食 (Lunch)

�U.    招待講演２ (Invited Talk, 2) (13:00 - 15:00)

�U-1 　13:00   ラマン散乱による半導体/金属電極反応の研究

                         (Raman Study on the Semiconductor-Metal Electrode Reactions)

                 播磨　弘 (大阪大学)

�U-2 　13:30   n-型4H-および6H-SiC中の電子移動度に関する理論的解析

                         (Theoretical study of the low field electron mobility in 4H- and 6H-SiC)

                 伊藤公平、岩田一紗臣 (慶応義塾大学)

�U-3　 14:00   実デバイスに適合したSiC低抵抗コンタクト

                 (Ohmic Contacts Applicable to SiC Electron Devices)

                 谷本 智 (新機能素子研究開発協会)

�U-4 　14:30   ポストSiパワーデバイスへの期待

                 (The prospects for post-Si power devices)

                 石子雅康 (豊田中央研究所)

�V.         ポスターセッション (Poster session for contributed papers)(15:15 - 17:45)

注：ポスター説明者も他の人の発表が見られる様、説明時間を2グループに分けて行います。

15:15 - 16:30ポスター番号奇数の方説明、16:30- 17:45ポスター番号偶数の方説明

                    　

            18:00 - 20:00 懇親会 (於：１号館７階展望レストラン「パステル」)

                        (Reception at Skyview Restaurant "Pastel" 7F, BLDG.1)

１２月１４日(木)　９：００-１７：００

(Dec. 14. Thursday, 9:00-17:00)

�W.    招待講演３ (Invited Talk, 3) (9:00 - 10:30)

�W-1 　9:00    SiCイオン注入層における再結晶化過程の面方位依存性

                         (Recrystallization of the implantation-induced amorphous layer in (0001)-, (1-100)-,

                 (11-20)-oriented SiC)

                 佐藤政孝 (法政大学)

�W-2 　9:30    ZnO薄膜の価電子制御とデバイス応用

                         (Control of electric properties of ZnO films and their application to devices)

                 田畑 仁、川合知二 (大阪大学)

�W-3 　10:00   電子デバイス用高品質ダイヤモンド薄膜

                 (High quality diamond films for electronic devices)

                 大串秀世, 山中貞則、渡辺幸志、竹内大輔 (電子技術総合研究所)

            10:30 - 10:50  休憩 (Break)

V.    分野別ディスカッション (Panel Discussion) (10:50 - 15:00)

�X-1 分野別ディスカッション1(Panel Discussion 1) (１０：５O-１２：２O)

(1)SiC結晶成長 (バルク・エピ)             オーガナイザー：西野茂弘(京都工芸繊維大学)

(2)  SiCプロセス、デバイス技術            オーガナイザー：木本恒暢 (京都大学)

            12:20 - 13:30　昼食 (Lunch)

Ｖ-2 分野別ディスカッション2 (Panel Discussion 2) (１３：３O-１５：０O)

(3)  ワイドギャップ半導体基礎評価技術    オーガナイザー：四戸　孝 (東芝)

(4)  窒化物結晶成長とデバイス応用            オーガナイザー：加地　徹 (豊田中央研究所)

           15:00 - 15:15  休憩 (Break)

VI   国際会議報告 (International Meeting Report) (15:15-16:15)

�Y-1 　15:15   ECSCRM2000報告

                 (Report on the Third European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2000)

                 木本恒暢 (京都大学)

VI-2 　15:30   Fall meeting of MRS2000

                 西野茂弘(京都工芸繊維大学)

VI-3 　15:45   窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2000)の話題から

                 (Technical Topics of the International Workshop on Nitride Semiconductors)

                 鈴木　彰 (シャープ)

VI-4 　16:00   第５回高温エレクトロニクス国際会議報告

                 (Report on 5th International High Temperature Electronics Conference)

                 田島道夫　 (宇宙科学研究所)

�Z.    分科会報告 (Panel Discussion Report) (16:15- 16:55)

�Z-1 　16:15   SiC結晶成長 (バルク・エピ)               西野茂弘 (京都工芸繊維大学)

�Z-2 　16:25   SiCプロセス、デバイス技術                木本恒暢 (京都大学)

�Z-3　 16:35   ワイドギャップ半導体基礎評価技術  四戸　孝 (東芝)

�Z-4　 16:45   窒化物結晶成長とデバイス応用         加地　徹 (豊田中央研究所)

       16:55  閉会の辞 (Closing Remarks)