本分科会の活動の活性化と若手研究者の育成を図るために、本分科会が主催する講演会で優れた研究成果を積極的にアピールした若手研究者を表彰する制度です。2004年度講演会より実施しています。（研究奨励賞実施規程はこちら）
分科会講演会の閉会式にて表彰し（表彰状・記念品贈呈）、分科会ホームページに受賞者名を掲載いたします。
| 第19回受賞者（分科会 第9回講演会・2022年12月20日-21日・福岡国際会議場）【75件, 34件】 | ||
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| 柴田 峻弥 （京都大学） | IA-4 | 半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製した縦ゲートJFETの閾値電圧制御性の向上 |
| 中沼 貴澄 （大阪大学） | IA-7 | 酸化および熱処理プロセスによるSiO2/SiC界面発光中心の制御 |
| 第18回受賞者（分科会 第8回講演会・2021年12月9日-10日・オンライン）【50件, 20件】 | ||
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| 浅田 聡志 （電力中央研究所） | IA-5 | 様々な積層欠陥がn型4H-SiCエピ層の伝導帯に形成するポテンシャル障壁 |
| 松岡 大雅 （京都大学） | IA-4 | Sイオン注入n型SiC層の形成およびSドナーのイオン化エネルギー評価 |
| 第17回受賞者（分科会 第7回講演会・2020年12月9日-10日・オンライン）【42件, 15件】 | ||
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| 角田 隼 （早稲田大学） | IA-1 | トレンチ構造を持つ縦型二次元正孔ガスダイヤモンドパワーMOSFETの大電流密度（20 kA/cm2, 710mA/mm）・低オン抵抗化（2.5 mΩcm2） |
| 坂田大輝 （筑波大学） | IA-4 | 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価 |
| 第16回受賞者（分科会 第6回講演会・2019年12月3日-4日・広島国際会議場）【88件, 22件】 | ||
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| 伊藤 滉二 （京都大学） | IA-9 | SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響 |
| 根本 宏樹 （筑波大学） | IA-12 | pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析 |
| 第15回受賞者（分科会 第5回講演会・2018年11月6日・京都テルサ）【116件, 27件】 | ||
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| 中島 誠志 （京都大学） | IA-22 | 高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製 |
| 鐘ヶ江 一孝 （京都大学） | IA-9 | n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価 |
| 第14回受賞者（分科会 第4回講演会・2017年11月1日・名古屋国際会議場）【118件, 28件】 | ||
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| 一村 愛子 （デンソー） | IA-27 | 1030 V, 0.94 mΩcm2 SiCトレンチMOSFETの開発 |
| 小久保 信彦 （名古屋大学） | IB-17 | ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の刃状成分の解析 |
| 第13回受賞者（分科会 第3回講演会・2016年11月9日・つくば国際会議場）【135件, 40件】 | ||
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| 田中 一 （京都大学） | P-51 | ｐ型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討 |
| 森 誠悟 （ローム） | P-125 | 3kV 4H-SiC逆阻止MOSFETの作製と特性評価 |
| 第12回受賞者（分科会 第2回講演会・2015年11月10日・大阪国際交流センター）【96件, 23件】 | ||
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| 小林 拓真 （京都大学） | P-65 | 高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討 |
| 田尻 光毅 （大阪大学） | P-41 | SF6ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによるSiC基板の高能率加工 |
| 第11回受賞者（分科会 第1回講演会・2014年11月19日・ウインクあいち）【100件, 27件】 | ||
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| 平井 悠久 （東京大学） | P-47 | 4H-SiC/SiO2界面に低温O2酸化によって形成される酸化副生成物の赤外分光法による解析 |
| 内田 光亮 （住友電気工業） | P-77 | 埋込み耐圧構造を有するV溝型トレンチSiC MOSFETの特性評価 |
| 第10回受賞者（第22回講演会・2013年12月10日・埼玉会館）【140件, 35件】 | ||
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| 丹羽 弘樹 （京都大学） | C-25 | 4H-SiC における衝突イオン化係数の温度依存性 |
| 大岡 篤志 （パナソニック） | C-37 | ダイオード内蔵型SiC-MOSFET（DioMOS）の設計と特性改善 |
| 第9回受賞者（第21回講演会・2012年11月20日・大阪市中央公会堂）【113件, 26件】 | ||
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| 梶 直樹 （京都大学） | II-3 | 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製とキャリア寿命向上プロセスを用いた低オン抵抗化 |
| 大黒 寛典 （トヨタ自動車） | P-1 | 界面形状制御溶液法による4H-SiC バルク成長 |
| 第8回受賞者（第20回講演会・2011年12月9日・愛知県産業労働センター）【124件, 37件】 | ||
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| 池口 大輔 （大阪大学） | P-75 | 紫外線照射による熱酸化膜SiO2/SiC構造中の電気的欠陥生成 |
| 中野 佑紀 （ローム） | P-111 | 690V 1.00mΩcm2 SiCダブルトレンチMOSFET |
| 第7回受賞者（第19回講演会・2010年10月22日・つくば国際会議場）【88件, 31件】 | ||
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| 纐纈 英典 （奈良先端科技大学） | P-19 | 塩素ガス熱エッチングによる4H-SiCサブトレンチの解消 |
| 宮澤 哲哉 （電力中央研究所） | P-31 | 炭素イオン注入・熱処理法を適用した4H-SiCエピ膜のキャリア寿命 |
| 第6回受賞者（第18回講演会・2009年12月17日・神戸国際会議場）【105件, 31件】 | ||
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| 岡本 大 （奈良先端科技大学） | P-67 | SiO2/SiC界面へのリンの導入による高チャネル移動度4H-SiC MOSFETの作製 |
| 川原 洸太郎 （京都大学） | P-73 | デバイスプロセスによって4H-SiC中に生じる深い準位の検出および低減 |
| 第5回受賞者（第17回講演会・2008年12月8日・大田区産業プラザ）【113件, 38件】 | ||
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| 日吉 透 （京都大学） | P-35 | 熱酸化によるn型4H-SiC中の深い準位の低減 |
| 渡辺 優 （大阪大学） | P-91 | 窒素プラズマ照射および水素ガスアニールによるSiO2/SiC界面欠陥終端化とその熱劣化過程の評価 |
| 第4回受賞者（第16回講演会・2007年11月3日・愛知県女性総合センター）【76件, 13件】 | ||
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| 伊藤 雅彦 （電力中央研究所） | P-1 | 大面積均一性を伴った高速4H-SiCエピタキシャル結晶成長技術の開発 |
| 鈴木 拓馬 （東芝） | P-71 | ドライ酸化膜のウェット再酸化による、高チャネル移動度・高信頼性4H-SiC（000-1）面ゲート酸化膜の実現 |
| 第3回受賞者（第15回講演会・2006年11月9日・高崎シティギャラリー）【83件, 21件】 | ||
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| 但野 克典 （京都大学） | P-22 | n型4H-SiC成長層における深い準位の評価と起源の考察 |
| 日野 史郎 （東京工業大学） | P-71 | MOCVD法による低温堆積したAl2O3膜をゲート絶縁膜に有する高移動度4H-SiC MOSFETの作製と評価 |
| 第2回受賞者（第14回講演会・2005年11月10日・京都大学）【79件, 11件】 | ||
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| 覚張 光一 （埼玉大学） | P-25 | In-SituエリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察 |
| 原 英之 （大阪大学） | P-30 | 触媒作用を援用した化学ポリシング法による4H-SiC（0001）の加工 |
| 第1回受賞者（第13回講演会・2004年10月22日・名古屋国際会議場）【77件, 20件】 | ||
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| 小杉 亮治 （産業技術総合研究所） | P-78 | （0001）4H-SiC高温（＞1,400℃）急速酸化および窒化 |
| 根来 佑樹 （京都大学大学院） | P-21 | Al,Bイオン注入4H-SiCの注入飛程端付近における電気特性 |
