講演会プログラム

タイムスケジュール　※2016.10.4時点

11月8日(火)
時間 大ホール 中ホール 多目的ホール ２Ｆホワイエ（通路）
9:00～ 受付開始 （展示準備）
10:00-10:05 開式の辞
10:05～11:35 セッションⅠ：基調講演
基調講演１
   嶋田隆一(筑波大)　「パワー半導体が拓く高機能な電力システムへの期待」
 基調講演２
   岩佐稔(JAXA)　「人工衛星の電力制御システムと先進パワー半導体への期待」
11:35-13:00 昼食 企業展示
13:00～16:00     ＜ポスター発表＞
13:00-14:30
奇数番号講演
14:30-16:00
偶数番号講演
16:00-16:10 休憩
16:10～17:40 インダストリアルセッション（Ⅰ） インダストリアルセッション（Ⅱ）
18:30～20:30 懇親会（アネックス）


11月9日(水)
時間 大ホール 中ホール ２Ｆホワイエ（通路）
9:00～
10:10		 セッションⅡ：SiC、Si結晶・評価
招待講演
・中川聰子（グローバルウェーハズ・ジャパン）　「フォトルミネッセンス法によるシリコン結晶中の炭素濃度の解析 」
・一般講演×２		 セッションⅢ：ダイヤ、GaOなど
招待講演
・織田真也(フロスフィア)　「酸化ガリウム（α-Ga2O3）超低オン抵抗ダイオードの開発」
・一般講演×２		 企業展示
10:10-10:30 休憩
10:30～
11:40		 セッションⅣ：SiCプロセス・デバイス
招待講演
・原田信介（産総研）　「第2世代SiC MOSFET "IE-UMOSFET"の開発と今後の展開」
・一般講演×２		 セッションⅤ：GaN
招待講演
・須田淳（京大）　「縦型GaNパワーデバイス実現に向けたGaNの物性評価」
・一般講演×２
11:40-13:00 昼食
13:00～
14:30		 セッションⅥ：招待講演
・大澤弘（昭和電工）　「SiCパワーデバイス用エピウエハの開発・量産状況」
・渡部平司（阪大）　「先進パワーデバイスにおける新規ゲート絶縁膜開発　－SiC及びGaN基板上MOS構造形成技術の類似点と相違点－」
・上田哲三（パナソニック）　「ワイドギャップパワー半導体デバイスの最新技術」		  
14:30-14:50 休憩
14:50～
15:30		 セッションⅦ：奨励賞受賞記念講演
・田尻光毅（阪大）　「サブ大気圧プラズマを用いたSiC基板の高能率加工」
・小林拓真（京大）　「高濃度AlドープSiCの酸化機構とMOS界面電子物性」
 （展示撤収）
15:30～
16:15		 セッションⅧ：特別講演
特別講演
・板東 真史（本田技研）　「燃料電池車へのFull SiC適用事例の紹介と今後のワイドバンドギャップ半導体への期待(仮)」
16:15-16:25 奨励賞授賞式
16:25-16:35 閉式の辞
先進パワー半導体分科会第３回講演会実行委員会 adps_3rd_meeting@opt.ees.saitama-u.ac.jp