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口頭発表プログラム
11月 8日（火）(Tuesday 8 November）
【大ホール（１F）】
オープニングセッション 10:00-10:05
| 開会の辞 | |
| 幹事長 土田秀一 （電中研） |
セッションⅠ 10:05-11:35
基調講演
| I-1 10:05-10:50 |
パワー半導体が拓く高機能な電力システムへの期待 High-performance power system by the power semiconductors |
| 嶋田 隆一（筑波大） |
| I-2 10:50-11:35 |
人工衛星の電力制御システムと先進パワー半導体への期待 The power control system for spacecraft and expectations of advanced power semiconductors |
| 岩佐 稔（宇宙航空研究開発機構） |
ポスターセッション 13:00-16:00
インダストリアルセッション 16:10-17:40
11月 9日（水）(Wednesday 9 November）
セッションⅡ 9:00-9:30
【大ホール（１F）】
| フォトルミネッセンス法によるシリコン結晶中の炭素濃度の解析 Analysis of carbon concentration in silicon crystal using luminescence activation |
|
| 中川 聰子（グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社） |
| II-2 | X線透過法によるSiC溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察 In-situ observation of flow and shape of solution during SiC solution growth by X-ray transmission method |
| 酒井武信1、加渡幹尚2、大黒寛典2、原田俊太3、宇治原徹3 (1名古屋大学 未来社会創造機構、2トヨタ自動車株式会社、3名古屋大学未来材料・システム研究所) | |
| SiC溶液成長法では、溶液表面に対する種結晶の相対的位置関係により、溶液の流れや温度勾配が変化し、結晶成長面が異なる。特に、メ ニスカスにより温度差を生じさせる方法では重要である。X線透過法によるその場観察手法を開発し、溶液液面の形状と流動状態の観察とメニスカスの高さの時 間的変化を明らかにする |
| II-3 | 4H-SiCエピ成長におけるB, Ti, Vドーピングによるキャリア寿命制御 Carrier lifetime control using B, Ti, and V doping during epitaxial growth of 4H-SiC |
| 宮澤哲哉、俵武志、土田秀一 (電力中央研究所、産業技術総合研究所、富士電機株式会社) | |
| B, TiおよびVをドーピングしたエピ膜を4H-SiC基板上に形成した。エピ膜のPLスペクトルではバンド端発光強度の減少が確認され、不純物をドーピング することで新たなキャリア再結合経路が導入されたことが示唆された。これらの不純物密度を高めることで、エピ膜のキャリア寿命を低減できることを明らかに した。 |
セッションⅢ 9:00-10:10
【中ホール（２F）】
| III-1 【招待講演】 |
酸化ガリウム（α-Ga2O3）超低オン抵抗ダイオードの開発 Development of ultra low specific on-resistance α-Ga2O3 diodes |
| 織田 真也1, 2，人羅 俊実1（1株式会社FLOSFIA，2 京都大学） | |
| III-2 | EBICを用いたダイヤモンドSBDの欠陥評価とアバランシェパラメータの抽出 Characterization of defects on diamond SBD using EBIC and extract of avalanche parameters |
| 梅沢 仁1,2,3、加藤 由香子1、Khaled Driche2,3,4、儀間弘樹5、吉武剛5、Etienne Gheeraert2,3,4、杢野由明1 (1AIST、2Inst. Néel、3Univ. Grenoble Alpes、4筑波大学、5九州大学) | |
| III-3 | 反転層pチャネルダイヤモンドMOSFETの静特性 Static characteristics of inversion p-channel diamond MOSFETs |
| 松本翼1,2、加藤宙光2、小山和博3、牧野俊晴2、小倉政彦2、竹内大輔2、猪熊孝夫1、徳田規夫1,2、山崎聡2 (1金沢大学理工研究域、2産総研先進パワエレ、3デンソー基礎研究所) | |
| ダイヤモンドは高い絶縁破壊電界や熱伝導率を有する究極のパワー半導体材料であるが、良好なMOS界面の形成が困難なため、反転層は実 現していなかった。我々はウェットアニールによるMOS界面の高品質化によって、最も代表的なパワースイッチの反転層チャネルMOSFETをダイヤモンド で初めて動作実証に成功した。 |
セッションⅣ 10:30-11:40
【大ホール（１F）】
| IV-1 【招待講演】 |
第2 世代SiC MOSFET "IE-UMOSFET"の開発と今後の展開 2nd Generation SiC MOSFET “IE-UMOSFET” and future development |
| 原田 信介（産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究セ ンター） | |
| IV-2 | V溝型トレンチSiC MOSFETの信頼性評価 Reliability Characterizations of V-groove Trench MOSFETs |
| 日吉 透、内田 光亮、酒井 光彦、 古米 正樹、 築野 孝、 御神村 泰樹 (住友電気工業株式会社) | |
| 我々は、4H-SiC(0-33-8)をチャネルに用いたV溝型SiC MOSFETの開発を進めている。昨年度の報告では、ドリフト層の濃度分布が特性バラツキに与える影響や信頼性試験を紹介した。本報告では、信頼性試験結 果をアップデートすると共に、酸化膜信頼性試験についても紹介する。 |
| IV-3 | レーザーアニールによるＳｉＣデバイスのオーミック電極の形成 －ドライエッチングによる基板表面のフッ素終端－ Formation of ohmic electrode of SiC device by Laser anneal －F-Termination of SiC Surface by the Dry-Etching－ |
| 河合 潤、杉浦 和彦 (株式会社デンソー 基礎研究所) | |
| ＳｉＣデバイスのオーミック電極を形成する方法として、近年、裏面のみをレーザーアニールにより局所加熱する技術が報告されている。電 極形成の前処理として、ドライエッチングにより基板表面をフッ素終端することでコンタクト抵抗を低減できることが分かったのでメカニズムと合わせて議論す る。 |
セッションⅤ 10:30-11:40
【中ホール（２F）】
| V-1 【招待講演】 |
縦型GaN パワーデバイス実現に向けたGaN の物性評価 Electrical characterization of homoepitaxial GaN for vertical power device applications |
| 須田 淳，堀田 昌宏（京都大学大学院工学研究科） | |
| V-2 | エッチピット法、CLマッピング及びTEMによる自立HVPE-GaN基板の転位検出と分類 Dislocation revelation and categorization for thick free-standing HVPE-GaN by using etch pits, cathodoluminescence mapping and TEM |
| 姚永昭1、石川由加里1,2、菅原義弘1、横江大作1、須藤正喜2、岡田成仁3、只友一行3 (1ファインセラミックスセンター(JFCC)、2名古屋工業大学、3山口大学大学院) | |
| 本研究では、強い酸化剤Na2O2を添加した溶融KOHを用いたエッチピット法で、HVPE法GaN単結晶の貫通転位の検出・分類につ いて検討した。その結果をCLマッピングで得た転位のキャリア再結合強度と比較した。また、TEMを用い、ピット直下の転位構造を観察し、転位分類の精度 を検証した。 |
| V-3 | SiO2/GaN構造の熱酸化処理による極薄GaOx界面層形成とMOS界面特性向上 Formation of thin GaOx Interlayer by thermal oxidation of SiO2/GaN and its effect on electrical properties |
| 山田 高寛1、渡邉 健太1、野崎 幹人1、吉越 章隆2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1阪大院工、2原子力機構) | |
| SiO2層をGaN基板上に成膜した試料の熱酸化を行った。GaN表面の直接酸化に比べてSiO2/GaN構造では酸化が抑制され、平坦かつ極薄GaOx界面層が形成可能であることがわかった。本手法で作製したSiO2/GaOx/GaN MOSキャパシタの電気特性は非常に優れた界面が実現されていることを示した。 |
セッションⅥ 13:00-14:30
【大ホール（１F）】
招待講演
| VI-1 13:00-13:30 |
SiC パワーデバイス用エピウエハの開発・量産状況 Recent developments in commercial 4H-SiC epitaxial wafers for power devices |
| 大澤 弘，馬渕 雄一郎，西原 禎孝，郭 玲，石橋 直人，深田 啓介， 亀井 宏二（昭和電工株式会社） |
| VI-2 13:30-14:00 |
先進パワーデバイスにおける新規ゲート絶縁膜開発 －SiC 及びGaN 基板上MOS 構造形成技術の類似点と相違点－ Gate stack technology for advanced power semiconductor devices －Technological similarities and differences between SiC and GaNMOS development－ |
| 渡部 平司，志村 考功，細井 卓治（大阪大学大学院工学研究科） |
| VI-3 14:00-14:30 |
ワイドギャップパワー半導体デバイスの最新技術 State-of-the-art Technologies of Wide-Band-Gap Power Semiconductor Devices |
| 上田 哲三（パナソニック株式会社オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社） |
セッションⅦ 14:50-15:30
【大ホール（１F）】
昨年度研究奨励賞受賞記念講演
| VII-1 14:50-15:10 |
SF6ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによるSiC加工の高速化検討 Thinning of SiC wafer by sub-atmospheric-pressure plasma etching with SF6 |
| 田尻 光毅, 井上 裕貴, 佐野 泰久, 松山 智至, 山内 和人（大阪大学大 学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻） |
| VII-2 15:10-15:30 |
高濃度AlドープSiCの酸化機構とMOS界面電子物性 Impacts of heavy Al doping on SiC oxidation mechanism and MOS interface properties |
| 小林 拓真，中澤 成哉，奥田 貴史 , 須田 淳, 木本 恒暢（京都大学工学研究科） |
セッションⅧ 15:30-16:15
【大ホール（１F）】
特別講演
| VIII-1 15:30-16:15 |
燃料電池車へのFull SiC 適用事例の紹介と今後のワイドバンドギャップ半導体への期待 Introduction of Full SiC application examples of the fuel cell vehicle and the expectations for the future of wide band gap semiconductor |
| 板東 真史（株式会社本田技術研究所四輪R&Dセンター） |
クロージングセッション 16:15-16:35
【大ホール（１F）】
| 研究奨励賞授賞式 |
| 閉会の辞 | |
| 幹事長 土田秀一 （電中研） |
先進パワー半導体分科会第３回講演会実行委員会 adps_3rd_meeting@opt.ees.saitama-u.ac.jp