新領域「励起ナノプロセス」研究グループ

第２回研究会

琵琶湖

記念写真

内容：励起ナノプロセスの最先端を紹介し、問題点と各種励起間の相互関係を議論しました。
　　　今回は特に、Si系物質およびC系物質の構造改変の最新成果をもとに多角的に検討しました。

＊＊＊＊＊＊＊＊　　プログラム　　＊＊＊＊＊＊＊＊
８月２７日（日）　司会：村上浩一（筑波大）、金山敏彦（産総研）
13:30 - 14:30 放射光照射によるSi系材料の構造変化：赤澤方省（NTT）
14:30 - 15:30 レーザーアブレーション法により生成した半導体Siナノ細線 -熱酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング- ：深田直樹（物材機構）
　　休　憩
15:50 - 16:50 SiO2の光構造変化：細野秀雄（東工大）
16:50 - 17:40 Car-Parrinello MD によるSiO2へのレーザー照射の理論：押山　淳（筑波大）
17:40 - 18:30 先端LSI微細配線におけるCu/Low-k（低誘電率）絶縁膜実用化技術　-電子線/紫外線照射による構造、物性変化-：依田　孝（東芝）

19:00 - 20:30 夕食　懇親会　

８月２８日（月）　司会：萱沼洋輔（大阪府大）、間瀬一彦（KEK）
9:00 - 9:30 高密度欠陥を持つナノチューブの欠陥自己修復と新奇ナノチューブ：岡田　晋（筑波大）
9:30 - 10:00 軟X線内殻励起によるアモルファスカーボンの構造変化：前田康二（東大工）
10:00 - 10:30 STM探針からのキャリア注入による C60ポリマーリングの形成：久保園芳博（岡山大理）
10:30 - 10:40 まとめ
　　　　　　　　休　憩
11:00 - 12:00 多価イオン照射プロセスの現状と展望：大谷俊介（電通大レーザー）
12:00 - 13:00 昼　食
　　　　　　　終　了

　講演概要（pdf）

　講演要旨：（当研究グループのメンバーのみdownload可）　 [４] スケジュールへ
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