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結晶工学分科会研究会
2019年度以前の講演会について下記リンク（青字）からコンテンツにアクセスできます（分科会会員のみ）

研究会

第161回 (2024. 7) 窒化物半導体発光デバイスの最前線
第160回 (2024. 4) 放射線計測と結晶工学
第159回 (2023. 6) 次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線
第158回 (2023. 4) 量子技術と結晶工学 -
第157回 (2022. 6) 窒化物半導体光デバイスの最前線
- 結晶成長の理解とデバイス開発 -
第156回 (2022. 4) 宇宙環境での結晶工学
第155回 (2021. 6) カーボンニュートラルに結晶工学が果たす役割
- 地球温暖化問題の現状と解決に向けた最前線 -
第154回 (2021. 4) 半導体結晶加工技術の最先端
　- シリコンからワイドギャップ半導体まで-
第153回 (2020. 11) 紫外材料・デバイス開発の最前線
　～結晶成長の理解とデバイス開発～
第152回 (2020. 4) 半導体結晶加工技術の最先端
　- シリコンからワイドギャップ半導体まで-
コロナウィルス感染防止のため中止
第151回 (2019. 6) いまからはじめるインフォマティクス
　～チュートリアルから先端事例まで～
第150回 (2019. 4) これからはじめる放射光
　～微細評価の新展開～
第149回 (2018. 6) GaN on GaNパワーデバイスにむけて
　～p型GaNの結晶工学～
第148回 (2018. 4) 2次元シート結晶の科学技術の最前線
　～マテリアルサイエンスからエンジニアリングまで～
第147回 (2017. 6) ワイドバンドギャップ半導体デバイス
　～窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御～
第146回 (2017. 4) ペロブスカイトは結晶か？
　-有機金属ハライド太陽電池の特殊性・一般性と可能性
第145回 (2016. 6) ワイドギャップ半導体を支える バルク基板とエピ技術
第144回 (2016. 4) 結晶工学的アプローチによる半導体ナノワイヤ形成と応用の最前線
第143回 (2015. 6) 深紫外固体発光デバイス開発・応用の最前線
第142回 (2015. 2) シリコン系太陽電池
　—最先端技術と将来展望—
第141回 (2014. 6) GaN，SiC系パワーデバイス
　—結晶欠陥の評価・制御の最前線—
第140回 (2014. 4) 酸化物薄膜デバイスの新展開
　—ITO, IGZO,新材料,さらなる発展に向けて—
第139回 (2013. 6) ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス
　—GaN, SiC, Ga2O3結晶の最前線—
第138回 (2013. 4) 次世代不揮発性メモリ材料・デバイスを 結晶工学の視点から探る
第137回 (2012. 6) 窒化物半導体光デバイスの最前線
　～基板・エピ成長と評価技術～
第136回 (2012. 4) 省エネ・創エネ技術における結晶工学の最前線
　—超伝導、窒化物、太陽電池—
第135回 (2011. 6) ワイドギャップ半導体パワーデバイス
　～結晶成長と評価の最前線～
第134回 (2011. 4) ワイドバンドギャップ半導体単結晶の高圧育成と成長制御技術
第133回 (2010. 7) これからはじめる太陽電池
　—基礎から課題まで—
第132回 (2010. 4) 半導体ナノ構造が切り開くナノエレクトロニクス
　－ナノ構造作製技術の現状と結晶工学の課題－
第131回 (2009. 7) 結晶欠陥の評価でみえる窒化物半導体の進展
第130回 (2009. 4) ディスプレイを目指す三原色レーザ光源
　－最新動向と結晶工学の課題－
第129回 (2008. 7) 結晶工学が開く次世代MEMS/NEMS技術
第128回 (2008. 4) 透明デバイスを担う結晶工学
　：多様なる透明導電性材料とデバイスの今後を見る
第127回 (2007. 7) IV族系半導体のひずみエンジニアリング
　：ひずみ・応力が結晶物性を変える
第126回 (2007. 4) シリコンと発光デバイスの融合
　：光るSiからSi上化合物発光材料まで
第125回 (2006. 8) 実験研究者のための計算機実験
　：実験屋のツールになりうるか？
第124回 (2006. 4) 電子デバイスをめざした有機結晶の新展開
　～有機結晶は無機結晶を超えられるか？～
第123回 (2005. 7) 不揮発メモリの現状と将来
第122回 (2005. 4) 平面型ディスプレイ用蛍光体および白色LEDの新展開
　～結晶工学による特性改善と新規蛍光体材料探索～
第121回 (2004. 7) ワイドギャップ半導体パワーデバイスの結晶工学
　—バルク結晶からデバイスまで—
第120回 (2004. 4) 半導体材料としてのZnO
　—基板、結晶性、ドーピング—
第119回 (2003. 6) ナノカーボンの結晶工学
　－構造制御と物性－
第118回 (2003. 4) 次世代ブロードバンドネットワークを築く結晶工学
第117回 (2002. 11) 0.1μm時代の極薄拡散バリア技術
第116回 (2002. 6) 最新ディスプレイ技術と結晶工学
第115回 (2002. 4) 次世代携帯電話の結晶工学
第114回 (2001. 6) 大容量記録技術を支える結晶工学
第113回 (2001. 4) SOIの結晶工学
　－0.1μｍ時代のシリコン基板－
第112回 (2000. 6) ジャイアントマイクロエレクトロニクスの結晶工学
　—大面積ポリシリコンとその応用—
第111回 (2000. 4) ワイドギャップ電子デバイスの結晶工学
　—21世紀のロバストデバイスを目指して—
第110回 (1999. 6) 水素と結晶工学 —究極の軽元素を制御する—
第109回 (1998. 5) 酸化物エレクトロニクスと結晶工学
第108回 (1998. 1) 量子ドットの結晶工学
　—サイズ分布は狭められるか—
第107回 (1997. 5) IV族ワイドギャップ半導体SiC、ダイヤモンドの結晶工学
　—耐環境電子素子を目指して—
第106回 (1997. 1) 多結晶薄膜の結晶工学
第105回 (1996. 5) 太陽電池材料の結晶工学
第104回 (1996. 1) G-bit USLIの電極技術
　—金属/半導体界面の結晶工学—
第103回 (1995. 1) 青色発光発展への課題
第102回 (1994. 5) シリコン・オプトデバイスの結晶工学
　—表示用TFTから発光・受光デバイスまで—
第101回 (1994. 1) シンクロトロン放射光(SR)と結晶工学
第100回 (1993. 7) 記念研究会 「結晶工学の変遷とその将来」
第99回 (1993. 1) 固体レーザー結晶およびレーザー制御用結晶の新展開
　—紫外から赤外まで—
第98回 (1992. 5) 青・緑色レーザ材料の結晶工学
第97回 (1992. 1) 大口径シリコン基板の結晶工学
第96回 (1991. 6) 酸化物超伝導体のエピタキシーの現状
第95回 (1991. 1) 空間光情報処理とフォトリフラクティブ結晶
第94回 (1990. 5) 結晶工学における励起プロセス
第93回 (1990. 1) 非線型光学結晶の展開
第92回 (1989. 5) ヘテロエピタキシー
　—低欠陥化へのアプローチ—
第91回 (1989. 1) 結晶成長のリアルタイム観察
第90回 (1988. 5) 原子層制御エピタキシャル成長と評価
第89回 (1988. 2) ファイバーオプティクス時代の酸化物結晶
第88回 (1987. 1) バルク結晶の育成と評価
第87回 (1986. 2) 光励起プロセス技術
第86回 (1985. 2) SOI (Semiconductor on Insulator)
　—基礎と将来—
第85回 (1984. 7) GaAs系のエピタキシャル成長とその結晶工学的評価
第84回 (1984. 2) 引上げ法における対流の問題
第83回 (1983. 5) 超格子構造とその応用
第82回 (1983. 2) 赤外線の結晶工学への応用
第81回 (1982. 5) 分析技術のノウハウ
第80回 (1982. 2) 磁性材料の最近の展開
　—材料からシステムまで—
第79回 (1981. 6) 結晶成長とストイキオメトリー
第78回 (1981. 2) 結晶工学におけるマイクロコンピュータ
第77回 (1980. 5) 半導体のゲッタリング技術
第76回 (1980. 2) 表面波材料とデバイス
第75回 (1979. 8) プラズマによる加工技術
第74回 (1979. 5) 極端技術と結晶工学
第73回 (1978. 9) 引上法単結晶の不均一性
第72回 (1978. 3) メモリーデバイスと材料
第71回 (1977. 8) 結晶成長の歴史と将来
第70回 (1977. 3) 最近の光学顕微鏡
　—結晶・素子評価のための光学顕微鏡の現状と問題点—
第69回 (1976. 9) GaAsサブミクロンエピタキシャル結晶の問題点
　～GaAsプレーナ素子用結晶～
第68回 (1976. 4) 青色発光素子用半導体
第67回 (1975. 12) エッチング
第66回 (1975. 7) CVDとLPE技術の比較
　—case study—
第65回 (1975. 3) 分子線結晶成長
第64回 (1974. 7) 化合物結晶のストイキオメトリ
第63回 (1973. 11) 高圧合成
第62回 (1973. 8) 固体の分析技術
第61回 (1973. 3) 応用磁性結晶
第60回 (1972. 12) 引上法の理論と実際
(1971. 3)  
第51回 (1971. 2)  
第50回 (1970. 9)  
第49回 (1970. 6)  
第48回 (1970. 2)  
第47回 (1969. 11)  
第46回 (1969. 9)  
第45回 (1969. 4)  
第44回 (1968. 9)  
第43回 (1968. 6)  
第41回  
第40回  
第39回  
第38回  
第37回  
第36回  
第35回  
第34回  
第33回  
第32回  
第31回  
第30回  
第29回  
第28回  
第27回  
第26回  
第25回  
第24回  
第23回 (1963. 2)  
第22回 (1962. 12)  
第21回 (1962. 11)  
第20回 (1962. 10)  
第19回 (1962. 9)  
第18回 (1962. 7)  
第17回 (1962. 6)  
第16回 (1962. 5)  
第15回 (1962. 2)  
第14回 (1961. 11)  
第13回 (1961. 9)  
第12回 (1961. 5)  
第11回 (1961. 3)  
第10回 (1961. 1)  
第9回 (1960. 10)  
第8回 (1960. 9)  
第7回 (1960. 6)  
第6回 (1960. 4)  
第5回 (1960. 2)  
第4回 (1959. 12)  
第3回 (1959. 11)  
第2回 (1959. 9)  
第1回 (1959. 6)  
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シンポジウム

第11回 (1995. 7) 酸化物薄膜の結晶工学
　—強誘電体メモリ、光ICなど新しいデバイスのためのキーマテリアルとして—
第10回 (1994. 7) シリコン基板上化合物半導体とデバイス
第9回 (1992. 7) 可視発光Siの作製と評価
第8回 (1991. 7) ダイヤモンド薄膜の成長と評価
第7回 (1990. 7) ULSIにおける結晶工学
第6回 (1989. 7) Si-Ge系エピタキシー技術
第5回 (1988. 7) 16Mビット時代の結晶工学
　—新しいシリコン技術の諸問題—
第4回 (1987. 7) ヘテロエピタキシー
　—界面の結晶工学—
第3回 (1986. 7) II-VI族化合物の結晶成長と評価
第2回 (1985. 7) 半導体材料のOMVPE
第1回 (1984. 7) GaAs系のエピタキシャル成長とその結晶工学的評価
(兼：第85回研究会 )
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ADP研究会

第20回 (1959. 4) 研究委員会の今後の進め方について
第19回 (1959. 3)  
第18回 (1959. 1)  
第17回 (1958. 11)  
第16回 (1958. 9)  
第15回 (1958. 7)  
第14回 (1958. 6)  
第13回 (1958. 5)  
第12回 (1958. 2)  
第11回 (1958. 1)  
第10回 (1957. 12)  
第9回 (1957. 11)  
第8回 (1957. 9)  
第7回 (1957. 7)  
第6回 (1957. 6)  
第5回 (1957. 5)  
第4回 (1957. 4)  
第3回 (1957. 2)  
第2回 (1957. 1)  
第1回 (1956. 12) 会則決定など
 
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© 2023 応用物理学会結晶工学分科会