研究会の目的

◇ 研究会,夏の学校のご案内

第37回シリサイド系半導体研究会のご案内

日時:2021年9月14日(火)12:00~15:05
講演方法: WEB講演会

主旨: 学会や研究会がオンラインで開催され,講演者,参加者が会場の場所を選ぶ必要がなくなっています.今回の研究会をオンラインで企画しましたところ,普段,対面での研究会ではお招きするのが難しい海外の先生方に講師をお願い致しました.いずれも本研究会にご尽力頂いている先生や過去の研究会の催しに参加いただいたことのあるシリサイド研究の経験が豊富で先進的なご研究に携わっていらっしゃる先生方です.今回もシリサイドの新しい話題をあげていただきます.皆様のご参加をお待ちしております.

プログラム(講演者 敬称略)
11:30 - 接続チェック
12:00 - 12:05 Opening
12:05 - 13:00 (11:05 - 12:00 in Taipei, Taiwan ) Prof. Chiu-Yen Wang,
Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 10607, Taiwan, ROC.
Fabrication and Electrical Properties of AAO Assisted Die-casting Cu-Ge Based Nanowires

13:05 - 14:00 (14:05 - 15:00 in Vladivostok, Russia) Prof. Nikolay Galkin,
Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 5 Radio Street, Vladivostok, Russia
Semiconducting and semimetallic calcium silicides on silicon substrates as materials for optoelectronics and thermoelectronics

14:05 - 15:00 (13:05 - 14:00 in Zhengzhou, China) Prof. Junhua Hu,
School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China
Application of Silicides in the energy storage device

15:00 - 15:05 Closing

Abstracts

Fabrication and Electrical Properties of AAO Assisted Die-casting Cu-Ge Based Nanowires
Chiu-Yen Wang, Li-Yu Kuo and Bo-Yan Lee
Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 10607, Taiwan, ROC
E-mail: ChiuYWang@mail.ntust.edu.tw
One-dimensional Cu3Ge nnowires and Cu3Ge-Ge heterostructure nanowires were synthesized by vacuum die-casting method and measure their electrical properties of devices fabricated by electron beam lithography method (EBL). Copper powder and germanium bulk with a specific atomic composition percentage are sealed in a quartz tube and heated to melt, then slowly cooled down to room temperature. The nanowire synthesis is generated by a die-casting system assisted by an anodic aluminum oxide template (AAO template). The surface morphology of the bulk and nanowires are analyzed through SEM operation and observe the concentration, distribution, radius, and length range of the nanowires. In addition, EDS result is used to examine the chemical element composition of the materials. Furthermore, XRD diffraction patterns and Raman spectra are used to confirm more accurate quantitative analysis and structural information of materials. Electron beam lithography (EBL) is used to define electrodes in Cu3Ge nanowires and Cu3Ge-Ge heterostructure nanowires with Cu3Ge sections and deposited with Ti/Pt electrodes. By 2-probe electrical measurements, the extremely low resistivity of the metal nanowire and the Schottky characteristic of the P-type heterostructure nanowire are acquired.

Semiconducting and semimetallic calcium silicides on silicon substrates as materials for optoelectronics and thermoelectronics
N.G. Galkin, K.N. Galkin, O.V. Kropachev, A.V. Tupkalo, I.M. Chernev, A.V. Shevlyagin
Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 5 Radio Street, Vladivostok, Russia
E-mail: galkin@iacp.dvo.ru
On the example of transition and alkaline earth metal silicides, the progress achieved in their growth on silicon and in the implementation of various devices has been demonstrated. It has been shown that calcium silicides in the form of epitaxial films on silicon substrates are promising, but the least studied objects due to the great technological difficulties of single-phase growth on silicon. New approaches to the growth of single-phase epitaxial and nanocrystalline films of semiconducting (Ca2Si) and semimetallic (CaSi, Ca5Si3, CaSi2) calcium silicides on silicon substrates have been recently developed. The matching of the crystal lattices of the grown epitaxial and nanocrystalline calcium silicide films with silicon were determined and changes in the parameters of their crystal lattices were established. The features of the optical functions and parameters of the band structure of all the grown films were determined. It was shown that epitaxial CaSi2 films are highly conductive, but retain high transparency with a photon energy range of 0.2–1.0 µm. It was found that the incorporation of Ca2Si nanocrystals or the amorphous CaSi phase into nanocrystalline CaSi films provides an increase in the Seebeck coefficient and power factor. Possibilities for the practical use of calcium silicides were demonstrated.

Application of Silicides in the energy storage device
Junhua Hu and Guoqin Cao
School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China
E-mail: hujh@zzu.edu.cn
The emerging markets of portable electronic devices and electric vehicles have generated a tremendous demand for lithium-ion batteries (LIB) with higher energy powder density, and longer cycling life. Silicon(Si) has been regarded as one of the most promising alternatives to the current used graphite anode materials for LIBs due to its natural abundance, low discharge potential and high theoretical capacity. However, Si suffers from extreme volume change (up to 300%) and the formation of unstable solid-electrolyte interphase (SEI) during charge-discharge cycling which causes structure degradation, rapid capacity decay and inferior coulombic efficiency. In our work, we mainly focus on lithium rich silicide as an artificial SEI film to modify the lithium anode to and obtain high electrochemical performance silicide anode materials. The electrochemical deposition process was observed in situ through an optical microscope, and it was found that lithium was deposited in a planar manner on the surface of the modified lithium anode, and the lithium deposition layer was obviously de-textured. Furthermore, serial Li-Si compounds are investigated by density functional theory (DFT) calculations. Li-rich silicide provides uniform nucleation sites for lithium deposition and improves the deposition of lithium. The Li layer on Li-rich silicide has a diminished preferred orientation structure, which also contributed to the uniform growth of Li grains. The Li-rich silicide electrodes were applied in NCM and LFP batteries to further demonstrate the practical advantages of the modified anode.


参加費: 一般 1,000円 (事前参加登録(振込))
シリサイド系半導体と関連物質研究会員  無料
学生 無料

申し込み方法:
(1) ①-③の情報を記載し、下記の宛先に電子メールにて申し込みください。(申し込み締切:9月3日)

題名:シリサイド系半導体研究会の参加申し込み
宛先 tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp  

① ご氏名 ② ご所属 ③ 当研究会の会員 or 非会員(一般) or 学生

(2) 参加申し込みをいただきました後、研究会員の方には、こちらから電子メール返信という形で講演用URL(Zoom)をご連絡いたします。
研究会非会員(一般)の方には、電子メール返信という形で、参加費振込先をご連絡いたします(振込手数料はご負担ください).
参加費の振込を確認後、講演用URL(Zoom)をご連絡いたします.(参加費振込締切:9月6日)

問合せ先:立岡浩一(静岡大学)(tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp)



★第19回シリサイド系半導体・夏の学校

1.趣旨: 
  19回目となる夏の学校では,シリサイド系半導体および関連物質に関する特徴的な物性、特に今回は光電変換特性について、加えて半導体技術としての応用が拡大するレーザー技術と光電変換の一種としてにわかに注目を集めている原子力電池に関して、基礎から最新の話題までを,それぞれの分野の主導的研究者に講義していただき,物質の特性,機能の向上,新機能の発現について討論します.
 ご関心のある方のご参加をお待ちしています.

2.主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

3.日時: 2021年8月21日(土)~ 22日(日)

4.場所: オンライン

5.参加費:
 会員: 一般 3,000円、学生 0円
 非会員: 一般4,000円、学生1,000円

 申し込み方法:
 (1) 下記の参加申込フォームに必要事項をご記入下さい。
    https://forms.gle/GqeQEwKoUB1AuQgn8
 (2) 参加申し込みをいただきました後、電子メール返信という形で、参加費振込先をご連絡いたします(振込手数料はご負担ください)。
   参加費の振込を確認後、講演用URL(Zoom)をご連絡いたします。
   定員:100名以下

6.日程

1日目(2021年8月21日(土))
13:15-13:30  開会の辞
13:30-15:30  講義・講演
 13:30-14:15 
     「(仮)半導体デバイスへのレーザープロセシングの応用」
      池上 浩,九州大学
 14:15-15:00 
     「フェムト秒レーザーを用いたナノプロセッシング」
      宮川 鈴衣奈,名古屋工業大学
 15:00-15:30 
     「超ワイドギャップ半導体材料を用いた原子力電池への展開」
      大曲 新矢,産業技術総合研究所
15:30-16:00  休憩
16:00-18:00  ポスター発表 (三十数件)
18:00-19:00  休憩
19:00-20:00  ナイトセッション

2日目(2021年8月22日(日))
9:00-11:15  講義・講演
 9:00-9:45 
     “Carbon and Nitride-based Wide Bandgap Semiconductors for Nano and Microelectronics”
      Dr. Ariful Haque, North Carolina State University
 9:45-10:30 
     「マグネシウムシリサイドの基板開発と赤外線センサへの展開」
      鵜殿 治彦,茨城大学
 10:30-11:15 
     「バリウムシリサイド太陽電池に向けた最近の取り組み」
      末益 崇,筑波大学
11:15-11:30  閉会の辞


7.ポスター発表申込み締切 : 7月2日(金) 7月9日(金)に延長

  参加申込み締め切り : 7月2日(金) 7月9日(金)に延長
  ポスター発表予稿送付締切 : 7月29日(金)

8.問合せ・申込先: 
 原 康祐 e-mail: khara@yamanashi.ac.jp
 吉武 剛 e-mail: tsuyoshi_yoishitake@kyudai.jp
 ”@”を@に置き換えてください.

--------PAST DOCUMENT ------------

第36回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時: 応用物理学会最終日:2021年3月19日(金)16:00~17:45
講演方法: WEB講演会

主旨: 材料研究では、材料の作製をベースとするこれまでのやり方に加えて、材料に関する多数の実験データの中から、有益な情報をどのように抽出するか、その手法が研究されています。また、物性を理解する第一原理計算においても、例えば、人工ニューラルネットワーク原子間相互作用ポテンシャルを使うことで、現実的な計算機資源・計算時間で、大規模計算(> 10,000原子)が可能になっています。これらは、今後の材料研究のやり方を大きく変える可能性があり、そのような研究をされている先生方にご講演をいただく計画です。

プログラム(講演者 敬称略)
15:30―接続チェック
16:00―16:05 Opening
16:05―16:50 多結晶材料情報学の基盤技術 名古屋大学 宇佐美徳隆
16:55―17:40 半導体粒界の原子構造と特性の予測に向けた機械学習型原子間ポテンシャルの構築 名古屋大学 横井達矢
17:40―17:45 Closing

名古屋大学・宇佐美徳隆・教授 
題目:多結晶材料情報学の基盤技術
講演要旨: 多結晶材料は、組織の複雑さと粒界の多様性により、普遍的な高性能化指針が十分には確立されてない。我々は「どのような多結晶をどのように作ればよいか?」という根源的な問いに対し、多結晶材料から収集したデータに、機械学習、理論計算を連携させて有用な情報を得る「多結晶材料情報学」により解を与える試みを進めている。本講演では、シリコンをモデル材料として、蛍光イメージや反射イメージから転位クラスターの発生点の特徴や方位分布を予測する手法、蛍光強度プロファイルから粒界の電気的特性を予測する手法など、これまでに構築した研究基盤について紹介する。

名古屋大学・横井達矢・助教
題目:半導体粒界の原子構造と特性の予測に向けた機械学習型原子間ポテンシャルの構築
講演要旨: 本研究では、半導体粒界の原子構造と特性を高精度・高速で予測する計算手法の確立に向けて、第一原理計算データを学習させた機械学習型原子間ポテンシャルを構築した。その結果、従来の経験的原子間ポテンシャルでは著しく精度が低下する粒界に対しても、そのエネルギー的安定性を高精度で予測することが可能となった。さらに構築した原子間ポンテシャルを、構造緩和や分子動力学計算といった分子シミュレーションと統合した。そして計算時間を第一原理計算と比較した結果、数桁以上の高速計算が可能であることが示された。

申し込み方法:

(1) ①-③の情報を記載し、下記の宛先に電子メールにて申し込みください。(申し込み締切:3月12日)

題名:シリサイド系半導体研究会の参加申し込み
宛先 ecology@bk.tsukuba.ac.jp  
CC.:takahiro.yamada.b4@tohoku.ac.jp

① ご氏名 ② ご所属 ③ 当研究会の会員 or 非会員(一般) or 学生

(2) 参加申し込みをいただきました後、研究会員の方には、こちらから電子メール返信という形で講演用URL(Webex)をご連絡いたします。
研究会非会員(一般)の方には、電子メール返信という形で、参加費振込先をご連絡いたします(振込手数料はご負担ください)。
参加費の振込を確認後、講演用URL(Webex)をご連絡いたします。(参加費振込締切:3月15日)

問合せ先:末益 崇(筑波大学)(ecology@bk.tsukuba.ac.jp)


第35回シリサイド系半導体研究会のご案内

日時:  2020年9月11日(金曜日) 16:00~17:45
講演方法:   WEB講演会 (WEBEXを使用する予定です)
ご案内: 参加登録後、WEBEXのURLをメールにてお送りいたしますので、当日ご参加ください。


主旨: 材料研究分野では、新材料開発及び材料の新しい応用展開が強く期待されています。本講演では、
第一線でご活躍の若手の先生に最新のご研究をご紹介いただきます。

プログラム(講演者 敬称略)
〇15:30― 接続チェック
          
〇16:00―16:05 Opening
○16:05―16:50 IV族半導体混晶への重いSn原子の導入とその熱電特性への効果(仮題)
静岡大学 志村洋介 

○16:55―17:40 シリサイドをベースとした新しい事故耐性燃料に関する基礎研究(仮題)
大阪大学 大石佑治
○17:40―17:45  Closing
 
参加費: 一般 1,000円 (事前参加登録(振込))
シリサイド系半導体と関連物質研究会員  無料  
学生 無料

申し込み方法:
(1)①-③の情報を記載し、下記の宛先に電子メールにて申し込みください。(申し込み締切:9月1日)
題名:シリサイド系半導体研究会の参加申し込み
宛先 To: nakamura@ee.es.osaka-u.ac.jp  
CC.:takahiro.yamada.b4@tohoku.ac.jp
① ご氏名 ② ご所属 ③ 当研究会の会員 or 非会員(一般) or 学生

(2)参加申し込みをいただきました後、研究会員の方には、こちらから電子メール返信という形で
講演用URL(WEBEX)をご連絡いたします。
研究会非会員(一般)の方には、電子メール返信という形で、参加費振込先をご連絡いたします(振
込手数料はご負担ください)。参加費の振込を確認後、講演用URL(WEBEX)をご連絡いたします。(参加費振込締切:9月3日)

問合せ先: 中村芳明(大阪大学) 山田高広(東北大学)(メールアドレスは(1)に記載)


第34回シリサイド系半導体研究会のご案内

主催:  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時:  2019年9月17日(火曜日) 14:00~17:30
場所: 札幌コンベンションセンター (101会議室)
〒003-0006 札幌市白石区 東札幌6条1丁目1-1 (TEL:011-817-1010)
アクセス : https://www.sora-scc.jp/access/
最寄駅:  東札幌駅 (札幌市営地下鉄 東西線)

主旨:電気伝導と熱伝導の両方に関連する熱電現象は,様々な寸法スケールの物質構造に影響されます.今回の研究会では,シリサイド系半導体および関連物質の結晶構造・組織・欠陥と熱電物性の連関について,第一線でご活躍の先生方に最新のご研究をご紹介いただきます.
    
プログラム(講演者 敬称略)
〇13:30― 開場

○14:00―15:00  加藤 大輔(トヨタ紡織株式会社)
「固気平衡に基づくMg2Si系熱電材料のMg含有量・熱電特性制御~Mg分圧制御加熱~」

○15:00―16:00  木村 好里(東京工業大学 物質理工学院材料系)
「熱電変換材料の組織制御と熱電特性」

休憩

○16:15―17:15 李 哲虎 (産業技術総合研究所 省エネルギー研究部門)
「格子の非調和性を活⽤した新しい設計指針に基づく⾼性能熱電材料の開発」

参加費: 一般 1,000円 (会場にて支払い)
学生 無料 

参加申込方法: 講演予稿集は,紙媒体としては用意せず,パスワード付き電子ファイルとして配信します. 9月13日までにメールで参加希望をご連絡頂いた方には,折返しファイルを送信します.当日参加の方には,PC端末を持参ください.資料ファイル入りUSBを回覧しますので,会場で複写ください.どちらの場合も,パスワードは会場でお知らせします.

参加希望連絡先・問合せ先:
菅原 宏治(首都大学東京 システムデザイン学部) hsugawa@tmu.ac.jp
志村 洋介(静岡大学 工学部) shimura.yohsuke@shizuoka.ac.jp
 

第33回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時: 2019年3月8日(金)15:00~17:00
場所: 小山台会館 2階205 会議室
    〒142-0062 東京都品川区小山4-11-12
     TEL:03-5721-6171
     FAX:03-5721-6173
     東急目黒線 武蔵小山駅西口より徒歩3分
     http://www.koyamadai50.jp/access/

主旨:シリサイド系半導体および関連物質のエネルギーデバイス応用として,
    太陽電池や熱電発電がある。今回の研究会では,これらの技術を組み合わせた
    ハイブリッド発電技術の開発に向けて,太陽エネルギーから高温熱源を
    創る薄膜材料技術や関連物質の高品質バルク結晶化技術について,
    2名の先生方にご講演頂く。
    
プログラム:(敬称略)
  1.15:00~15:55
   「太陽光エネルギーから高温熱源を創るシリサイド系半導体薄膜材料」 
   一般財団法人ファインセラミックスセンター 材料技術研究所 エネルギー材料グループ
   奥原芳樹

  2.16:00~16:55
   「高品質バルク結晶化技術の基本“溌液化プロセス”」 
   ユニオンマテリアル株式会社 
   櫻木史郎

参加費 研究会非会員 1,000円 (会場にて支払い),研究会会員及び学生 無料 
参加申込方法 当日受付(直接会場にお越しください)
参加申込方法 参加予定の方には事前にパスワード付きのPDFで予稿集をお配りいたします、
   世話人(勝俣 katumata@meiji.ac.jp)までメールにて御連絡お願いいたします。
   パスワードは当日、研究会開始時に会場にてお伝えいたします。
   当日はパソコンなどPDFファイルの読める端末をご持参願います。また、当日の受付もいたしております

世話人・詳細問い合わせ先
   勝俣 裕(明治大学 理工学部 電気電子生命学科)  
   katumata@meiji.ac.jp 

第32回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時
    20189月21日(金)13:30~16:00
場所    ウイルあいち セミナールーム6
      (〒
461-0016 愛知県名古屋市東区上竪杉町1番地)
          http://www.will.pref.aichi.jp/frame/f-kotu.html

 <プログラム(敬称略)>
 1.IV族系II型半導体クラスレートの研究開発
   久米徹二、大橋史隆、Jha Himanshu Shekhar
   岐阜大学工学部

 2.高速熱蒸着による BaSi2 薄膜作製技術の進展
   原 康祐 1) 、有元 圭介 1) 、山中 淳二 2) 、中川 清和1)
   1)山梨大学クリスタル科学研究センター, 2) 山梨大学機器分析センター

参加費 一般 1,000 (会場にて支払い),学生 無料 
参加申込方法 当日受付(直接会場にお越しください)
予稿集について 予稿集をPDFファイルにて配布することになりました。
           研究会に参加ご希望の方は、
           電子メールにて立岡(tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp)までご連絡お願いいたします。
           当日までにパスワード付きのPDFファイルをお送りいたします。
           パスワードは当日、研究会開始時に会場にてお伝えいたします。
           当日はパソコンなどPDFファイルの読める端末をご持参願います。

世話人・詳細問い合わせ先
   立岡浩一(静岡大学 大学院総合科学技術研究科 工学専攻 電子物質科学コース)  
   tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp 
 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−


★第18回シリサイド系半導体・夏の学校

1.趣旨: 
 18回目となる夏の学校では,シリサイド系半導体および関連物質に関する
 特徴的な物性と理論的考察物性評価法の基礎から最新の話題までを,
 それぞれの分野の主導的研究者に講義していただき,物質の特性機能の向上
 新機能の発現について討論します

 ご関心のある方のご参加をお待ちしています.

2.主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

3.日時: 2018年7月21日(土)~ 22日(日)

4.場所: 静岡県立森林公園森の家 
     434-0016浜松市浜北区根堅2450-1
     https://morinoie.biz/

5.参加費:
  一般13,000円(別途 懇親会費2,000円)、学生10,000円(懇親会費無料)
      宿泊なしでどちらか1日の参加 一般5,000円 学生2,000円
      宿泊なしで両日参加(日帰りで両日参加) 一般9,000円,学生4,000円

  定員:40名程度

6.日程、(プログラム日程、会場へのアクセスは参加登録された方々にお送りしております)
  7/21 13:00  受付開始  
      13:30  公共交通機関でお越しの方、遠鉄 西鹿島駅13:30分送迎バス
          必要に応じ立岡までお問い合わせください
      14:00 開会
  7/22 12:00 頃 解散 

  講義・講演(敬称略、ご講演者五十音順) 
    池田浩也(1),鈴木悠平(1),鎌倉良成(2),渡邉孝信(3),ファイズ・サレ(4)( (1) 静岡大学、(2) 大阪大学、(3) 早稲田大学、(4) マラヤ大学
        「シリコンナノ構造の熱電変換特性とナノ材料評価技術の構築」

    勝俣 裕(明治大学理工学部) 「薄膜の物性評価の基礎と最近のトピックス」

    加藤彰彦(FDK株式会社)講義3 加藤彰彦(FDK株式会社)  「第一原理計算による熱電半導体 Mg2Si の材料設計」

    寺井慶和(九州工業大学大学院 情報工学研究院) 「半導体の光学的評価技術とシリサイド半導体への応用」

    八百川律子株式会社豊田中央研究所
「層状Zintl相中に形成させた多層シリセン及びゲルマネン」


7.参加申込方法: 参加(宿泊)・ポスター発表をご希望の方は,立岡までメールでお申し込みください.
  参加申し込み書・投稿案内を 折り返し返信します.

8.ポスター発表申込み締切 : 5月24日(木)
  参加(宿泊)申込み締め切り : 5月24日(木)
  ポスター発表予稿送付締切 : 6月22日(金)

9.問合せ・申込先: 
    立岡浩一(静岡大)  e-mail: tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp

第31回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時
    20183月20日(火)13:30~15:30
場所    筑波大学東京キャンパス 431会議室
     〒112-0012 東京都文京区大塚3丁目29-1
     http://www.tsukuba.ac.jp/access/bunkyo_access.html


主旨:ナノ構造及び高圧下で生成される結合様式における四族半導体の多様な物性の発現について一線でご活躍の先生方に最新のご研究を紹介いただきます.
 <プログラム(敬称略)>
 1.シリコンナノ粒子における発光増強とその応用
   白幡直人(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点(主務)、
   中央大学連携大学院理工学研究科(兼務)、北海道大学連係大学院総合化学院(兼務))

 2.高圧力下で生成するゲルマニウムの多彩な結合様式と物性
   福岡 宏(広島大学大学院工学研究科応用化学専攻)


参加費 一般 1,000 (会場にて支払い),学生 無料 
参加申込方法 当日受付(直接会場にお越しください)

世話人・詳細問い合わせ先
   今井基晴(物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点 超伝導物質合成グループ)
   IMAI.Motoharu@nims.go.jp
   立岡浩一(静岡大学 大学院総合科学技術研究科 工学専攻 電子物質科学コース)  
   tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp 
 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−


第30回シリサイド系半導体研究会のご案内

日時
    201799 (土)10:0012:00
場所    九州大学西新プラザ(大会議室A)
       (814-0002 福岡市早良区西新2-16-23)
     アクセス
       http://nishijinplaza.kyushu-u.ac.jp/access.html

主旨:IV族系半導体研究の新しい展開として、二次元構造を有する多様な新材料が注目されています。
   今回の
研究会では、この分野の研究の現状と将来展望についてご紹介頂きます。
 <プログラム(敬称略)>
 10:00--10:45 フィチン酸水溶液及び金属塩化物処理によるSi基ナノシート束の作製」
        静岡大学 立岡浩一、袁 佩玲

  
 10:55--11:40 「層状窒化炭素半導体」
        岡山理科大学 財部健一
        佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター 岡島 敏浩
        岐阜工業高等専門学校 羽渕 仁恵

参加費 一般 1,000 (会場にて支払い),学生 無料 
参加申込方法 当日受付(直接会場にお越しください)

世話人・問い合わせ先
佐道 泰造   sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp
九州大学 大学院システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 電子デバイス工学講座 
819-0395 福岡市西区元岡744 
電話 092-802-3737
FAX  092-802-3724
http://nano.ed.kyushu-u.ac.jp/~sadoh_lab/
 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−


★第17回シリサイド系半導体・夏の学校

1.趣旨: 
17回目となる夏の学校では,モノづくりの視点から,シリサイド半導体および
関連物質の作製構造制御の基礎から最新の話題までを,それぞれの分野
の主導的研究者に講義していただき,物質の特性機能の向上,さらに新物資、
新機能の創生について討論します

ご関心のある方のご参加をお待ちしています.

2.主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

3.日時: 2017年7月29日(土)~ 30日(日)

4.場所: 浜名湖ロイヤルホテル
     〒431-0101 静岡県浜松市西区雄踏町山崎4396−1
     http://www.daiwaresort.jp/hamanako/

5.参加費:
  一般18,000円(別途 懇親会費2,000円)、学生11,000円(懇親会費無料)
      宿泊なしでどちらか1日の参加 一般5,000円 学生2,000円
      宿泊なしで両日参加(日帰りで両日参加) 一般9,000円,学生4,000円

  定員:40名程度

6.日程、(日程、プログラムの詳細はご参加の皆様に直接ご連絡いたします。)
  7/29 12:15 或いは 12:35 舞阪駅北口ロータリー ホテル行き直通バス
      (どちらかのバスにご乗車ください) 夏の学校は13:15より開始します
  7/30 12:30 頃 解散 

  プログラム(敬称略) 
  招待講演   シリコンナノデバイスのこれまでの進展と最新の研究成果
           −マクロとナノと原子をつなぐ− 
           田部 道晴(静岡大学名誉教授・客員教授) 静岡大学電子工学研究所
 
  講義1     シリサイドバルク結晶成長の基礎と最近のトピックス
           鵜殿 治彦  茨城大学 工学部

  講義2     薄膜成長の基本原理と最近のトピックス
           末益 崇  筑波大学 物理工学系

  講義3     新化合物探索の基礎と実際
           今井 基晴  物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点

  講義4     データ駆動型物性探索の基礎と実践
           前田 佳均   九州工業大学大学院 情報工学研究院

  講演1     物理的自己組織化によるナノ形態と機能創生
           鈴木 基史  京都大学大学院 工学研究科

  講演2     CaMgSi金属間化合物の作製と熱電特性
           戸高 義一  豊橋技術科学大学大学院 工学研究科

7.参加申込方法: 参加(宿泊)・ポスター発表をご希望の方は,立岡までメールでお申し込みください.
  参加申し込み書・投稿案内を 折り返し返信します.

8.ポスター発表申込み締切 : 5月31日(水)
  参加(宿泊)申込み締め切り : 5月31日(水)
  ポスター発表予稿送付締切 : 6月30日(金)

9.問合せ・申込先: 
    立岡浩一(静岡大)  e-mail: tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp


第29回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時    2017317日(金)12:0015:00
場所    八州学園大学9 9A教室
  〒220-0021 神奈川県横浜市西区桜木町7丁目42番地 
   アクセス
   http://www.yashima.ac.jp/univ/information/access.php
   横浜市営地下鉄「高島町」駅が最寄りです(徒歩1分)。
     みなとみらい線「新高島」駅と間違われる場合が多いため、ご注意ください。
     「横浜」駅からも徒歩10分程度です。
   入り口正面のエレベータより,直接,99A教室に起こし下さい。 

プログラム
   1) 太陽電池用シリコン結晶の現状と高効率化への課題,
     小椋厚志1. 小島拓人1, 中村京太郎1,  田島道夫1,  大下祥雄2,1,明大, 2.豊工大)

   2) シリコンにおけるチャージポンプ -電荷とスピンの室温極限操作に向けて-
     小野行徳1, 堀匡寛1,  土屋敏章21.静岡大電研,2.島根大院総合理工)

   3) シリコンスピントロニクスの現状と将来展望
     安藤裕一郎1,小池勇人2, 白石誠司1 (1,京大院工,2,TDK

   4) 低温PL/DLTSによるSi中重金属の振る舞い測定
     中村稔、村上進、鵜殿治彦 (茨大工)

参加費 一般 1,000 (会場にて支払い),学生 無料 
参加申込方法 当日受付(直接会場にお越しください)
詳細問い合わせ先: 
   立岡浩一(静岡大学 大学院総合科学技術研究科 工学専攻 電子物質科学コース)  
   tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp 

★第28回シリサイド系半導体研究会のご案内
研究テーマ:シリサイド系半導体研究における新しい取り組み
主催: 公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 2016916日(金)13:3016:00
場所: 新潟駅前カルチャーセンター 4階401号室
     (〒950-0087 新潟県新潟市中央区東大通1-1-1 第5マルカビル)
     TEL:025-241-4789
     FAX:025-248-4775
     JR「新潟駅」万代口出てすぐ
     http://www.culture.gr.jp/detail/niigata2/index.html


主旨: APAC-Silicide 2016が7月に九州大学にて開催されました。また当研究会も6
   期目がスタートし新しい展開が期待されています
本研究会では、
   
APAC-Silicide 2016 において発表件数の多い分野から新たな視点による取り組み、
   展望について詳しく発表いただく予定です。


プログラム (敬称略)
(1) Mg2Siの電子状態に対する不純物ドープ効果および格子欠陥の影響に関する
   理論研究」
   平山尚美、東京理科大基礎工


(2)  Si基板上への鉄シリサイド薄膜構造形成とその熱電物性」
    坂根駿也1、渡辺健太郎1,2、中村芳明1,2
     1)阪大院基礎工、2)CREST?JST

(3)  「p-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池作製と今後の展望
    髙部涼太、谷内卓、M. Emha Bayu、李云?、都甲薫、末益崇
    筑波大院 電子・物理工

(4)  「Syntheses of Si-based Nanostructures by Extraction of Metallic Atoms from Silicides in Solution」
    P. Yuan1, Y. Kumazawa2, K. Sasaki2, X. Meng1, H. Tatsuoka2
   1)Grad. Sch. Sci. & Technol., 2)Grad. Sch. Integrated Sci. & Technol., Shizuoka Univ.

参加費:
   一般 1,000円 (会場にて支払い)
   学生 無料 

参加申込方法: 当日受付(直接会場にお越しください)

詳細問い合わせ先: 
   立岡浩一(静岡大学 大学院総合科学技術研究科 工学専攻 電子物質科学コース)tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp

★第27回シリサイド系半導体研究会のご案内
研究テーマ:IV族半導体材料の結晶成長と物性制御
主催: 公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 2016年3月22日(火) 13:30?16:60
場所: 小山台会館 2階205 会議室
     〒142-0062 東京都品川区小山4-11-12
     TEL:03-5721-6171
     FAX:03-5721-6173
     東急目黒線 武蔵小山駅西口より徒歩3分
     http://www.koyamadai50.jp/access/

主旨:シリサイド系半導体の主たる構成元素のひとつとしてSiなどIV族元素があげられます。
   本研究会ではIV族元素からなる半導体材料の研究より,次世代Si系ナノエレクトロニクス及び
   エネルギー利用を指向した材料開発の面から,IV族半導体材料の結晶成長と物性制御について
   最新の研究成果を発表していただきます。

プログラム (敬称略)
1. 13:30~14:25
   光電デバイス集積に向けたSn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
   志村洋介1*、竹内和歌奈1、坂下満男1、黒澤昌志2、中塚理1、財満鎭明2
   1名古屋大学工学研究科結晶材料専攻、2名古屋大学未来材料システム研究所

   *現所属,静岡大学 大学院総合科学技術研究科 工学専攻 電子物質科学コース

2. 14:25~15:20  
   Thermoelectric properties of bulk and nanostructure Si1-xGex
   M. Omprakasha, M. Sabarinathana,b, R. Takatsuc, H. Tatsuokac, H. Ikedaa,c, T. Koyamaa, Y. Momosea, D.
   K. Aswald, S. Bhattacharyad, M. Arivanandhane, Y. Inatomif, and Y. Hayakawaa,b,*
   a Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu 432 8011, Japan.
   b Graduate school of science and technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432 8011 Japan.
   c Faculty of Engineering, Shizuoka University, Hamamatsu 432 8011, Japan.
   d Bhabha Atomic Research Center, Mumbai 400094, India.
   e Anna University, Chennai 600025, India.
   f Japan Aerospace Exploration Agency, 3-1-1 Yoshinodai, Kanagawa 229-8510, Japan.

休憩

3. 15:30~16:25
   溶液法による高品質SiC結晶成長とその必要性
   宇治原徹、原田俊太、村山健太
   名古屋大学未来材料・システム研究所

参加費:
   一般 1,000円 (会場にて支払い)
   学生 無料 

参加申込方法: 当日受付(直接会場にお越しください)

詳細問い合わせ先: 
   立岡浩一(静岡大学 大学院総合科学技術研究科 工学専攻 電子物質科学コース)tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp

★第26回シリサイド系半導体研究会のご案内

研究テーマ:エネルギーハーベスティングに向けた材料開発の最前線

主催: 公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会

日時: 2015916日(水) 14:0016:30

場所: ウィルあいち  3F 会議室5
       〒461-0016 愛知県名古屋市東区上竪杉町1番地  http://www.will.pref.aichi.jp/
           TEL 052-962-2511 FAX 052-962-2567

            

主旨:近年、希薄なエネルギーを回収する環境発電(エネルギーハーベスティング)が重要視されている。様々な環境発電が存在するが、本研究会では、材料開発の観点にたったエネルギーハーベスティングの講演を企画する。

 

プログラム (敬称略)

1. 14:00?14:45    非鉛強誘電体薄膜を用いた圧電MEMS振動発電
                                 吉村武a)村上修一b)、藤村紀文a)
                                 a) 大阪府立大学、b) 大阪府立産業技術総合研究所

2. 14:45?15:30  高マンガンシリサイド高性能熱電材料の創製
                                  竹内恒博a), b), c)山本晃生a)Swapnil Ghodke c)
                                  a) 豊田工業大学b) JST-さきがけc) 名古屋大学

           休憩

3. 15:45?16:30      Siナノ構造太陽電池

   深田直樹
                               国立研究開発法人 物質・材料開発研究機構

参加費:
一般   1,000 (会場にて支払い)
学生 無料 

参加申込方法: 当日受付(直接会場にお越しください)

詳細問い合わせ先: 

中村芳明(大阪大学大学院基礎工学研究科)nakamura@ee.es.osaka-u.ac.jp




★第16回シリサイド系半導体・夏の学校


1.趣旨: 
16回目となる夏の学校では,最新の研究成果の総合報告を通じて,シリ
サイド半導体の基礎と今後の展望を,それぞれの分野の主導的研究者に
講義していただきます.ご関心のある方のご参加をお待ちしています.

2.主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

  共催: 九州大学エネルギー基盤技術国際教育研究センター
      博士課程教育リーディングプログラム
      グリーンアジア国際戦略プログラム

3.日時: 2015年7月25日(土)~ 26日(日)

4.場所: 九重共同研修所&九大山の家(〒879-4912 大分県玖珠郡九
重町湯坪字八丁原600-1)
http://kokonoe.student.kyushu-u.ac.jp/kenshusho.html
http://kokonoe.student.kyushu-u.ac.jp/yamanoie.html

5.参加費:
  一般10,000円,学生5,000円
  定員:40名程度

日程
7/25 10:30 福岡空港 国際線ターミナル 3F 集合
   10:40 バス出発
   12:30 九重共同研究センター着 直ちに昼食
   13:00 チェックイン
   14:00 講義1「金属シリサイドの結合と構造」今井庸二 先生,産業技術総合研究所
   15:00 講義2「シリサイド薄膜およびヘテロ構造のエピタキシャル成長」末益 崇 先生,筑波大学
   17:30 夕食
   18:30 ポスターセッション
   20:00 ポスターセッション 終了
   20:30 APAC-Silicide 2016 組織委員会
   22:00 消灯

7/26 7:30 朝食
   8:30 チェックアウト
   9:00 講義3「Siクラスレートの合成と物性」今井基晴 先生,物質・材料研究機構
   10:00 閉会の挨拶
   10:30 八丁原地熱発電所見学
   http://www.kyuden.co.jp/life_pavilion_hachobaru_index.html
   12:40 阿蘇大観望,各自で昼食(参加費に含まず)
   http://www.asodaikanbou.com/dining/
   14:00 九大春日キャンパス(太宰府)経由で福岡空港へ(検討中)
   16:00-16:30 福岡空港着,解散


6.参加申込方法: 参加(宿泊)・ポスター発表をご希望の方は,寺井までメールでお申し込みください.
  参加申し込み書・投稿案内を 折り返し返信します.

7.ポスター発表申込み締切 : 6月8日(月)
  参加(宿泊)申込み締め切り : 6月8日(月)
  ポスター発表予稿送付締切 : 6月29日(月)

8.問合せ・申込先: 
  第16回 夏の学校実行委員会
    寺井慶和(九工大)  e-mail: terai@cse.kyutech.ac.jp
    吉武 剛 (九州大)  e-mail: yoshitake@asem.kyushu-u.ac.jp





注意事項:九重共同研修所へは公共交通機関では行けません.
     原則,バスで一緒に行動することになります.



★第25回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時: 2015年3月14日、15:00~16:30 (応物最終日の午後です。奮ってご参加ください)

場所: 東海大学前駅駅前通り「フルール花もと」生花店・店舗3階会議室(神奈川県秦野市南矢名1-14-12
内容: 
BaSi2は資源の豊富な元素で構成される禁制帯幅約1.3eVの半導体である。
間接遷移型半導体であるが光吸収係数はCIGS系を凌駕する立ち上がりを
見せ、さらに、少数キャリア拡散長が結晶粒径よりも格段に大きいなど、
従来の太陽電池材料には無い特徴をもつ。
研究会では、BaSi2とその関連物質について、最近特に研究成果を上げ
ている2名の若手研究者に、この材料系の魅力と研究の現状について解
説していただく。


15:00--15:45
Eletcronic properties of BaSi2 and related tetraides: First-
principles calculation study
Mukesh KUMAR, Naoto UMEZAWA, Motoharu IMAI, NIMS, Japan


15:45--16:30
太陽電池応用を目指した真空蒸着によるBaSi2成膜法の開発
Thin film growth of BaSi2 by vacuum evaporation for solar cell
applications
Kosuke O. Hara, Yamanashi University, Japan


参加費:
一般 1,000円 (会場にて支払い)
学生 無料 

参加申込方法: 当日受付(直接会場にお越しください)

詳細問い合わせ先: 寺井慶和(鹿児島大学大学院理工学研究科 電気電子工学専攻) terai@eee.kagoshima-u.ac.jp







★第24回シリサイド系半導体研究会のご案内



第24回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:シリサイド半導体の最新研究と今後の展開


主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時  2014年9月20日(土曜日) 14:00~18:00
場所: 札幌北口カンファレンスプラザ (貸会議室B)
〒060-0080 札幌市北区北9条西2丁目12-1
         SANKO札幌駅前ビル(TEL:011-558-3377)

アクセス : http://asset-sanko.jp/kitaconf/index.html


趣旨:シリサイド半導体に関する最新の研究成果を3名の先生にご講演いただき、基礎から応用まで今後の研究展開・課題について参加者全員で議論する場とします。


プログラム(敬称略)

○14:00-15:00 原 嘉昭、(茨城工業高等専門学校)
       「β-FeSi2の作製方法と近赤外発光特性」

○15:00-16:00 鵜殿 治彦、(茨城大学)
       「Mg2Si結晶の溶融成長と熱電変換素子および赤外受光素子への応用」

休憩

○16:15-17:15 末益 崇 (筑波大学)
       「BaSi2薄膜太陽電池に向けた取り組みと今後の展望」

○17:15-18:00 自由討論



参加費:
一般 1,000円 (会場にて支払い)
学生 無料 

参加申込方法: 当日受付(直接会場にお越しください)

詳細問い合わせ先: 寺井慶和(鹿児島大学大学院理工学研究科 電気電子工学専攻) terai@eee.kagoshima-u.ac.jp



★【新刊のおしらせ】

シリサイド系半導体の科学と技術
-資源・環境時代の新しい半導体と関連物質-
Science And Technology Of Semiconducting Silicides And Related Materials



九州工業大学教授 博士(工学) 前田佳均 編著 
A5判/342頁/定価5400円(本体5000円+税8%)/2014年9月
ISBN978-4-7853-2920-4

http://www.shokabo.co.jp/mybooks/ISBN978-4-7853-2920-4.htm


概要
(社)応用物理学会の「シリサイド系半導体と関連物質研究会」によって企画された待望の書.
環境負荷が少なく,かつ持続可能なグリーンテクノロジーである“シリサイド系半導体”の研究・開発において,世界をリードする著者たちが,その基礎物性と応用技術の現状を余すところなく解説した.
読者の方々が,(シリコン)光エレクトロニクス,スピントロニクス,グリーンテクノロジー,フォトニクス分野のさらなる進展へのブレークスルーに活用されんことを期待する.

【目 次】

『シリサイド系半導体の科学と技術』 カバー
まえがき

第1章 シリサイド系半導体の基礎
 1.1 シリサイド系半導体の電子構造と物性
  1.1.1 はじめに
  1.1.2 半導体が形成される機構
  1.1.3 1族,2族(アルカリ金属,アルカリ土類金属)シリサイド
  1.1.4 3~10族(遷移金属)シリサイド
  1.1.5 11族~13族シリサイド
  参考文献
 1.2 シリサイド系半導体-光エレクトロニクスを目指して
  1.2.1 はじめに
  1.2.2 鉄シリサイドの構造物性
  1.2.3 Fe-Si 2元系ヘテロ接合
  1.2.4 作製方法と物性
  1.2.5 成長過程について
  1.2.6 ポストアニール条件
  1.2.7 ヘテロエピタキシーとバンドエンジニアリング
  1.2.8 発光特性の概略
  1.2.9 発光増強
  1.2.10 光エレクトロニクスへの応用
  1.2.11 まとめ
  参考文献

第2章 結晶成長技術
 2.1 溶液からの結晶成長
  2.1.1 溶液成長法の特徴と溶液温度差法
  2.1.2 β-FeSi2の結晶成長法
  2.1.3 β-FeSi2の成長異方性
  2.1.4 β-FeSi2単結晶のエッチング特性
  2.1.5 溶液成長における不純物の影響
  参考文献
 2.2 気相からの結晶成長
  2.2.1 はじめに
  2.2.2 熱反応堆積法
  2.2.3 シリサイド・ナノドット生成
  2.2.4 Mg2Si薄膜成長
  2.2.5 MnSi1.7薄膜成長
  2.2.6 まとめ
  参考文献
 2.3 高純度素材の開発
  2.3.1 はじめに
  2.3.2 高純度素材の必要性
  2.3.3 分離・精製方法
  2.3.4 精製工程構築の際の注意点
  2.3.5 純度評価法
  2.3.6 Feの精製例
  2.3.7 課題
  参考文献

第3章 薄膜形成技術
 3.1 反応性エピタキシャル成長
  3.1.1 はじめに
  3.1.2 β-FeSi2の場合
  3.1.3 BaSi2の場合
  3.1.4 傾斜基板への成長
  参考文献
 3.2 分子線エピタキシャル成長
  3.2.1 はじめに
  3.2.2 種結晶の効果
  3.2.3 Si(111)およびSi(001)基板へのエピタキシャル成長
  3.2.4 結晶粒径の拡大
  参考文献
 3.3 化学気相成長法
  3.3.1 はじめに
  3.3.2 化学気相成長
  3.3.3 薄膜の成長制御
  3.3.4 鉄シリサイド・エピタキシャル薄膜
  参考文献
 3.4 パルスレーザー堆積法
  3.4.1 はじめに
  3.4.2 ドロップレットフィルター
  3.4.3 鉄シリサイドのPLD薄膜
  3.4.4 ナノ微結晶(NC)FeSi2の形成
  3.4.5 NC-FeSi2の物性
  参考文献
 3.5 スパッタリング成膜法
  3.5.1 はじめに
  3.5.2 対向ターゲット式スパッタリング法
  3.5.3 β-FeSi2のエピタキシャル成長
  3.5.4 NC-FeSi2膜のスパッタリング成膜
  3.5.5 [FeSi2/Fe3Si]20積層膜の形成
  参考文献
 3.6 イオンビームスパッタ成長法
  3.6.1 スパッタリング現象
  3.6.2 イオンビームスパッタ蒸着法の原理と装置構成
  3.6.3 鉄シリサイド薄膜の作製
  参考文献
 3.7 シリサイド系半導体ナノ構造
  3.7.1 はじめに
  3.7.2 極薄Si酸化膜:超高密度エピタキシャルナノドット形成
  3.7.3 Si基板上への鉄シリサイドナノドットのエピタキシャル成長
  3.7.4 β-FeSi2半導体ナノドット:光学特性
  3.7.5 Fe3Si強磁性体ナノドット:磁性
  参考文献
 3.8 イオンビーム合成法
  3.8.1 はじめに
  3.8.2 鉄イオン注入
  3.8.3 基板温度
  3.8.4 注入条件による組織と物性の制御
  3.8.5 ナノ結晶形成と発光特性の改善
  3.8.6 薄膜成長と電気伝導特性の改善
  3.8.7 Si中の鉄の固溶度と拡散
  3.8.8 損傷促進拡散と表面偏析
  3.8.9 まとめ
  参考文献

第4章 構造解析
 4.1 電子顕微鏡観察
  4.1.1 はじめに
  4.1.2 走査型電子顕微鏡(SEM)観察
  4.1.3 透過型電子顕微鏡(TEM)観察
  4.1.4 走査透過型電子顕微鏡(STEM)観察
  4.1.5 まとめ
  参考文献
 4.2 X線回折法
  4.2.1 はじめに
  4.2.2 θ-2θスキャン
  4.2.3 ロッキングカーブ・スキャン
  4.2.4 極点図形測定
  参考文献
 4.3 ラザフォード後方散乱分光法
  4.3.1 はじめに
  4.3.2 RBSの原理
  4.3.3 ホイスラー合金/半導体のヘテロ界面の評価
  4.3.4 界面相互拡散の解析
  4.3.5 チャネリング測定
  4.3.6 原子レベルでの評価
  4.3.7 まとめ
  参考文献

第5章 鉄シリサイドの物性
 5.1 電気物性
  5.1.1 アンドープ鉄シリサイドの伝導型
  5.1.2 不純物添加による鉄シリサイドの伝導型制御
  5.1.3 鉄シリサイドの伝導機構
  5.1.4 まとめ
  参考文献
 5.2 バルク結晶の光学特性
  5.2.1 はじめに
  5.2.2 β-FeSi2のエネルギーバンド構造
  5.2.3 β-FeSi2の偏光反射スペクトルおよび屈折率
  5.2.4 β-FeSi2バルク結晶の発光特性
  参考文献
 5.3 薄膜の光学特性
  5.3.1 はじめに
  5.3.2 β-FeSi2薄膜の光吸収スペクトル
  5.3.3 変調分光法の原理
  5.3.4 β-FeSi2薄膜のフォトレフレクタンス(PR)スペクトル
  参考文献
 5.4 フォノン物性
  5.4.1 はじめに
  5.4.2 ラマン散乱
  5.4.3 赤外吸収
  5.4.4 反転対称性
  5.4.5 ナノ結晶のフォノン物性
  参考文献
 5.5 熱電特性
  5.5.1 はじめに
  5.5.2 β-FeSi2の電気伝導特性
  5.5.3 Fe1-xMnxSi2,Fe1-xCoxSi2の電気伝導特性
  5.5.4 Fe1-xMnxSi2,Fe1-xCoxSi2の熱電特性
  参考文献
 5.6 鉄系ホイスラー合金の磁性
  5.6.1 はじめに
  5.6.2 低音MBE薄膜成長
  5.6.3 メスバウアー分光スペクトル
  5.6.4 磁気特性
  5.6.5 3元系ホイスラー合金
  5.6.6 まとめ

第6章 新しいシリサイドの合成と物性
 6.1 Siクラスレートの合成と物性
  6.1.1 はじめに
  6.1.2 半導体Siクラスレート
  6.1.3 合成法
  6.1.4 Ⅰ型Siクラスレート半導体の探索指針
  6.1.5 K8Ga8Si38の結晶構造・電子構造
  6.1.6 K8Ga8Si38の光吸収係数・電気抵抗率
  6.1.7 まとめ
  参考文献
 6.2 ナトリウムを利用した遷移金属シリサイドの合成
  6.2.1 はじめに
  6.2.2 遷移金属シリサイド粉末の合成と特性
  6.2.3 遷移金属シリサイドの生成メカニズム
  6.2.4 遷移金属シリサイドの焼結バルク体の合成
  6.2.5 遷移金属板上へのシリサイド膜の作製
  6.2.6 まとめ
  参考文献
 6.3 BaSi2の合成と物性
  6.3.1 BaSi2のバンド構造
  6.3.2 エピタキシャル膜の結晶評価
  6.3.3 光吸収係数
  6.3.4 少数キャリア拡散長
  6.3.5 分光感度特性
  参考文献
 6.4 SrSi2の合成と物性
  6.4.1 はじめに
  6.4.2 合成法
  6.4.3 結晶構造・熱膨張係数・体積弾性率
  6.4.4 電子的性質
  6.4.5 Sr1-xBaxSi2固溶体
  6.4.6 まとめ
  参考文献

第7章 シリサイド系半導体の応用
 7.1 シリサイド発光素子
  7.1.1 はじめに
  7.1.2 p+-Si/β-FeSi2/n+-Siダブルへテロ構造LED
  7.1.3 n-Si/SiGe/β-FeSi2/SiGe/p-Si(001)構造LED
  参考文献
 7.2 シリサイド太陽電池
  7.2.1 はじめに
  7.2.2 BaSi2太陽電池
  7.2.3 不純物ドーピング
  参考文献
 7.3 シリサイドオプティクス
  7.3.1 はじめに:高屈折率・高吸収率材料としてのシリサイド系半導体
  7.3.2 β-FeSi2単層膜を用いた完全吸収体
  7.3.3 2層の完全吸収体
  7.3.4 まとめ
  参考文献
 7.4 シリサイド・フォトニック結晶
  7.4.1 はじめに
  7.4.2 鉄シリサイド・フォトニック結晶
  7.4.3 フォトニック結晶の設計
  7.4.4 ワイドギャップ・フォトニック結晶
  7.4.5 作製プロセス
  7.4.6 まとめ
  参考文献
 7.5 シリサイド・スピントロニクス
  7.5.1 はじめに
  7.5.2 TMR素子,GMR素子とシリサイド強磁性体
  7.5.3 能動的なスピンデバイスを指向した研究
  7.5.4 非局所4端子法の原理
  7.5.5 非局所3端子法の原理
  7.5.6 スピン注入に関する研究とシリサイド強磁性体
  参考文献










★第23回シリサイド系半導体研究会のご案内

第23回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:Si系ナノ構造及びSi系化合物半導体の作製と諸物性


主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時  2014年3月21日(金曜日祝日) 10:00~16:00
場所:
筑波大学東京キャンパス文京校舎(大塚キャンパス 121講義室)
      〒
112-0012 東京都文京区大塚 3丁目 29 - 1TEL:03-3942-6805)

アクセス : http://www.tsukuba.ac.jp/access/bunkyo_access.html


趣旨 
シリコンは最もよく知られた半導体材料であるが,ナノ構造化または他の元素との化合物を生成することによりバラエティーにとんだ物性が現れる.本研究会ではシリコンを基とする様々なナノ構造,化合物半導体について,作製からバラエティーにとんだ物性,応用など,それぞれの材料分野における第一線の研究者の方々による講演を予定しています.

プログラム(敬称略)

○10:00-10:50   三木一司,物材機構
  Si(001)表面上へのMn鎖及びMnシリサイド細線の形成

○10:50-11:40 久米徹二1),大橋史隆1), 伴隆幸1), 佐々木重雄1), 野々村修一2),
           1)岐阜大工, 2)岐阜大院
  Si基板上に作製したNaSiおよびSiクラスレート薄膜

昼食

○13:00-13:50 内田紀行1)、岡田直也1, 2)、金山敏彦 2,3)
          1)産総研ナノエレ、2)筑波大、3)産総研
  遷移金属内包Siクラスター凝集による新規シリサイド半導体薄膜 

○13:50-14:40 江澤雅彦,東大院工
  シリセン:シリコンで出来た二次元トポロジカル半導体 

休憩

○14:50-15:40 多々見純一 横国大院環境情報
  Si3N4とSiAlON系セラミックスの作製と物性

○15:40-16:00 自由討論





参加費:
一般 1,000円 (会場にて支払い)
学生 無料 (テキスト代 1,000円)

参加申込方法: 当日受付(直接会場にお越しください)

詳細問い合わせ先: 立岡浩一静岡大学大学院工学研究科 電子物質科学専攻) tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp



★第22回シリサイド系半導体研究会のご案内

第21回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:シリサイド系半導体のエネルギーデバイスへの展開

主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時 2013年9月21日(土) 9:30~16:00
場所: 京都大学宇治キャンパス 宇治おうばくプラザ セミナー室1,2
        (〒611-0011 京都府宇治市五ヶ庄)


アクセス : http://www.uji.kyoto-u.ac.jp/campus/obaku.html


趣旨 シリサイド半導体の特徴である豊富な資源量と高い耐酸化性は、原料を大量に消費するエネルギーデバイスへの利用に適している。今回の研究会ではシリサイドおよびシリコン系材料を用いた熱光発電や熱電発電への利用について多様なアプローチで研究を展開している研究者の皆様を招待し、エネルギーデバイスへの応用とその可能性について紹介していただきます。

プログラム(敬称略)

9:30~10:00 京都大学 鈴木基史
  高屈折率シリサイドナノ構造によるふく射の制御

○10:05~10:35 大阪大産研 小林光
  シリコンナノパーティクルの簡単な製法とエネルギー分野への応用

○10:40~11:30 大阪市立工業研究所 谷淳一
  Mg2Si系バルク及び薄膜熱電材料の開発

○13:00~13:50 東京大学 塩見淳一郎
  第一原理からの熱伝導解析と熱電材料開発への利用

○14:00~14:50 大阪大学 大石佑治 
  Si-遷移金属シリサイドナノコンポジット熱電材料の開発

○15:00~15:50 大阪大学 中村芳明
  シリサイドナノ構造を利用した熱電素子の開発



参加費:
一般 1,000円 (会場にて支払い)
学生 無料(テキスト代 1,000円)

参加申込方法:直接会場にお越しください

詳細問い合わせ先: 鵜殿治彦(茨城大) udono@mx.ibaraki.ac.jp









★第15回シリサイド系半導体・夏の学校 のご案内

1.趣旨: 
 15回目となる夏の学校では,先に開催されるAPAC-SILICIDE 2013での最新の研究成果の総合報告を通じて,今後のシリサイド系半導体と関連物質の動向と展望を,それぞれの分野の主導的研究者を交えて討論します.ご関心のある方のご参加をお待ちしています.

2.主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会 

3.日時: 2013年7月29日(月)~ 30日(火) 

4.場所:筑波山京成ホテル(茨城県つくば市筑波1番地つつじヶ丘) 

5.参加費(資料代・宿泊費込み):一般12,000円,学生8,000円 

  定員:40名程度 

6.プログラム(NEW)(pdfファイルはこちら

7月29日(月) 

   15:30 受付開始,

   15:50 事務連絡,開催挨拶 

   16:00 招待講演1 財部健一 先生(岡山理科大学 理学部 基礎理学科)
    「シリサイド半導体-グリーン熱電素子-」

   17:30 休 憩, (入 浴)

   18:30 夕 食 

   20:00 ナイトセッション 
     「APAC-SILICIDE 2013で発表された最新の研究成果について」

   21:00 2014国際サマースクール準備委員会
 
   23:00 終了

7月30日(火)

    7:00  朝食  

    8:15  チェックアウト

    9:00  招待講演2 板原 浩 先生(豊田中央研究所 先端研究センター)
    「遷移金属系・Mg系半導体シリサイドの微粒子・ナノコンポジット」

  10:30 フリーディスカッション 
       「今後のシリサイド系半導体と関連物質の動向と展望」

  11:30 おわりの挨拶,事務連絡


7.参加申込方法: 参加・一般発表をご希望の方は,e-mailで下記までお申し込みください. 

 参加申し込み書・投稿案内を 折り返し返信します. 

8.宿泊申込締切: 7月8日(火) 

9.問合せ・申込先: 末益 崇(筑波大学)  e-mail: suemasu@bk.tsukuba.ac.jp

 

 


★第21回シリサイド系半導体研究会のご案内

第21回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:シリサイド及び関連物質のナノ構造評価と制御

主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時 2013年3月30日(土)
場所: 海老名市商工会館 中会議室 (2F)
(〒243-0434 海老名市上郷485-2 TEL; 046-231-5865, FAX; 046-231-0225)


アクセス : http://www.ecci.or.jp/htdocs/会館利用/


趣旨 ナノ構造の解明を通じてより高機能なシリサイド系半導体及び関連物質の創出を視野に入れ、高分解能電子顕微鏡等によるナノ構造評価、イオンビーム等の利用によるナノ構造の創製及び制御について紹介していただきます。

プログラム(敬称略)


○13:30~14:15 北條喜一(原子力機構(JAEA))
「JAEAにおけるイオン結合型透過型電子顕微鏡とイオン照射に伴う物質のその場観察」

○14:15~15:00 秋山賢輔(神奈川県産業技術センター)
「鉄シリサイド薄膜合成での結晶欠陥低減への試み」

休憩

○15:15~16:00 立岡浩一(静岡大学)
「シリサイドナノ構造のさらなる形状制御を目指して―制御技術,制御方法の検討―」

○16:00~16:30
自由討論

参加費:
一般 1,000円 (会場にて支払い), 研究会会員は無料
学生 無料(テキスト代 1,000円)

参加申込方法:直接会場にお越しください

詳細問い合わせ先: 山口憲司 (原子力機構)
TEL: 029-282-6474
FAX: 029-284-3813
E-mail: yamaguchi.kenji@jaea.go.jp




★第20回シリサイド系半導体研究会のご案内

第20回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:研究会テーマ:「シリサイド系半導体研究の新潮流」

主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時 2012年9月15日(土)10:00~14:50
場所: 松山市民会館 第3会議室 (〒790-0007 松山市堀之内)
(〒790-0007 松山市堀之内 TEL:089-931-8181 FAX:089-931-8183)

アクセスマップ:http://www.cul-spo.or.jp/mcph/other/access.html
  (同様な施設が近くの松山市総合コミュニティーセンターにもございますが,
    そことは異なりますのでご注意ください)


趣旨 シリサイド系半導体と関連物質研究における新しい取り組みを紹介いただく
    とともに,これまでの研究経過を踏まえ今後の研究動向について議論いたします.


プログラム(敬称略)

(1)9:30~10:15
「シリサイド関連物質のナノ構造作製及び応用」
小野行徳(富山大)

(2)10:15~11:00
「アモルファスSiGe/SiGe粒界上偏析構造の第一原理計算」
永野隆敏(茨城大)

休憩

(3)11:15~12:00
「岡山県におけるMg2Si熱発電素子の開発 -粒径制御とp型合成に向けて-」
中村重之(津山高専)

昼食

(4)13:00~13:45
「鉄シリサイド半導体の光電変換素子の現状と今後の課題」
吉武剛(九大)

(5)13:45~14:30
「BaSi2 pn接合型薄膜太陽電池 --粒径拡大とpn接合に向けて--」
末益 崇(筑波大)

(6)14:30~14:50
自由討論


参加費:
一般 1,000円(会場受付)、研究会会員は無料
学生 無料(テキスト代 1,000円)

参加申込方法:直接会場にお越しください

詳細問い合わせ先: 立岡浩一(静岡大)
  TEL: 04-7122-9664
  FAX: 04-7122-1499
  email: tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp

会合のURL:http://annex.jsap.or.jp/silicides/




★第14回シリサイド系半導体・夏の学校 のご案内

1.趣旨: 
 14回目となる夏の学校では,シリサイド系半導体と関連物質の(1)グリーンテクノロジー応用:太陽光発電,熱電発電などへの応用,(2) 光エレクトロニクス,スピントロニクス応用:発光受光素子,光制御回路,シリサイド系強磁性,(3) 基礎研究:高品質結晶成長,ナノ構造制御,物性理論などに関して,主導的研究者による講義と一般講演(ポスター発表)を予定しています.また,関連分野交流として招待講演「スピントロニクスのためのグラフェン/ 磁性金属界面の理解と制御」圓谷志郎(原子力機構),「Al 誘起成長法を用いたSi 薄膜/ガラスの結晶方位制御」都甲薫(筑波大)を予定しています.ご関心のある方の多数のご参加をお待ちしています. 

2.主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会 

3.日時: 2012年7月28日(土)~ 29日(日) 

4.場所:マホロバマインズ三浦(〒238-0101 三浦市南下浦町上宮田3231) 

5.参加費(資料代・宿泊費込み):一般18,000円,学生13,000円 

  定員:50名程度 

6.プログラム(NEW)(pdfファイルはこちら


7月28日(土) 
1200 受付開始,事務連絡,開催挨拶 

1300 招待講演1 圓谷志郎先生(原子力機構)
    「スピントロニクスのためのグラフェン/磁性金属界面の理解と制御」

1400 講義1 今井庸二先生(AIST
    「アルカリ土類金属シリサイドの不純物ドーピング

1500 休 憩 
    部屋割・鍵配布・チェックイン

1600 講義2 前田佳均先生(京都大学)
    β-FeSi2の発光と結晶純度,あたらしい発光増強について

1700 休 憩
     入 浴(大浴場 17002200

1830 夕 食 

2030 休 憩

2045 特別記念講演 植草新一郎先生(明治大学名誉教授)
     「私の歩んだ道

2200 APAC-SILICIDE 2012組織委員会 (立岡委員長)

2400 終了  

7月29日(日)
730830 朝食  

830  チェックアウト

900  招待講演2 都甲薫先生(筑波大学)
    Al誘起成長法を用いたSi薄膜/ガラスの結晶方位制御

1000 講義3 中村芳明先生(大阪大学)
        「Si基板上へのナノ構造エピタキシャル成長技術とその応用」

11:00-12:30  ポスターセッション

1230 おわりの挨拶,事務連絡



7.参加申込方法: 参加・一般発表をご希望の方は,e-mailで下記までお申し込みください. 

 参加申し込み書・投稿案内を 折り返し返信します. 

8.宿泊申込締切: 7月3日(火) 

  予稿送付締切: 7月18日(水) 

9.問合せ・申込先: 菅原宏治(首都大)  e-mail: hsugawa@sd.tmu.ac.jp

 

 


 

 

★第19回シリサイド系半導体研究会のご案内

第19回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:研究会テーマ:「熱電発電におけるMg2Si実用化研究の進捗」

主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 2012年3月19日(月) 10:30~16:00
場所: 明治大学・駿河台校舎リバティタワー1076教室(7階)
(〒101-8301 東京都千代田区神田駿河台1-1)
アクセスマップ:http://www.meiji.ac.jp/koho/campus_guide/suruga/access.html
キャンパスマップ:http://www.meiji.ac.jp/koho/campus_guide/suruga/campus.html



プログラム(敬称略)

10:30--11:15 茨城大学 鵜殿治彦
Mg2Siの基礎物性と熱電用結晶の開発状況(仮題)


11:15--12:00 岡山理科大学 財部健一
岡山県における地産地消コンセプトによるMg2Si開発スキーム(仮題)


13:30--14:30 東京理科大学大学院 D2坂本達也
ストイキオメトリックな高耐久Mg2Siによる発電チップ実用化への要素技術開発


14:30--15:15 日本サーモスタット 根本崇
Mg2Siユニレグ構造発電モジュールの開発


15:15--16:00 豊田通商 中村崇志
欧州で実用化に向け本格化する熱電発電開発

参加費:
一般 1,000円(会場受付)、研究会会員は無料
学生 無料(テキスト代 1,000円)

詳細問い合わせ先: 東京理科大学 飯田努
  TEL: 04-7122-9664
  FAX: 04-7122-1499
  email: iida_tsu@rs.noda.tus.ac.jp


研究会HP: http://annex.jsap.or.jp/silicides/


★第18回シリサイド系半導体研究会のご案内


第18回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:研究会テーマ:「シリコン系太陽電池材料とシリサイド半導体」

主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 2011年9月3日(土) 10:00~16:00
場所: 遊学館(生涯学習センター)第5研修室(2階)
(〒990-0041 山形市緑町1-2-36)

アクセスマップ:http://www.gakushubunka.jp/yugakukan/facilities/guide.html

(趣旨)
原子力発電への不安によってグリーンエネルギーの主役として太陽光発電への期待が急速に高まる中、 太陽電池の変換効率の高効率化とコストダウンは社会的に急務な要請になりつつあります。 こうした背景から太陽電池材料としてのシリサイド系半導体ならびに関連物質の持つ可能性に 焦点を当てるとともに、量子ビームを用いたその創製および評価について紹介します。


プログラム(敬称略)

10:00--10:10 はじめに

10:10--11:00 筑波大学 末益 崇
 シリサイド半導体pn接合による薄膜太陽電池を目指して

11:00--11:50 物質・材料研究機構 今井基晴
 半導体Siクラスレートの探索

13:10--14:00 茨城大学 鵜殿治彦
 シリコン系積層型薄膜太陽電池に向けた赤外域シリサイド半導体

14:00--14:50 日本原子力研究開発機構 江坂文孝
 放射光を用いた材料表面の化学組成分析

14:50--15:40 日本原子力研究開発機構 山口憲司
 量子ビーム利用による鉄シリサイド創製研究

15:40--15:50 おわりに

参加費:
一般 1,000円(会場受付)、研究会会員は無料
学生 無料(テキスト代 1,000円)

詳細問い合わせ先: 日本原子力研究開発機構 山口憲司(yamaguchi.kenji@jaea.go.jp
研究会HP: http://annex.jsap.or.jp/silicides/


★第13回シリサイド系半導体・夏の学校 のご案内

1.趣旨: シリサイド系半導体と関連物質についての重要研究の解説や最近の成果について, 若い研究者や大学院生・学生にもわかりやすく紹介する国内唯一の講習会として13回目 を迎えます.本年は,シリサイド関連研究の今後のさらなる進展のブレークスルーとなる スピントロニクスをはじめ,関連の招待講演と最近の探索的材料物性研究の一般講演(口頭,ポスター発表)を予定しています.ご 関心のある方の多数のご参加をお待ちしています.

2.主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会(委員長:鵜殿治彦)
  http://annex.jsap.or.jp/silicides/

3.日時: 2011年7月19日(火) ~ 7月20日(水)

4.場所: 関西セミナーハウス(〒606-8134京都市左京区一乗寺竹ノ内町23)、電話075-711-2115
  http://www.kansai-seminarhouse.com

5. 夏の学校・参加費:
    (宿泊あり) 一般 18,000円,学生 15,000円 (懇親会費 2,000円を含む)
    (宿泊なし) 一般  9,000円,学生  4,000円
          いずれもテキスト代込み.定員:50名程度

6.プログラム(NEW)(pdfファイルはこちら

7月19日(火) 
12:00 受付開始,事務連絡,開催挨拶 (大会議室)

13:00 招待講演1 安藤裕一郎先生(九州大学)
     「Si上における強磁性シリサイドFe3Siの高品質形成とSiへのスピン注入」

14:15 招待講演2 伊藤博介先生(関西大学)
     「強磁性金属/半導体接合の電子状態とスピン注入」

15:30 休 憩 
      部屋割・鍵配布・チェックイン

16:00 招待講演3 山田高広先生(東北大学)
     「アルカリ金属を利用したシリサイドの新しい合成手法とその応用」

17:30 休 憩
     入 浴(大浴場 17:00~22:00)
18:30 夕 食 (アゴラホール)
20:30 休 憩

20:45 招待講演4 寺井慶和先生(大阪大学)
     「β-FeSi2の発光およびバンド構造評価の進展」

22:00 研究会・幹事会 (鵜殿委員長)(国際交流ホール)
24:00 終了

7月20日(水)
7:30~8:30 朝食 (2階食堂) 
8:30  チェックアウト

9:00  招待講演5 鵜殿治彦先生(茨城大学)
     「熱電の基礎とシリサイド半導体の可能性」

10:00 休 憩

一般講演1  座長 前田佳均(京大)
10:15  ○根本怜,永野隆敏(茨城大)
     「β-FeSi2表面構造における欠陥と磁性の発現の可能性- 第一原理による予測 -」

10:30 ○兼子泰幸,鈴木基史,中嶋薫,木村健二(京大院・工)
     「斜めスパッタ堆積法によるFeSi2周期ナノコラム構造の形成」

10:45 ○松村精大,山中雄介,鵜殿治彦(茨城大),山口憲司,江坂文孝,北条喜一(原子力機構)
     「Si照射下でのβ-FeSi2基板熱処理とホモエピタキシャル成長」

一般講演2  座長 鈴木基史(京大)
11:00 ○野田慶一,寺井慶和, 米田圭佑,三浦直行(阪大),鵜殿治彦(茨城大),藤原康文(阪大)
     「Si(001)基板上β-FeSi2エピタキシャル膜におけるPRスペクトルの成長条件依存性」

11:15 ○五十嵐誉、鈴木翔治、小澤俊平、菅原宏治 (首都大・SD)
     「無容器電磁浮遊法を用いた鉄シリコン二元融液の表面張力の測定」

11:30 ○中島孝仁,西村健太郎,前田佳均 (京大院エネルギー科学)
     「β-FeSi2ナノ結晶の発光特性:Cバンド発光挙動」

11:45 おわりの挨拶,事務連絡(送迎バス案内)


7.問合せ・申込先(申込方法): 
   下記に電子メールまたはFAXでご連絡ください.折り返し,参加申し込み書を送付します.
   京大エネルギー科学研究科 前田佳均
   e-mail:         maeda@energy.kyoto-u.ac.jp
   FAX O75-753-4722

8.申込締切:7月4日(月)


★第17回シリサイド系半導体研究会のご案内


第17回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:研究会テーマ:シリサイド関連物質のブレークスルー
主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 2011年3月28日(月)
場所: 明治大学・駿河台校舎リバティタワー1076教室(7階)
(〒101-8301 東京都千代田区神田駿河台1-1)
アクセスマップ:http://www.meiji.ac.jp/koho/campus_guide/suruga/access.html
キャンパスマップ:http://www.meiji.ac.jp/koho/campus_guide/suruga/campus.html

(趣旨)
強磁性体ホイスラー合金,半導体鉄シリサイドなどシリサイド関連物質の研究をいっそう推し 進めるため,ブレークスルーとなる最新の研究成果と今後のビジョンについて、ご紹介いただきま す。


プログラム(敬称略)

9:30--10:30 関西大学,CREST 伊藤博介,本多周太
強磁性金属/半導体接合の電子状態とスピン注入

10:30--11:30 日本原研開発機構 圓谷志郎
磁性金属上へのグラフェン成長と界面スピン分光

13:00--14:00 九州大学 安藤裕一郎
Si上における強磁性シリサイドFe3Siの高品質形成とSiへのスピン注入

14:00--15:00日本原研開発機構 松本吉弘
C60‐Co分子系のX線円二色分光(仮題)

15:10--15:50 大阪大学 寺井慶和
β-FeSi2におけるバンド変調の評価

15:50--16:30 明治大学 勝俣 裕
鉄シリサイド研究への取り組み

参加費:
一般 1,000円(会場受付)、研究会会員は無料
学生 無料(テキスト代 1,000円)

詳細問い合わせ先: 京都大学 前田佳均(maeda@energy.kyoto-u.ac.jp)
研究会HP: http://annex.jsap.or.jp/silicides/


★第16回シリサイド系半導体研究会のご案内


第16回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します

研究会テーマ:研究会テーマ:シリサイド微細構造の利用と関連評価技
主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 2010年9月18日(土)
場所: 長崎大学文教キャンパス(総合教育研究棟 多目的ホール)
(〒852-8521 長崎市文教町1-14)
アクセス: 文京キャンパスhttp://www.nagasaki-u.ac.jp/guidance/access.html
      キャンパス内マップhttp://www.nagasaki-u.ac.jp/guidance/acs_cps1.html

(趣旨)
半導体や磁性体を微細構造化(極薄膜化,ナノドット化)すると、発光機能やスピン機能、そして熱電機能が飛躍的に向上します。 このアプローチは、シリサイド系材料を新機能デバイスに応用する上でも非常に有力と期待されます。
今回の研究会では、微細構造の形成と分析評価からシリサイド系材料の微細構造の利用に関して第一線の研究を行っている方々をお招きし、 最新の研究成果と今後の展望についてご紹介いただきます。

プログラム(敬称略)

10:00--11:00 分子科学研究所 横山利彦
紫外およびX線磁気円二色性による磁性薄膜表面の磁気特性評価  


11:00--12:00 九州工業大学 宮崎康次
ナノポーラス構造の熱伝導計算と熱伝導率測定


13:00--14:00 長崎大学 近藤慎一郎
鉄シリサイド化合物の発光と電子状態の関連について


14:00--15:00 九州大学 板倉 賢
走査電子顕微鏡を用いた半導体材料の微細構造評価


15:00--16:00 京都大学 鈴木基史
パッシブ光学材料としての鉄シリサイド薄膜・ナノ構造の応用

参加費:
一般 1,000円(会場にて支払い)、研究会会員は無料
学生 無料(テキスト代 1,000円)
詳細問い合わせ先: 九州大学 佐道泰造(sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp)
研究会HP: http://annex.jsap.or.jp/silicides/

★第15回シリサイド系半導体研究会のご案内



第15回シリサイド系半導体研究会を、春季応用物理学会後に明治大学駿河台校舎にて下記の要領で開催します。
皆様のご参加を宜しく御願いいたします。


研究会テーマ:シリサイド半導体とグリーンエネルギーデバイス
主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 2010年3月21日 (日)
場所: 明治大学駿河台校舎 リバティータワー 1095 (9階) (注:場所に変更があります)
     (東京都千代田区神田駿河台1-1)
アクセス: http://www.meiji.ac.jp/koho/campus_guide/suruga/access.html

趣旨:低炭素化社会を推進する手段の1つとして自然エネルギーや従来廃棄されていたエネルギーを利用して発電する太陽電池や熱電発電といったグリーンエネルギーデバイスへの関心が高まっています。シリサイド系半導体では、資源量が豊富で材料の有害性が低いことから材料を多量に利用するエネルギーデバイスへの利用は非常に適しており、Mg2Si、MnSi1.7を利用した熱電発電素子やβ-FeSi2、BaSi2を利用した太陽電池の開発が進められています。研究会では、この分野の第一線で研究開発を行っている方々をお招きし、最新の研究成果と今後のビジョンについて、ご紹介いただきます。


プログラム(敬称略)

9:30--10:30 東京理科大 飯田 努
Mg2Si系熱電発電モジュール実用化への取り組み 

10:30--11:30 東北大学 山田高広
Na-Si融液を利用したシリサイド熱電材料の合成と熱電特性

13:00--14:00 東北大学 宮崎 譲
MnSiγ (γ~1.7) 系化合物における価電子数制御と熱電特性

14:00--15:00 九州大学 吉武 剛
鉄シリサイド系薄膜太陽電池開発の現状

15:00--16:00 筑波大学 末益 崇 
シリサイド半導体を用いた薄膜結晶太陽電池を目指して

参加費:一般 1,000円 学生 無料(テキスト代 1,000円)
参加申込方法: 当日会場にて受付

詳細問い合わせ先: 茨城大学 鵜殿治彦(udono@mx.ibaraki.ac.jp

★第14回シリサイド系半導体研究会のご案内

第14回シリサイド系半導体研究会を、JR富山駅近くにて下記の要領で開催します

研究会テーマ:シリサイド半導体・強磁性体研究の最前線
主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 2009年9月12日(土)
場所: 富山県総合福祉会館(サンシップとやま)701室
(〒930-0094 富山県富山市安住町5-21 TEL(076)432-6141)
アクセス: http://www.wel.pref.toyama.jp/about/4_map.html

(趣旨)
シリコン系発光材料の鉄シリサイドを中心に始まったシリサイド系半導体研究は、Mg, Ca, Ba, Srを含むアルカリ土類シリサイドやFe3Si系シリサイド強磁性体そして微結晶シリサイドの研究など幅広く進展しています。
また、その応用先も赤外センサや太陽電池、熱電、そしてシリコン系フォトニクスやスピントロニクスへと多様な広がりを見せています。
今回は、多様化するシリサイド系半導体・強磁性体研究について、それぞれの専門家から近年の研究経過から最新の研究成果まで、まとめて判りやすくご紹介いただきます。
特に、これからシリサイド半導体・強磁性体の研究を始めようとする方々にとって、研究動向を知る絶好の機会です。


プログラム(敬称略、仮題)

9:30--10:30 東北大学 打越雅仁
遷移金属原料の高純度化の現状 

10:30--11:30 茨城大学 鵜殿治彦
シリサイドバルク単結晶研究の現状

12:30--13:30 岡山理科大学 財部健一
シリサイド半導体・物性研究の現状

13:30--14:30 筑波大学 末益崇
高配向シリサイド薄膜の形成とデバイス応用を目指して

14:30--15:30 京都大学 前田佳均
半導体・強磁性体シリサイドの光・スピンデバイス応用の可能性

参加費:
一般 1,000円、学生は無料(テキスト代 1,000円)
参加申込方法: 当日会場にて受付
詳細問い合わせ先: 茨城大学 鵜殿治彦(udono@mx.ibaraki.ac.jp



★第12回シリサイド系半導体夏の学校のご案内

1.趣旨:シリサイド系半導体の結晶成長,物性解明に関する最近の成果をスクール形式でレビューします.また,若手研究者による講演/ポスターセッションも行います.九州の鄙びた温泉地で,サイエンスとテクノロジー,両方の視点から,自由かつ真摯な議論を行い,この分野の新しい展開を目指します.若手研究者の皆様の積極的なご参加を歓迎致します.

2.主催:応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会(委員長:末益崇)
  http://annex.jsap.or.jp/silicides/

3.日時:2009年8月1日(土) 13:30 ~8月2日(日) 12:00

4.場所:二日市温泉大観荘 (福岡県筑紫野市湯町1-12-1、電話092-922-3236)
  http://www.daikanso.co.jp/

5.参加費(宿泊費込):20,000円(一般),15,000円(学生)

6.申込方法:下記を明記の上,電子メール(宛先:sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp)にてお申し込み下さい.
  ①氏名,②所属(学生の場合は 学年),③連絡先(住所/TEL/FAX/e-mail),④同伴者氏名(子供の場合は年齢),⑤(講演希望の場合)講演タイトル.

7.申込締切:7/3 (講演),7/10(参加のみ)
  (学生・若手研究者による講演を募集しております(予稿提出締切:7/7))

8.申込,問合せ先:〒819-0395 福岡市西区元岡744
  九州大学大学院システム情報科学研究院
  佐道 泰造
  TEL 092-802-3737,FAX 092-802-3724
  e-mail:sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp

9.特別講演
1.Si(111)上への強磁性MnSiの反応性ヘテロエピタキシー
   九州大・栃原浩先生
2.シリサイド系強磁性体のバンド計算
     -ハーフメタリック相および面の探索-
      九州大・三好永作先生
3.シリサイド系強磁性体/半導体のエピタキシャル成長
    九州大・浜屋宏平先生




★第13回シリサイド系半導体研究会のご案内


第13回シリサイド系半導体研究会を、交通アクセスのよい秋葉原にて、下記の要領で開催いたします。

研究会テーマ: シリサイドとナノ構造
主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時: 平成21年4月3日(金) 10:00--16:00 (応物3/30--4/2: 筑波大学)
場所: 筑波大学東京キャンパス(秋葉原ダイビル14F 講義室1)
http://www.tsukuba.ac.jp/access/akihabara_access.html

(趣旨)
シリサイド系材料の高機能化に向け、原子レベルでの構造制御の重要性が高まってきています。
このような背景のもと、ナノ構造シリサイドの形成および物性評価に関する研究会を企画しました。
研究会では、この分野の第一線で研究開発を行っている方々をお招きし、最新の研究成果と今後のビジョンについて、ご紹介いただきます。
具体的には、β-FeSi2単結晶表面のSTMによる点欠陥の評価および電子状態の理論計算から始まり、シリサイドナノ粒子形成のモデリング、さらに、シリサイドナノ粒子の物性評価が続き、最後に、ナノ構造の物性計測の現状と今後について全体を俯瞰します。

---第13回シリサイド系半導体研究会プログラム----

(敬称略)

10:00 - 11:00
筑波大学 山田洋一
β-FeSi2単結晶表面の観察 

11:00 - 12:00
茨城大学 永野隆敏
(仮題)第一原理計算によるβ-FeSi2表面構造の電子状態解析

13:00 - 14:00
東北大学 茂田正哉
RF熱プラズマ流によるシリサイドナノ粒子創製プロセスのモデリング

14:00 - 15:00
大阪大学 中村芳明
Si基板上に形成した鉄シリサイドナノドットの構造と物性評価

15:00 - 16:00
物質・材料研究機構  鶴岡徹 
走査型プローブ顕微鏡をベースにしたナノ材料の物性研究


参加費:参加費
一般 1,000円
学生 無料(テキスト代 1,000円)

詳細問い合わせ先
筑波大学 末益
suemasu@bk.tsukuba.ac.jp


★第12回シリサイド系半導体研究会のご案内

  「スピン注入技術に関する最近の研究動向と微細構造評価技術

○主催: 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

○日時: 2008年9月6日(土) 10時~15時(予定)

○場所: 桜華会館(〒460-0001 名古屋市中区三の丸1丁目7番2号(護国神社西隣))
       http://www.aba.ne.jp/~ouka/

○趣旨:
シリサイド系材料の高機能化に向け、原子レベルでの構造制御の重要性が高まってきています。
また、新機能(スピン機能等)の発現には、それに相応しい新手法の利用が必要となります。
この背景の基、本研究会では、シリサイド系材料に限定せず、微細構造評価及びスピン注入技術に関する分野の第一線で活躍されている方々をお招きし、最近の研究成果をご紹介頂くとともに、シリサイド系材料への応用の可能性を議論致します。

○プログラム
  10:00-11:00
   柳原英人(筑波大学)
   「単結晶スピネルフェライトをもちいたスピンフィルタ型MTJ」

  11:00-12:00
   高橋有紀子1,2、A. Rajanikanth1、宝野和博1,3
   (1.物質・材料研究機構 磁性材料センター、2.さきがけ、3.筑波大学)
   「点接触アンドレーフ反射法によるハーフメタル探索」

  13:00-14:00 
   桑野範之(九州大学)
   「合金および半導体結晶における規則構造の形成(仮題)」

  14:00-15:00 
   森村隆夫(長崎大学)
   「TEM-ALCHEMI法による結晶の構造解析(仮題)」


○参加費
一般 1,000円、学生 無料(テキスト代 1,000円) 

○参加申込方法
当日受付

○問合せ先: 九州大学・システム情報 佐道泰造
Tel 092-802-3737
Fax 092-802-3724
E-mail sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp

第11回シリサイド系半導体夏の学校のご案内

URL : http://www.das.ous.ac.jp/silicides/

○日時: 2008年8月2,3日

○場所: 鷲羽山下電ホテル (〒711-0924 岡山県倉敷市大浜海岸)

○趣旨:
最近大きな拡散長が報告された鉄シリサイドをはじめとして、シリサイド系半導体、強磁性体、金属/シリサイド半導体ヘテロ接合の結晶成長、光物性、磁気・電気伝導特性、デバイス応用等に関して、研究の背景、最近の成果、将来の展望をレビューします。
また、大学院生によるポスターセッションも予定しています。
豊かな自然の中で、サイエンスとテクノロジーの両方の視点から、真摯な議論を行い、この分野の新しい展開を目指します。

○プログラム
決定次第、研究会HPに記載します。

○参加費
一般 19,000円、学生 15,000 
同伴者がいらっしゃる場合には、別途お問い合わせください。
締切:6月末日(定員60名になり次第締め切ります)

○参加申込方法
ホームページを開設(参加申し込みはこちらからお願いします)。
         
○参加申込/問合: 岡山理科大学理学部 財部健一
Tel 086-256-9440(DI)
Fax 086-256-8487
E-mail takarabe@das.ous.ac.jp

★第11回シリサイド系半導体研究会のご案内

主催 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
開催期日  2008年3月31日 10時~16時
開催場所  明治大学駿河台校舎 リバティータワー 1115教室  (JR御茶ノ水駅下車、徒歩5分)
         http://www.meiji.ac.jp/koho/campus_guide/suruga/access.html
テーマ    「シリサイド系熱・電気エネルギー変換材料の基礎と実用化技術」

○趣旨:
近年、産業・輸送・民生部門から発生する未利用の熱エネルギーを電気エネルギーとして変換するための、素子材料の探索が盛んに行われています。
本研究会では、この分野の第一線で研究開発を行っている方々をお招きし、最新の研究成果と今後のビジョンについて、ご紹介いただきます。
具体的には、歴史の長いFe-Si系および最近活発に研究されているMg-Si系を取り上げ、第一原理計算による物理から、熱電デバイスの製造および実用化技術まで、幅広いテーマで議論します。

○プログラム(予定)
1.FeSi2の実用向け熱電・発熱デバイスの製作 (いわき明星大 安野)
2.Mg-Si-Sn系シリサイド熱電変換材料の開発 (NIMS 磯田)
3.第一原理計算によるMg-Si系構造欠陥およびドーパントのエネルギー的安定性 (FDK 加藤)
4.プラズマ放電焼結法の基礎と応用 (エレニックス 石山)
5.Mg2Si排熱発電モジュールの開発 (日本サーモスタット 根本)


○参加費
一般 1,000円、学生 無料 (テキスト代1,000円)

○詳細問い合わせ先: 東京理科大学 飯田 努
  TEL: 04-7122-9664
  FAX: 04-7122-1499
  email: iida_tsu@rs.noda.tus.ac.jp

第10回シリサイド系半導体夏の学校のご案内

日時:2007年7月28日(土)~7月29日(日)

場所:静岡県掛川市満水2000番地
    ヤマハリゾート つま恋 http://tsumagoi.net/

趣旨:シリサイド系半導体の結晶成長,物性解明に関する最近の成果をスクール形式で
レビューします。また,若手研究者による講演セッションも行います。豊かな自然に囲
まれ、充実した施設が用意されたリゾート地にて,サイエンスとテクノロジー、両方の
視点から、「シリサイド半導体関連物質の技術ロードマップについて」自由かつ真摯
な議論を行います。若手研究者の皆様の積極的なご参加を歓迎致します。

日程  
7月28日(土)
    12時30分より 受付開始
     13時30分 開会 
    セッション1 シリサイドスピトロニクス
    セッション2 シリサイドナノ構造
            フォトニッククリスタル
            エネルギーデバイス
     18時40分 夕食パーティー
     20時00分 ナイトセッション
        「シリサイド半導体関連物質の技術ロードマップについて」
   
7月29日(日)
     9時00分
    セッション3 エキゾチックシリサイド
    セッション4 基礎物性、理論的解析
     12時30分 閉会 
       
参加費: 一般 18,000円、学生 13,000円

なお、同伴者がいらっしゃる場合には別途お問い合わせください。

定員: 50名(定員になり次第締め切ります)、

参加申込方法:
1.氏名,
2.所属(学生の場合は学年),
3.連絡先(郵便番号/住所/TEL/FAX/e-mail),
  4.同伴者氏名(子供の場合は年齢、学年)
5.(講演希望の場合)講演タイトル
 を明記の上、電子メールにてお申し込み下さい.

   参加申込先 : 〒432-8561 浜松市城北3-5-1
          静岡大学工学部 電気電子工学科 立岡浩一 
          TEL/FAX : 053-478-1099
          e-mail : tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp

講演申込:学生・若手研究者による講演を募集しております。
     講演希望者は予稿の作成をお願いいたします。
     予稿作成については、予稿作成案内予稿書式をご参照ください。
     
   予稿提出先 : 神奈川県産業技術センター 桜沢
    k-saku@kanagawa-iri.go.jp

締め切り 講演申込:6月20日 
       予稿提出:6月末日
       参加のみ:6月末日(ただし定員になり次第締め切ります)

つま恋へのアクセス
   新幹線でおこしの方:掛川駅南口より送迎バス
   11時45分 掛川駅発、 つま恋 12時00分頃着
   12時45分 掛川駅発、 つま恋 13時00分頃着

   車でおこしの方 :お泊まりの方:後日駐車場案内を掲載
            日帰りの方 :後日駐車場案内を掲載


夏の学校実行委員会
  末益崇(筑波大學)
  鵜殿治彦(茨城大学)
  秋山賢輔 (神奈川県 産業技術センター)
  佐道泰造(九州大学)
  板倉賢(九州大学)
  寺井慶和(大阪大学)
  飯田努(東京理科大学)
  財部健一(岡山理科大学)
  立岡浩一(静岡大学)


★第10回シリサイド系半導体研究会のご案内

主催 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
開催期日  2007年3月31日(土) 10:00~16:00
開催場所  東京工業大学すずかけ台キャンパス(大学会館) 2階 集会室1
         http://www.titech.ac.jp/access-and-campusmap/j/suzukakedaiR-j.html

プログラム
(1)「鉄シリサイド薄膜に及ぼすイオン照射効果」
   ○笹瀬雅人1、山口憲司2、山本博之2、社本真一2、北條喜一2(1若狭湾エネルギー研究センター、2日本原子力研究開発機構)

(2)「鉄シリサイドナノ構造の形成技術開発」
   ○中村芳明、市川昌和(東京大学大学院工学系研究科、CREST-JST)

(3)「鉄シリサイドおよびシリコン系諸物質の自己形成ナノワイヤ」
   河野日出夫(大阪大学大学院理学研究科)

(4)「シリサイド系半導体薄膜の電気化学的形成とその制御」
   後藤琢也(京都大学大学院エネルギー科学研究科)

(5)「シリコンクラスレートの高圧合成と物性」
   ○山中昭司、前川祥一(広島大学大学院工学研究科)


参加費 参加費 一般 1,000円、学生無料(テキスト代1,000円)
     研究会員 無料、
参加申込方法  当日受付

問合せ先
  郵便番号 432-8561
  住所   浜松市城北3-5-1
  所属   静岡大学工学部電気電子工学科
  氏名   立岡浩一
電話/ファクス 053-478-1099
電子メール  tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp
URL http://annex.jsap.or.jp/silicides/

★第9回シリサイド系半導体研究会のご案内

主催 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
開催日時  2006年3月27日(月) 10:00~16:00
開催場所  明治大学駿河台校舎リバティタワー (東京都千代田区神田駿河台1-1)
        11階 1115室
        アクセス方法 → http://www.meiji.ac.jp/campus/suruga.html

テーマ  【シリサイド系半導体の成長と評価 最近の話題から 】

プログラム
10:00~10:05 諸連絡

10:05~10:40 「CVT法によるb-FeSi2バルク結晶の作製条件と特性」
          ○原 嘉昭,飛田美帆,大内真二,中岡鑑一郎(茨城工業高等専門学校)

10:40~11:15 「レーザーアブレーション生成微小液滴を利用したβ-FeSi2の低温成長」
          ○奈良崎愛子、佐藤正健、川口喜三、新納弘之
         (産業技術総合研究所光技術研究部門レーザー精密プロセスグループ)

11:15~11:50 「薄膜ゾーンメルティング法によるβ-FeSi2膜の成長」
         ○田中優実(独立行政法人科学技術振興機構さきがけ研究「変換と制御」部門
                  /東京工業大学 炭素循環エネルギー研究センター)

13:00~13:35 「蒸着法によるβ-FeSi2生成層への鉄ソース中残留不純物の影響」
         ○石井恂、花村 祥、宮田俊弘、南内嗣(金沢工業大学デバイスシステムR&Dセンター)

13:35~14:10 「Si基板上のErSi2ナノワイヤ-の成長と電気測定」
         ○趙 新為(東京理科大学)

14:10~14:45 「IV族半導体基板上に於ける強磁性シリサイド(Fe3Si)の低温エピタキシャル成長」
         ○佐道泰造,木塚怜,竹内悠,熊野守,上田公二,権丈淳,宮尾正信(九州大学)

14:45~15:20 「鉄シリサイド・高屈折率フォトニック結晶の作製:反応性イオンエッチングによるサブミクロン微細加工」
         ○前田佳均,今井章文,安藤裕一郎,寺井慶和,秋山賢輔(京都大学,大阪大学,神奈川産総研)

15:20~16:00  自由討論

参加費 参加費 一般    1,000円、 学生無料(テキスト代1,000円)
          研究会員   無料、
参加申込方法  当日受付

問合せ先
  郵便番号 432-8561
  住所   浜松市城北3-5-1
  所属   静岡大学工学部電気・電子工学科
  氏名   立岡浩一
電話/ファクス 053-478-1099
電子メール  tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp

★第8回シリサイド系半導体研究会のご案内

主催 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時 2005年9月12日(月) 10:00~16:00
場所 徳島市文化センター  (徳島市城内1番地)
    http://www.city.tokushima.tokushima.jp/bunka_center/

テーマ 【シリサイド半導体研究の動向 】

プログラム
10:00~10:05 諸連絡
10:05~10:40 鉄シリサイドバルク成長と特性  (茨城大学:鵜殿治彦)
10:40~11:15 熱反応堆積法を用いたシリサイド薄膜の成長  (静岡大学:立岡浩一)
11:15~11:50 Ge導入によるβ-FeSi2のバンドギャップ変調  (九州大学:佐道泰造)
11:50~13:00 昼休み
13:00~13:35 化学気相成長法によるβ-FeSi2薄膜の結晶成長と特性
           (神奈川産業技術総合研究所:秋山賢輔,東京工業大学:舟窪 浩)
13:35~14:10 鉄シリサイド薄膜の発光と光電特性  (大阪大学:寺井慶和,京都大学:前田佳均)
14:10~14:45 シリサイド半導体の応用  (筑波大学:末益 崇)
14:45~15:20 シリサイド半導体の展望  (京都大学:前田佳均)
15:20~16:00 自由討論
  
参加費     無料
参加申込方法  当日受付

問合せ先
  郵便番号 432-8561
  住所   浜松市城北3-5-1
  所属   静岡大学工学部電気・電子工学科
  氏名   立岡浩一
電話/ファクス 053-478-1099
電子メール  tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp
URL http://annex.jsap.or.jp/silicides/


第9回シリサイド系半導体夏の学校のご案内
 

主催:応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

日時:2005年7月29日(金)~7月30日(土)

場所:湯河原 万葉荘
    (住所,連絡先:神奈川県足柄下郡湯河原町土肥3-6, 0465-62-3755, http://www.manyoso.jp/) 
     湯河原駅より車で5分又は徒歩15分

趣旨:シリサイド系半導体の結晶成長,物性解明に関する最近の成果をスクール形式
   でレビューします.また,若手研究者による講演セッションも行います.豊かな
   自然の中で,サイエンスとテクノロジー,両方の視点から,自由かつ真摯な議論
   を行い,この分野の新しい展開を目指します.若手研究者の皆様の積極的なご参
   加を歓迎致します.

プログラム (NEW) (pdfファイルはこちら

7月29日(金)

12:30~         受付
13:00~          事務連絡 開会の挨拶
13:15~14:00      講義1「β-FeSi2 発光デバイス開発の現状と課題」  筑波大学 末益 崇
14:00~14:50      講義2「Siナノ構造体の創製、不純物ドーピング、
                   表面・界面水素パッシベ-ションの研究」    筑波大学 村上浩一

休憩 (チェックイン、部屋割り、入室)

15:25~16:15      講義3「SiGeからの発光」                  東京大学 深津 晋
16:15~17:00      一般講演(3件)
              「Al0.70Ga0.30As:Er,Ybの発光における希土類元素Ybの影響」   新井智幸(明治大)
              「石英基板上に成長したBaSi2薄膜の光吸収特性の評価」      森田康介(筑波大)
              「絶縁基板上へのβ-FeSi2 薄膜の成長」                佐竹俊哉(静岡大)
              ソニー紹介
17:15~18:15      休憩 入浴
18:15~20:00      懇親会
20:30~22:00      ナイトセッション:自由発表、総合討論
22:00~23:30      研究会幹事会「シンポジウムの事務打ち合わせ」

7月30日(土)

9:00~ 9:45       講義4「強誘電体薄膜におけるサイトエンジニアリングコンセプト」  東京工業大学 舟窪 浩
9:45~10:30       一般講演(3件)
             「包析反応によるバルクβ-FeSi2 の結晶生成」              三品明生(大阪大学)
             「Si(001)基板上へのSi/β-FeSi2/Si DH 構造の作製」          春原 剛(筑波大学)
             「Ga-Al混合溶媒を用いたβ?FeSi2結晶成長」               鈴木弘和(茨城大)
休憩
10:40~11:25     一般講演(3件)
             「β-FeSi2/Si(111)ダブルヘテロ構造LEDにおける高温アニールによるEL特性の改善」  宇賀神佑太(筑波大)
             「PLD 室温成長で形成したFe-Si 非晶質ドロップレットの形状への基板表面状態の影響」  佐々木貴久(都立科技大M)
             「MBE法によるFe3Si/CaF2/Si(111) 構造のエピタキシャル成長」   小林健一(筑波大M)
11:25~12:05     講義5「Fe-Al系合金の規則構造と回折: B2, DO3, L21」        九州大学 桑野範之
12:05 閉会のことば 事務連絡
現地解散

参加費(宿泊費込):18,000円(一般),13,000円(学生)

申込方法:【1.氏名,2.所属(学生の場合は学年),3.連絡先(住所/TEL/FAX/e-mail),
     4.同伴者氏名(子供の場合は年齢),5.(講演希望の場合)講演タイトル】
      を明記の上、電子メールにてお申し込み下さい.
      (学生・若手研究者による講演を募集しております)

申込締切:6/20 (講演申込)
       6/30(予稿締切)
       7/6(参加のみ)

5/19 「夏の学校の案内」、 「予稿作成要領」、「予稿書式」アップロードしました。
      詳細は各ファイルをご覧ください。

申込先:〒243-0435 神奈川県海老名市下今泉705-1
     神奈川県産業技術総合研究所、 秋山 賢輔
     TEL 046-236-1500, FAX  046-236-1525
     e-mail akiyama@kanagawa-iri.go.jp
     URL:http://annex.jsap.or.jp/silicides/
    



★第7回シリサイド系半導体研究会のご案内

主催 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

日時 2005年4月2日(土) 10:00~16:00
場所 埼玉大学大宮ソニックシティーカレッジ  (http://www.sonic-city.or.jp/
     (埼玉県さいたま市大宮区桜木町1-7-5)

メインテーマ 【シリサイド半導体の評価技術の進展 】
プログラム
(1)「ベータ鉄シリサイド単結晶の光学測定」○鵜殿治彦(茨城大学)

(2)「高分解能RBSの特長とFe-Si成長初期過程の観察への応用」
   ○鈴木基史,城森慎司,木下恒平,中嶋薫,木村健二(京都大学大学院)

(3)「非接触原子間力顕微鏡の超高分解能化と鉄シリサイド薄膜測定への応用」○
   阿部真之(大阪大学大学院)

(4)「内部転換電子メスバウア分光法でみたFeSi2の形成過程」
   ○吉田 豊(静岡理工科大学)

(5)「多探針走査プローブ顕微法によるErSi2ナノワイヤー電気伝導性評価」
   ○中山知信(物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所、科学技術振興事業団)

(6)自由討論

参加費 一般1,000円(予稿集代含)、学生無料(予稿集代1,000円)
参加申込方法  当日受付

問合せ先
  郵便番号 432-8561
  住所   浜松市城北3-5-1
  所属   静岡大学工学部電気・電子工学科
  氏名   立岡浩一
電話/ファクス 053-478-1099
電子メール  tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp
URL http://annex.jsap.or.jp/silicides/



★第6回シリサイド系半導体研究会のご案内

主催 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

日時 2004年9月4日(土) 10:00~16:00
場所 仙台国際センター (仙台市青葉区青葉山(無番地))   http://www.sira.or.jp/icenter/
メインテーマ 【シリサイド半導体の微細構造 】

プログラム
(1)「シリサイド半導体薄膜及びバルク結晶の微細構造評価 -β-FeSi2, MnSi1.7,Mg2Si, Ca2Si の場合-」
○立岡浩一(静岡大)

(2)「イオンビームスパッタ蒸着法によるβ-FeSi2薄膜の断面微細構造」
○ 笹瀬 雅人 1、志村 憲一郎 2、山口 憲司 2、山本 博之 2、社本 真一 2、北條喜一 2 (1: 若狭湾エネルギー研究センター、2: 日本原子力研究所(・中性子利用研究センター、他))

(3)「平面観察法によるβ-FeSi2形成過程の解析」
○ 山口 憲司、五十嵐 慎一 *、志村 憲一郎、山本 博之、社本 真一、北條 喜一(日本原子力研究所(・中性子利用研究センター、他)*: 現所属; 物質・材料研究機構)

(4)「放射光X線光電子分光法による鉄シリサイド薄膜表面/界面の評価」
○ 山本博之、齋藤 健、山口 憲司、志村 憲一郎、社本 真一、北條 喜一(日本原子力研究所(・中性子利用研究センター、他))

(5)「半導体シリサイドの高分解能観察及びEELS分析」
○田中美代子(物質・材料研究機構)

(6)「LV-SEMおよびTEMを用いたシリサイド薄膜の微細構造解析」
板倉 賢(九州大)

(7)「シリコン表面におけるFe, Ptシリサイドの成長過程」
須藤彰三(東北大)

(8) 自由討論

参加費 一般1,000円(予稿集代含)、学生無料(予稿集代1,000円)
参加申込方法  当日受付

問合せ先
  郵便番号 432-8561
  住所   浜松市城北3-5-1
  所属   静岡大学工学部電気・電子工学科
  氏名   立岡浩一
電話/ファクス 053-478-1099
電子メール  tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp
URL http://annex.jsap.or.jp/silicides/



★第8回シリサイド系半導体夏の学校のご案内

主催:応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

シリサイド系半導体の結晶成長,物性 解明に関する最近の成果をスクール形式でレビューします.また,若手研究者による 講演セッションも行います.琵琶湖畔の豊 かな自然の中で,サイエンスとテクノロジー,両方の視点から,自由かつ真摯な議論 を行い,この分野の新しい展開を目指します.若手研究者の皆様の積極的なご参加を 歓迎致します.

日時:2004年7月24日(土)~25日(日) 1泊2日
場所:琵琶湖コンファレンスセンター  http://www.biwako-cc.com/
    滋賀県彦根市新海浜
    (JR東海道本線・能登川駅下車(7km)・送迎予定)
電 話:0749-43-3000、FAX:0749-43-3999、bcc@biwako-cc.com
参加費:一般:18,000円,学生:13,000円(参加費,宿泊代,食事代込み)
夏の学校の案内(pdf)はこちら
参加者の皆様へ NEW!! 
関東,関西および九州方面からのからアクセスのご案内を作成しました.
こちらをご覧になって,アクセスの参考にしてください.

プログラム (プログラムのpdfファイルはこちら
■7月24日(土)
受 付  13:00~13:30

13:40       事務連絡 (館内案内と留意事項)
13:50       開会の挨拶
14:00~15:00  講義 1 「Si中の遷移金属とその複合欠陥」
           佐道泰造(九州大学)
15:00~15:30  休 憩 (チェックイン,部屋割り 入室可能)
15:30~16:30  講義 2 「バルクβ-FeSi2結晶の形成」
           山内 勇(大阪大学)
16:30~17:30  講義 3 「スピンエレクトロニクスの現状と課題,新材料への期待」
           秋永広幸(産総研・ナノ機能合成プロジェクト)
17:30~18:30  休 憩 (記念撮影),入 浴
18:30~20:20  懇親会
20:20~20:30  休 憩,移 動
20:30~22:30  ナイトセッション
           「オプエレ応用への基礎技術の開発について」
           自由発表,総合討論
22:30~23:30   応物研究会幹事会 (幹事のみ)

■7月25日(日)
7:30~8:30  朝 食
         10:00までにチェックアウト

一般講演 1  4件 (15分講演,5分質疑応答)  
座 長:鈴木基史(京都大学)
9:00~9:20  「PLD法と低温熱処理による球状多結晶β相の形成機構に対する検討」 
          中村慎吾(東京都立科技大学M)
9:20~9:40  「Mg2Si薄膜の成長と評価」 
          水由雄介 (静岡大学M)
9:40~10:00  「溶融塩法によるβ-FeSi2の成長と評価」
          大石琢也(静岡大学M)
10:00~10:20 「Zn溶媒を用いたβ-FeSi2溶液成長」
          青木雄太(茨城大学M)
10:20~10:30 休 憩

一般講演 2  4件(15分講演,5分質疑応答)
座 長:鵜殿治彦(茨城大学)
10:30~10:50 「発光デバイス用β-FeSi2結晶の成長と評価」
          三品 明生(大阪大学M)
10:50~11:10 「スパッタ法で作製した鉄シリサイドの磁気抵抗効果」
          竹ノ下昌志(埼玉大学M)
11:10~11:30 「Si/β-FeSi2(粒)/Siのβ-FeSi2を多層化した構造の発光特性」
           春原 剛(筑波大学M)
11:30~11:50 「β-FeSi2を活性層とするLEDの作製」 
           高氏 基喜(筑波大学M)
11:50~13:00 昼 食 

一般講演 3   2件(15分講演,5分質疑応答)
座 長:立岡浩一(静岡大学)
13:00~13:20 「Si基板上への三混晶系Ba1-xSrxSi2薄膜のエピタキシャル成長」
           猪俣裕哉 (筑波大学)
13:20~13:40 「携帯電話からの貴金属のリサイクル」
  高橋國彦(横浜金属、埼玉大)

13:40~14:40 講義 4 「CVD法での高品質FeSi2結晶薄膜の形成と物性評価」
          秋山賢輔(神奈川産総研)
14:40       閉会のことば
           事務連絡
現地解散

送迎バス: JR能登川駅行き 15:20,15:50に出ます.

第8回夏の学校 実行委員会
佐道泰造 幹事代表 (九州大学)
吉武剛  幹事     (九州大学)
前田佳均 幹事    (京都大学)
鈴木基史 幹事    (京都大学)
寺井慶和 幹事    (大阪府立大学)

問い合わせ,参加,講演申込先
〒812-8581 福岡市東区箱崎6-10-1
九州大学 大学院システム情報科学研究院
佐道 泰造
電話 092-642-3952
FAX 092-642-3974
e-mail sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp



■第5回シリサイド系半導体研究会
 メインテーマ 「シリサイド半導体の伝導制御と欠陥」

主催 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時 2004年4月1日 10:00~16:00
場所 明治大学 駿河台校舎 (〒101-8301 東京都千代田区神田駿河台1-1)
リバティータワー11階1115室
     アクセス方法 → http://www.meiji.ac.jp/campus/suruga.html

プログラム
10:00-10:05 諸連絡
10:05-10:45「鉄シリサイド薄膜の伝導制御
(ストイキオメトリー制御及び、鉄との置換による不純物ドープ) 」
○末益崇(筑波大)、高氏基喜、高倉健一郎(熊本電波工専)、長谷川文夫(筑波大)
10:45-11:25「Siとの置換による不純物ドープの試み」秋山賢輔(神奈川産総研)
11:25-12:05「発光特性からみるβ-FeSi2中の不純物と欠陥」
○寺井慶和(大阪府大),前田佳均(京都大)
12:05-13:20 昼食
13:20-14:00「焼結体FeSi2の伝導制御と熱電特性」
磯田幸宏(物質・材料研究機構) 
14:00-14:40「半導体セラミックスの欠陥と電気的特性 
-鉄シリサイド、酸化物半導体などを例に-」
○三木俊克、甲斐綾子、村田卓也(山口大) 
14:40-15:20「Mg2Si基固溶体および関連物質の電気的性質」野田泰稔(島根大)
15:20-16:00 自由討論

参加費 一般1,000円(予稿集代含)、学生無料(予稿集代1,000円)
参加申込方法  当日受付

問合せ先
  郵便番号 432-8561
  住所   浜松市城北3-5-1
  所属   静岡大学工学部電気・電子工学科
  氏名   立岡浩一
電話/ファクス 053-478-1099
電子メール  tehtats@ipc.shizuoka.ac.jp


★2003年シリサイド系半導体・第7回夏の学校
主催 (社)応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時 2003年8月2日13:00~3日15:00
場所 関西セミナーハウス
(京都市左京区一乗寺竹ノ内町 23,叡山電車修学院下車徒歩20分)


第7回夏の学校実行委員会

前田佳均 幹事代表 (大阪府立大学)
鈴木基史 幹事    (京都大学)
寺井慶和 幹事    (大阪府立大学)

趣旨 1997 年より毎夏開催されてきた国内唯一のシリサイド系半導体研究の勉強会です。鉄シリサイドをはじめとするシリサイド半導体の物理と化学,その周辺技術と応用についての多様な成果を持ち寄って討論を行います。学生やこれから研究を始める研究者のみなさまにとっては,知識を深める良い機会ですので是非ご参加ください。

シリサイド系半導体 第7回夏の学校プログラム

■8月2日(土)

受 付  12:00~13:00 (大ホール前)

夏の学校 (大ホール)

13:00       事務連絡 (館内案内,部屋割りなど)
13:10       開会の挨拶
13:20~15:00 講 義 1「シリサイド半導体の基礎とPL評価」
            前田(大阪府立大)
            講 義 2「シリサイド半導体結晶成長」
            立岡(静岡大)
15:00~15:30 休 憩 チェックイン可能
15:30~17:00 講 義 3「鉄シリサイドの結晶成長と物性」
             鵜殿(茨城大学)
            講 義 4「シリサイド半導体のエピ成長と物性」
             末益(筑波大)
17:00~18:00 入 浴*1
18:00~20:00 バンケット(懇親会,夕食)
20:00~20:30 休 憩
20:30~22:00 ナイトセッション:総合討論
22:00~23:00 IUMRS組織委員会


■8月3日(日)

8:00~9:00   朝 食*2
            10:00までにチェックアウト,手荷物は大ホールに移動
9:00~12:00  学生研究発表*3
12:15~13:00 昼 食*2
13:00~15:00 講義5「化学気相成長法によるエピ成長」
             秋山(神奈川産総研)
            講 義 6「TEMによる微細構造解析の基礎」
             板倉(九大総合理工)
15:00~15:10 閉会のことば

参加費 一般:18,000円  学生:13,000円 (宿泊食事代込み)
定員  50名程度
参加申込方法
7月10日までに電子メールかFAXで以下の申し込み先まで
問合せ・申込先
〒599-8531
大阪府堺市学園町1-1大阪府立大学総合科学部
前田佳均
TEL&FAX 072-254-9709
e-mail ymaeda@ms.cias.osakafu-u.ac.jp
URL: http://www.jsap.or.jp/announce/seminar/detail/20030802-0722549709.html


第4回シリサイド系半導体研究会

主催 (社)応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

日時 2003年9月3日9:00~16:00
場所 九州大学システム情報科学講義棟・1階講義室
(〒812-8581 福岡市東区箱崎6-10-1 九州大学箱崎キャンパス内地下鉄:箱崎九大前下車、徒歩5分)

内容  今回も応用物理学会講演会にリンクして研究会を開催します.鉄シリサイドを中心としたシリサイド系半導体の作製方法,光学特性,発光特性,電気特性,磁性体や誘電体との融合技術などについて最新の成果を持ち寄って自由な雰囲気で集中的に討論を行います.関連する広い分野の研究者のみなさまのご参加をお待ちしています.

プログラム
①9:00~10:00  交流招待講演:
多彩な物性の宝庫:遷移金属酸化物を用いた"機能性材料―シリコン"インテグレーション,  田畑 仁(大阪大学産業科学研究所)
②10:00~10:40 PLD成長によるβ-FeSi2ドロップレットの低温生成,   菅原 宏冶(東京都立科学技術大学)
③10:40~11:20 イオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法によるβ-FeSi2薄膜の作製,  山口 憲司(日本原子力研究所東海研究所)

○11:20~13:00 昼休み (IUMRS-ICAM2003 C7実行委員会)    

司会:末益 崇(筑波大学)
④13:00~13:40 高分解能RBSによるFe-Si 界面の分析,  鈴木 基史(京都大学大学院工学研究科)
⑤13:40~14:20 Fe蒸着反応法によるβ-FeSi2形成とその表面組成解析,  生地 文也(九州共立大学大学院工学研究科) 
⑥14:20~15:00 イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi2の発光特性,    寺井 慶和(大阪府立大学総合科学部) 
○15:00~15:10 休 憩

⑦15:10~16:00 総合討論 司会:佐道泰造(九州大学)
春応物学会で使用したOHP,その他など自由に持ち込みできる時間です.形にこだわらない自由な課題の発表,議論,プロジェクト提案,情報交換が目的です.
閉 会

参加費 1,000円
参加申込方法:当日受付

問合せ
〒599-8531 堺市学園町1-1大阪府立大学総合科学部
幹事:前田佳均
TEL&FAX 072-254-9709
e-mail ymaeda@ms.cias.osakafu-u.ac.jp
〒812-8581 福岡市東区箱崎6-10-1
九州大学 大学院システム情報科学研究院
幹事:佐道 泰造
電話 092-642-3952
FAX 092-642-3974
e-mail sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp

★第3回シリサイド系半導体研究会講演会プログラム
「シリサイド半導体の最前線」報告

主催:(社)応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時:3月31日(日)9:30 開場

参加費:一般 2000円(予稿集代含), 学生 無料(予稿集代1000円)
会場:埼玉大学東京ステーションカレッジ(東京駅八重洲口,八重洲口会館地下2F)

参加者:50名


司会:立岡浩一(静岡大学工学部)
①10:00~10:40 β-FeSi2の光学及び構造的性質の圧力効果
  財部健一 (岡山理科大学理学部)
②10:40~11:20 鉄シリサイド半導体LEDの開発
  末益 崇 (筑波大学物理工学系)
③11:20~12:00 Fe-Si系の30Tにいたる強磁界中磁気抵抗効果
  山田興治、三宅 潔(埼玉大学工学部),謝 泉(長沙交通大学、中国)

○12:00~13:00 昼休み

司会:末益 崇(筑波大学)
④13:00~13:30 β-FeSi2バルク結晶の光吸収
  鵜殿治彦 (茨城大学工学部)
⑤13:30~14:00 β-FeSi2薄膜の伝導特性
  高倉健一郎(熊本電波高専)
⑥14:00~14:30 イオンビーム合成β-FeSi2のフォトルミネッセンス

 前田佳均(大阪府立大学総合科学部)

○14:30~15:45 休 憩

○15:45~17:25 一般討論 司会:前田佳均(大阪府立大学)

 牧田(産総研),秋山(神奈川県産総研)氏ら他

春応物学会で使用したOHP,その他など自由に持ち込みできる時間です.

発表の可否は司会者の判断で決めます.司会者が指名する場合もあります.

形にこだわらない自由な課題の発表,議論,プロジェクト提案,情報交換が目的です.

○17:25~17:30 IUMRSシリサイド半導体シンポジウムC7のご案内
  三宅 潔(埼玉大学)

閉 会


★2002年シリサイド系半導体・第6回夏の学校 報告
内容:1997 年より毎夏開催されてきたシリサイド系半導体研究の勉強会です。半導
体鉄シリサイドをはじめとするシリサイド半導体の物理と化学,その周辺技術と応用
についての多様な成果を持ち寄って討論を行います。学生やこれから研究を始める研
究者のみなさまにとっても知識を深める良い機会です。

主催:応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
共催:環境半導体研究会,日本原子力研究所

日時:2002年8月5日(月)~8月6日(火)
会場:日本原子力研究所東海研究所
宿泊:サンピア日立(〒319-1223 茨城県日立市みなと町6 -1 )

参加者:62名
夏の学校予稿集は日本原子力研究所:JERIレポートとして出版されて
います.(JAERI-CONF 2002-014)

1. プログラム
○8月5日(月)
12:30 受付
13:05 開講の挨拶
13:10 招待講演 
 「シリコン系ヘテロ超構造技術の進展とそのデバイス
 応用」   宮尾正信(九州大)
14:30-16:00 討論1. (司会:北條喜一 原研東海)
 「シリサイド半導体の基礎と光学特性」      
16:00-17:00 ポスターセッション(講演募集)
18:30-20:00 <親睦会>
20:00-22:00 ナイトセッション (司会:前田佳均 大阪府大)
 「シリサイド半導体研究のロードマップ」 
 (飛び入り発表,研究提案や情報提供など歓迎いたします。)

○8月6日(火)
9:30-11:30 討論2. (司会:立岡浩一 静岡大,末益崇 筑波大)
 「シリサイド半導体の結晶成長」    
11:30-12:10 討論3. (司会:佐道泰造 九州大)
 「新しいシリサイド半導体への展開」        
12:10 総括 
12:30-13:30 <昼食・自由討論>
13:30 解散

協賛会社

本学校へのご協賛をいただき厚く御礼申し上げます.
堀場ジョバンイボン株式会社殿,東陽テクニカ株式会社殿

本学校は,応用物理学会研究活性化支援金の援助を受けました.
厚く御礼申し上げます.


★第2回シリサイド系半導体と関連物質研究会報告
「シリサイド半導体研究の最前線を考える」

■主 催:(社)応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
■日 時:2002年3月31日(日)10:00~17:30
■場 所:埼玉大学東京ステーションカレッジ
    (東京駅八重洲北口 八重洲口会館 地下2階)
■参加者:45名


               プログラム

●10:00~10:10 研究会の現状報告 前田佳均 (大阪府立大学)

●10:10~11:10 Sb照射RDE-β-FeSi2薄膜の構造及び電気的特性,
Mg2Si及びCa2Si結晶の成長 
  立岡浩一(静岡大学)
●11:10~12:30 九州大学における鉄シリサイド研究の現状
  -β相の固相成長変調、成長方位解析、非晶質薄膜の基礎物性
  佐道泰三、板倉 賢、吉武 剛 (九州大学大学院)

●12:30~13:30    昼 食

●13:30~14:30 筑波大学におけるβ-FeSi2研究の現状と新しい試みについて
  末益 崇(筑波大学)

●14:30~14:50 Ru2Si3の結晶構造と帯磁率
  大杉 功 1),小島 勉 1),C. B. Vining 2),坂田 亮3),西田勲夫1)
( 1)育英工業高等専門学校,2)ZT Services,3)慶應義塾大学名誉教授
●14:50~15:10 化学気相輸送法によるβ-FeSi2単結晶成長と評価
  原 嘉昭 (茨城工業高等専門学校)

●15:10~15:30    休 憩

●15:30~16:00 溶液からのβ-FeSi2バルク結晶成長と電気的・光学的特性評価
  鵜殿治彦,松村和剛,高久 忍,菊間 勲(茨城大学)
●16:00~16:30 Erドープβ-FeSi2のイオンビーム合成と発光特性
  前田佳均(大阪府立大学)
●16:30~17:30 総合討論 (参加者全員:持込発表可)



~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
The 2nd Symposium on Semiconducting Silicides:
The front line of Researches on Semiconducting Silicides
Section Society on Semiconducting Silicides and Related Materials,
Japan Society of Applied Physics (JSAP)
10:00~17:30, 31 March 2002
Tokyo Station College, Saitama Un
iversity
B2 Floor Yaesu-Kita-Kaikan, Yaesu North Exit, Tokyo Terminal

■ Application and Information to ymaeda@ms.cias.osakafu-u.ac.jp
■ Free for participation

PROGRAM

● 10:00~10:10 Opening address Y. Maeda (Osaka Pref. University)
● 10:10~11:10 Structure observations and electrical properties of RDE beta-FeSi2 irradiated by Sb. Crystal growth of Ma2Si and Ca2Si
H. Tatsuoka (Shizuoka University)
● 11:10~12:30 Researches on semiconducting silicides in Kyushu University
-Modulated solid phase growth、Analysis of crystal orientations、basic properties of amorphous silicides
T. Sadou、S. Itakura、T. Yoshitake (Kyushu University)
● 12:30~13:30 Lunch
● 13:30~14:30 Researches on beta-FeSi2 and new approaches in University of Tsukuba
T. Sumematsu、K. Takakura、F. Hasegawa(University of Tsukuba)
● 14:30~14:50 Crystal structure and magnetic properties of Ru2Si3
I. Osugi 1),M. Kojima 1),C. B. Vining 2),R. Sakata3),I. Nishida1
( 1)Ikuei Tech College,2)ZT Services,3)Keio University
● 14:50~15:10 CVT growth beta-FeSi2 single crystals and characterizations
        Y. Hara (Ibaraki National Tech College)
● 15:10~15:30    Coffee break
● 15:30~16:00 Electrical and optical properties of beta-FeSi2 single crystals grown from solvent
H. Udono,K. Matsumura,S. Takaku,I. Kikuma(Ibaraki University)
● 16:00~16:30 Ion-beam synthesis of Er-doped beta-FeSi2 and photoluminescence properties
Y. Maeda(Osaka Prefecture University)
● 16:30~17:30 Discussion
     

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

★第1回シリサイド系半導体研究会講演会報告

参加者 58名

2001年11月6日(火)13:00-18:00
大阪府立大学総合学術情報センター視聴覚室

プログラム
○13:00-13:10 研究会活動の紹介
        前田佳均(研究会世話人)

座長:宮尾正信(九州大学大学院)
○13:10-14:10 記念講演 (English) 
Silicon-based light emitting diodes
  Kevin P. Homewood, Manon A. Lourenco (University of Surrey)

○14:10-14:40 Chemistry of Fe2O3 nanoparticles on Si, Ge and graphite surfaces :
“Plug and Play” approach for functionality tuning (English)
       K. Prabhakaran (NTT物性科学基礎研究所)

○14:40-15:00 休 憩
座長:末益 崇(筑波大学)
○15:00-15:30 鉄シリサイドβ-FeSi2の磁気モ-メント発現可能性について
近藤慎一郎(長崎大学・工学部)

○15:30-16:00 第一原理計算による鉄シリサイドの発光と歪みの関係
        山口健志 (三菱マテリアル(株) 総合研究所)

○16:00-16:30 β-FeSi2固相成長における基板面方位,膜厚及びGe添加の影響
佐道泰造 (九州大学・システム情報)

座長:立岡浩一(静岡大学)
○16:30-17:00 CVD法による高品質 β‐FeSi2薄膜
秋山賢輔 (神奈川県産業技術総合研究所)

○17:00-17:30 イオンビーム合成によるβ‐FeSi2ナノ結晶の作製と評価
       前田佳均(大阪府立大学・総合科学部)

司会:吉武 剛(九州大学大学院)
○17:30-18:00 総合討論:参加者全員

●18:00-18:20 研究会 第1回幹事会

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
The 1st Symposium on Semiconducting Silicides

Date:6(Tue) Nov. 2001, 13:00-18:00
Venue:Library & Science Information Center, Osaka Prefecture University
organised by Session Soc. of Semiconducting Silicides
and the Related Matearials of JSAP

Total number of participants: 58

PROGRAM
○13:00-13:10 Introduction to section society of JSAP
        Y. Maeda(Secretary of meeting)

Chair:M. Miyao(Kyushu University)
○13:10-14:10 Invited talk (English) 
Silicon-based light emitting diodes
  Kevin P. Homewood, Manon A. Lourenco (University of Surrey)

○14:10-14:40 Chemistry of Fe2O3 nanoparticles on Si, Ge and graphite surfaces : “Plug and Play” approach for functionality tuning (English)
       K. Prabhakaran (NTT)

○14:40-15:00 Rest
Chair:T. Sumemasu(University of Tsukuba)
○15:00-15:30 On the possibility of appearance of magnetic moment in iron disilicide b-FeSi2
S. Kondou(Nagasaki University)

○15:30-16:00 First Principles Study on Luminescence and Structural Strain of Iron Silicide
        K. Yamaguchi (Mitsubishi Materials Co.)

○16:00-16:30 Dependence of Solid-Phase Growth of β-FeSi2 on Substrate Orientation, Film Thickness, and Ge-Doping
T. Sadou (Kyushu University)

Chair:K. Tatsuoka(Shizuoka University)
○16:30-17:00 b-FeSi2 thin film prepared by CVD method
K. Akiyama ( Kanagawa Industrial Technology Research Institute)

○17:00-17:30 Ion beam synthesis of b-FeSi2 nanocrystals
and their characterizations
       Y. Maeda(Osaka Prefecture University)

Chair:T. Yoshitake(Kyushu University)
○17:30-18:00 Group discussions

●18:00-18:20 Committee meeting

Details, accommodation, please contact Dr. Yoshihito Maeda, Osaka Prefecture Univ.
by e-mail. ymaeda@ms.cias.osakafu-u.ac.jp

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~