| １２月３日（木） | A会場 | |||
| ★印は講演奨励賞申請の発表です
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| A-1 半導体 | 15:00 - 16:45 | |||
| 座長：小林康之（弘前大） | ||||
| ★3A01 | 15:00-15:15 | シリコン酸窒化膜内殻準位異常シフトの解析 | ||
| 弘前大院理工 | ||||
| ○高見貴弘, 和田誠, 遠田義晴 | ||||
| 3A02 | 15:15-15:30 | ZnO 単結晶を用いた縦型光導電タイプ UV センサの特性 | ||
| 1岩手大学，2岩手県工業技術センター，3仙台高等専門学校 | ||||
| ○塩脇順平1,*, 阿部貴美1, 鈴木祐太郎1, 中川 玲1, 千葉鉄也2, 中川美智子1, 柏葉安宏3, 千葉茂樹1, 新倉郁生1, 柏葉安兵衛1, 長田 洋1 | ||||
| 3A03 | 15:30-15:45 | ナノ SOI MOSFET 内単一ボロンのイオン化エネルギーの SOI 層内ボロンの位置依存性に対する酸化膜の効果 | ||
| 秋田大工 | ||||
| ○花嶋雄太, 山田嘉代子, 堀口誠二 | ||||
| 3A04 | 15:45-16:00 | ゲート電界誘起型 Ge 単電子トランジスタのコンダクタンスのゲート電圧依存性 | ||
| 秋田大学大学院工学資源学研究科 | ||||
| ○山田一太, 堀口誠二 | ||||
| ★3A05 | 16:00-16:15 | 三次元集積化技術におけるチップ薄化に伴う局所曲げ応力のDRAMセルアレイを用いた評価 | ||
| 1東北大院工, 2東北大際研, 3東北大未来研, 4東北大院医工 | ||||
| ○谷川 星野1, 木野 久志2, 福島 誉史1, 小柳 光正3, 田中 徹1, 4 | ||||
| ★3A06 | 16:15-16:30 | ガラス基板上の high-kゲート絶縁膜を有するメタルダブルゲート Ni-SPC 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ | ||
| 東北学院大工 | ||||
| ○仁部翔太, 原明人 | ||||
| 3A07 | 16:30-16:45 | 両性不純物を添加した液相成長 GaSe 結晶の電気的特性 | ||
| 東北大院工1 | ||||
| ○佐藤陽平 1, 鈴木康平1, 前田健作1, 小山裕1 | ||||
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| 休憩 | 16:45 - 17:00 | |||
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| A-2 有機分子・ﾊﾞｲｵｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ，ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ， 結晶工学，薄膜・表面 |
17:00 - 18:15 | |||
| 座長：堀口誠二（秋田大） | ||||
| 3A08 | 17:00-17:15 | 真空蒸着によるペンタセン薄膜の平坦性評価 | ||
| 弘前大院理工 | ||||
| ○藤原大樹, 小林康之 | ||||
| ★3A09 | 17:15-17:30 | 酸化グラフェンの界面還元過程に関する微視的解析 | ||
| 弘大理工1, 東大新領域2 | ||||
| ○本間弘樹1, 小幡誠司2, 斉木幸一朗2, 藤川安仁1 | ||||
| ★3A10 | 17:30-17:45 | PLD 法による AlN/Si(110)上への SiC 薄膜の作製および グラフェンの形成 | ||
| 弘前大院理工 | ||||
| ○成田舜基, 目黒一煕, 高見貴弘, 遠田義晴, 中澤日出樹* | ||||
| ★3A11 | 17:45-18:00 | N極性(0001)p型GaNのMOVPE成長における Mg/Ga・V/III 原料供給比の正孔濃度への影響 | ||
| 東北大金研 | ||||
| ○野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志 | ||||
| ★3A12 | 18:00-18:15 | 高濃度V添加ZnOアモルファス薄膜の固相成長における結晶配向と副相形成 | ||
| 東北大院工 | ||||
| ○渡部 晃弘, 川島 知之, 鷲尾 勝由 | ||||
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| 東北支部総会 | 18:15 - 18:30 | |||
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| 懇親会（岩木の間） | 18:30 - 21:00 | |||
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| Poster Session（岩木の間） | 18:35 - 19:35 | |||
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